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公开(公告)号：CN101436641A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810239624.3
申请日：2008-12-12
Applicant: 清华大学
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明公开了一种制备具有高纵横比热电臂的微型热电器件的方法。该方法利用机械加工在玻璃薄片上制作出凹槽，并通过加压烧结成功制成具有30～150微米微孔阵列的玻璃模板；通过利用光刻和磁控溅射技术在单晶硅衬底上面制作叉指电极来分别控制P型和N型热电材料的电化学沉积，从而制作出交替排列的P型、N型热电阵列；在电化学法填充N型Bi2Te3材料的过程中，设计出一种反向脉冲沉积的工艺，从而实现纵横比超过10的填充生长。
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公开(公告)号：CN101269800A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810105572.0
申请日：2008-04-30
Applicant: 清华大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 一种非均质Bi2Te3热电材料及制备方法，属于能源材料技术领域。该方法分化合物粉末的合成和成型制备两部分，首先将高纯Bi和Te元素单质按照原子质量配比，采用机械合金化工艺通过不同的球磨时间分别获得不同粒径的Bi2Te3粗细粉末。然后将粗细粉末分别按照不同的成分进行混合，将混合好的粉料通过放电等离子烧结制备显微结构非均质的Bi2Te3块体材料。通过对Bi2Te3的显微结构进行非均质设计，在提高了材料的电传输性能的同时降低了材料的热导率，最终显著提高了材料的热电性能。该方法具有工艺简便、时间短、成本低和实用性强等优点。
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公开(公告)号：CN101255265A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810103886.7
申请日：2008-04-11
Applicant: 清华大学
IPC: C08L63/00 , C08J5/10 , C04B35/495 , C04B35/622 , B29C70/26
Abstract: 一种无铅压电陶瓷/聚合物1－3结构复合材料及其加工方法，属于功能陶瓷材料及其制造技术领域。复合材料由(Na，K)NbO3基无铅压电陶瓷与环氧树脂组成，陶瓷柱分散在环氧树脂基体中，利用机械加工得到的压电陶瓷微柱阵列排列分布在聚合物基体中，压电陶瓷的微柱的截面宽度40－100um，纵横比3～10。被加工成截面宽度40～100um的微柱阵列形式分布在聚合物的基体中。在切割压电陶瓷的过程中，通过在第一次平行切割后填入树脂大大增强被加工样品的强韧性和微柱阵列的完整性，从而将压电陶瓷柱状阵列的精细加工尺度提高了一个数量级。具有微细结构的1－3型有序复合压电材料可用于高频医疗超声成像技术。
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公开(公告)号：CN1669986A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510063084.4
申请日：2005-04-06
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/622 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了属于功能陶瓷材料及其制造技术领域的一种压电陶瓷膜的制备方法。此方法利用电泳沉积法与溶胶浸润法相结合的两步法在导电性基板制备陶瓷厚膜。采用两步法进行压电陶瓷膜的制备。首先将陶瓷粉末制成稳定带电的悬浮液，在导电或者附有导电电极的衬底上进行电泳沉积，随后对干燥后的粉末沉积体进行溶胶浸润，再进行热处理和低温烧结得到致密的陶瓷膜。本发明结合电泳沉积法和溶胶凝胶法的优点，可降低烧结温度，可以在形状复杂和表面多孔基板上制备均匀的10－100um的范围内的厚膜，膜的致密度较高，制备方法简单快捷，陶瓷沉积层，比传统方法更加经济。可用于制备微型机电系统(MEMS)中微驱动器部件。
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公开(公告)号：CN117320532A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311277647.4
申请日：2023-09-28
Applicant: 清华大学
IPC: H10N10/852 , H10N10/01 , C01G3/00
Abstract: 本发明公开了一种硒化亚铜基热电材料及其制备方法和应用，该硒化亚铜基热电材料的化学组成为：Cu2‑xSe‑n AgSbF6，其中，0≤x≤0.25，0＜n≤2％。该硒化亚铜基热电材料的功率因子保持在较高水平，热导率较低，同时能够限制铜离子长程迁移，从而具有较高的热电性能和较强的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109309155B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201710628318.8
申请日：2017-07-28
Abstract: 本发明涉及一种高锰硅基碲化物热电复合材料，其特征在于，具有下列通式(1)所示的化学组成：(MnSi1.740±0.015)1‑x(MnTe)x(1)其中，x表示高锰硅基碲化物热电复合材料中碲化锰所占的摩尔比，并且0＜x≤0.10，所述高锰硅基碲化物热电复合材料的最大ZT值为0.40以上。
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公开(公告)号：CN112028632B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202010792151.0
申请日：2020-08-08
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , H01L35/16
Abstract: 本发明属于能源材料技术领域，具体涉及一种非化学计量比碲化铋基热电材料及其制备方法。本发明材料具有下列通式所示的化学组成：BixSb2‑xTe3+y，制备方法为：首先按照通式的化学组成称取Bi单质粉末、Sb单质颗粒和Te单质粉末原料，进行球磨处理，得到粉末；然后将所得的粉末进行循环次数为1至5次的循环放电等离子体烧结处理得到块体样品。本发明制得的碲化铋基热电材料结晶性良好、结构致密，相较于传统机械合金化结合烧结方法制备的样品晶粒明显增大且引入了大量位错，从而电学性能提升且晶格热导率降低，具有优异的热电性能。同时，制备工艺操作简便、周期短、无高温危险性、能耗少，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111925208A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010782448.9
申请日：2020-08-06
Applicant: 清华大学 , 浙江清华长三角研究院 , 歌尔股份有限公司
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公布了一种铌酸锂钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，所述铌酸锂钠基无铅压电陶瓷由下列所示的化学通式所组成(1-x)LiαNa1-αNbO3-xBaTiO3；在制备过程中，将Li2CO3、Na2CO3、Nb2O5、TiO2、BaCO3混合加入无水乙醇球磨，烘干得到混合粉料，将该粉料进行预烧结；对预烧结后的粉料进行二次球磨，然后冷压成型得到陶瓷粗坯；陶瓷粗坯在空气气氛中高温烧结得到陶瓷样品，最后对样品进行极化处理得到铌酸锂钠基无铅压电陶瓷。本发明制备的铌酸锂钠基无铅压电陶瓷不仅具有高压电系数、高介电常数和高机电耦合系数的特点，同时还具有原料易于获得、成分简单不含剧毒元素铅、减少环境负担的优点；且制备工艺简单，耗时短。本发明具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109950389A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910204477.4
申请日：2019-03-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种中温区高性能热电材料制备方法及中温区高性能热电材料，其中，该制备方法可以为GeTe基热电化合物块体制备方法，包括如下步骤：以Ge单质粉、Bi单质粉和Te单质粉为原料，采用机械合金化法处理，得到粉末；将所述粉末采用放电等离子烧结法处理，得到GeTe基热电化合物块体。该制备方法工艺操作简便，耗能少，耗时少，效率高；且得到的GeTe基热电化合物块体结晶性好，成分简单均匀，重复率高，在中温区300～500℃具有优异的热电性能。
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公开(公告)号：CN109449277A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811239379.6
申请日：2018-10-23
Abstract: 一种双层/多层热电器件，属于热电转换技术领域。双层/多层热电器件至少包含对应两个不同温度段的热电分模块以及位于两者之前的绝缘材料层，至少一个热电分模块中包含一种低温电导率较低而高温电导率较，即高温ZT值比低温ZT值高10倍以上的热电材料；所述室温电导率较低而高温电导率较高的热电材料对应高温段热电分模块；每个热电分模块包含若干对n型和/或p型热电臂，每个热电臂的内部结构为五层，自上向下为:高熔点金属层，金属化层，热电材料，金属化层，高熔点金属层。所得双层/多层热电材料器件在即使温差只有300k以下时，仍然能保持最大转化效率ηmax不小于3％。本发明对烧结工艺的要求不高，对设备的要求更低，生产成本低廉，更加适合工业大规模生产的要求。
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