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公开(公告)号：CN108731825B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201710259273.1
申请日：2017-04-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹波波长检测方法，其包括以下步骤：使被检测的太赫兹波直接入射在该太赫兹波接收装置上，所述太赫兹波接收装置检测到所述被检测的太赫兹波的第一强度数据；使被检测的太赫兹波透过一碳纳米管结构之后入射在该太赫兹波接收装置上，所述太赫兹波接收装置检测到所述被检测的太赫兹波的第二强度数据；根据该第二强度数据和第一强度数据计算出被检测的太赫兹波的穿透率曲线；以及通过将穿透率曲线一标准数据进行比对，获得该被检测的太赫兹波的波长范围，其中，该标准数据包括太赫兹波对该碳纳米管结构的穿透率与波数的关系数据。
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公开(公告)号：CN108736296A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710259286.9
申请日：2017-04-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹波发射装置，其包括：一太赫兹波源，其用于激发太赫兹波；以及一置于该太赫兹波源的出射面一侧的调制装置，该太赫兹波源激发的太赫兹波经该调制装置调制后形成太赫兹调制波并发射出去；其中，所述调制装置包括一碳纳米管结构，且该碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN108731825A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710259273.1
申请日：2017-04-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹波波长检测方法，其包括以下步骤：使被检测的太赫兹波直接入射在该太赫兹波接收装置上，所述太赫兹波接收装置检测到所述被检测的太赫兹波的第一强度数据；使被检测的太赫兹波透过一碳纳米管结构之后入射在该太赫兹波接收装置上，所述太赫兹波接收装置检测到所述被检测的太赫兹波的第二强度数据；根据该第二强度数据和第一强度数据计算出被检测的太赫兹波的穿透率曲线；以及通过将穿透率曲线一标准数据进行比对，获得该被检测的太赫兹波的波长范围，其中，该标准数据包括太赫兹波对该碳纳米管结构的穿透率与波数的关系数据。
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公开(公告)号：CN108731824A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710259258.7
申请日：2017-04-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹波波长检测装置，其包括；一太赫兹接收装置，其用于接收太赫兹波；一调制装置，其用于调制太赫兹波，所述调制装置包括一碳纳米管结构，且该碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的碳纳米管；一与该调制装置连接的移动装置，其用于控制所述调制装置，使该调制装置设置于该太赫兹波接收装置的入射面上或偏离该入射面；以及一与该太赫兹波接收装置连接的计算机，所述计算机内部存储有太赫兹波对该碳纳米管结构的穿透率与波数的关系数据作为第一标准数据，所述计算机用于计算被检测的太赫兹波对该调制装置的穿透率曲线与波数的关系，并将计算结果与所述第一标准数据进行比对从而获得该被检测的太赫兹波的波长范围。
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公开(公告)号：CN106998201A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610042561.7
申请日：2016-01-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光识别开关装置，其包括：一光线发射器，用于发射光线；一光波长识别器，用于识别该光线发射器发射的光线；以及一开关单元，执行打开或闭合动作；其中，该光波长识别器包括一光波长分析器，一调制器，一存储器；该光波长分析器包括至少一光波长检测器和一信号处理模组，该光波长检测器包括一探测元件及一测量装置；该探测元件包括一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个碳纳米管沿同一方向延伸，该光线信号入射至碳纳米管结构的表面，该测量装置用于测量该碳纳米管结构的电势差或温度差；该信号处理模组用于对测量值进行分析计算，再将计算得到的信号数据与初始信号数据进行对比，再根据对比结果发送工作指令至该开关单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1279480C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN02156622.4
申请日：2002-12-17
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 考虑耦合效应进行时延优化的标准单元总体布线方法属于集成电路标准单元总体布线领域，其特征在于：它是在每条线网不受任何约束的条件下构造时延优化布线树，再优化布线拥挤，消除拥挤边后，用先后衔接的基于实验模拟的连线负载模型来估算连线电学参数，全等变换技术来计算连线延迟，通过用户给定的延迟信息表用查表+插值的方法来计算门延迟等三个步骤计算路径总延迟值，然后，用增强考虑了耦合效应的关键路径上线网的权值以减小线网附近的布线密度，从而也减小了耦合电容和路径总延迟的方法来优化电路时延。它能准确地计算电路的实际延迟时间；利用耦合效应对时延的影响，减少关键路径的耦合电容，导致关键路径总延迟下降和整个电路时延优化。
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公开(公告)号：CN106996831B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201610042562.1
申请日：2016-01-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明涉及一种用于识别特定波长的传感器，包括：一光波长分析器，用于接收入射的光线信号，对该光线信号进行分析处理，并根据处理结果发送工作指令；一存储器；以及一调制器；其中，所述光波长分析器包括一光波长检测器和一信号处理模组，该光波长检测器包括一探测元件，一测量装置；所述探测元件包括一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个碳纳米管沿同一方向延伸，所述光线信号入射至该碳纳米管结构的部分表面，所述测量装置用于测量所述碳纳米管结构的电势差或温度差；所述信号处理模组与光波长检测器电连接，用于对该测量装置的测量值进行分析计算，并将计算得到的信号数据与存储器中初始信号数据作对比，并根据对比结果发送工作指令。
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公开(公告)号：CN108736296B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201710259286.9
申请日：2017-04-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹波发射装置，其包括：一太赫兹波源，其用于激发太赫兹波；以及一置于该太赫兹波源的出射面一侧的调制装置，该太赫兹波源激发的太赫兹波经该调制装置调制后形成太赫兹调制波并发射出去；其中，所述调制装置包括一碳纳米管结构，且该碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN108736295B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201710259288.8
申请日：2017-04-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种产生太赫兹调制波的方法，其包括以下步骤：提供一太赫兹波源，并使该太赫兹波源激发产生太赫兹波；以及在所述太赫兹波源的出射面一侧设置一碳纳米管结构，使该太赫兹波源产生的太赫兹波透过该碳纳米管结构后发射出去，其中，该碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN108736295A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710259288.8
申请日：2017-04-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种产生太赫兹调制波的方法，其包括以下步骤：提供一太赫兹波源，并使该太赫兹波源激发产生太赫兹波；以及在所述太赫兹波源的出射面一侧设置一碳纳米管结构，使该太赫兹波源产生的太赫兹波透过该碳纳米管结构后发射出去，其中，该碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的碳纳米管。
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