一种稀土氧化物增强钼合金的制备方法

    公开(公告)号:CN118497535A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410660714.9

    申请日:2024-05-27

    Abstract: 本发明公开了一种稀土氧化物增强钼合金的制备方法,制备氧化镧前驱体的悬浊液,将溶解后的四钼酸铵溶液与氧化镧前驱体的悬浊液充分混合,加热后氨水挥发,四钼酸铵溶解度大大降低,以加入的氧化镧悬浊液为核心析出,将加热后的产物进行干燥、球磨,得到氧化镧前驱体与钼酸铵的混合粉体,之后,经煅烧、还原、高温烧结得到钼合金粉体,该制备方法采用液液掺杂的方法将氧化镧与四钼酸铵进行混合,能够使二者混合的更加均匀,制备出的钼合金粉体更加细小,稀土第二相分布更加分散,提高钼合金的力学性能和再结晶温度,从而得到优质的钼合金材料。

    一种电极制作方法
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107895692B

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201711377311.X

    申请日:2017-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种电极制作方法,步骤如下:将球状铟粒压扁成鼓形,鼓形铟粒的厚度由所需电极的大小决定;将鼓形铟粒的凸起边缘切去,而后切出电极粗品;将电极粗品修剪成所需电极的尺寸,并保证裁剪过程铟片的一面不要接触其它任何物体;将裁剪好的铟片转移到样品表面,铟片干净面与样品相对,而后轻压即可使两者牢固粘在一起;重复步骤二至四,依次做好四个电极;而后将四根导线一端分别压入电极。本发明操作简单,制作成本低廉,制作快速且连接可靠,电极大小可方便控制,按上述步骤制作即可,对操作人员的要求较低。

    一种电极制作方法
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107895692A

    公开(公告)日:2018-04-10

    申请号:CN201711377311.X

    申请日:2017-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种电极制作方法,步骤如下:将球状铟粒压扁成鼓形,鼓形铟粒的厚度由所需电极的大小决定;将鼓形铟粒的凸起边缘切去,而后切出电极粗品;将电极粗品修剪成所需电极的尺寸,并保证裁剪过程铟片的一面不要接触其它任何物体;将裁剪好的铟片转移到样品表面,铟片干净面与样品相对,而后轻压即可使两者牢固粘在一起;重复步骤二至四,依次做好四个电极;而后将四根导线一端分别压入电极。本发明操作简单,制作成本低廉,制作快速且连接可靠,电极大小可方便控制,按上述步骤制作即可,对操作人员的要求较低。

    具有钙钛矿结构的未掺杂透明导电氧化物薄膜

    公开(公告)号:CN104831239B

    公开(公告)日:2017-07-11

    申请号:CN201510177538.4

    申请日:2015-04-09

    Inventor: 刘亲壮 李兵

    Abstract: 本发明公开了一种具有钙钛矿结构的未掺杂透明导电氧化物薄膜,按照1∶1取纯度大于99.5%的BaCO3和SnO2粉末;分别在1300℃和1400℃预烧,把预烧后的材料研磨压制成圆片,再经过煅烧,制备致密的BaSnO3陶瓷靶;放入脉冲激光沉积系统中,在MgO单晶基片上制备具有钙钛矿结构的未掺杂BaSnO3薄膜。本发明通过改变薄膜的制备氧压,提高外延薄膜生长质量,减少界面的缺陷进而提高其性能;在0.3Pa的氧压下利用脉冲激光沉积薄膜,其室温导电率为8.07×10‑4Ωcm,不仅可见光学透过率没有降低,且具有非常低电阻率,该新型透明导电氧化物薄膜和其在透明电子器件中的应用具有重要的意义。

    一种可调控球状CuO微纳米分级结构的制备方法

    公开(公告)号:CN105084410A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201510499727.3

    申请日:2015-08-15

    Abstract: 本发明公开了一种可调控球状CuO微纳米分级结构的制备方法,磁力搅拌,把铜源溶解在去离子水中形成蓝色透明溶液,然后在该溶液中缓慢滴加氨水溶液,形成溶液A;磁力搅拌,把可溶性盐溶解在去离子水中或直接以去离子水溶液形成清澈透明无色溶液B;磁力搅拌,把溶液B倒入溶液A形成混合溶液C;把溶液C置于密封容器中,恒温加热后,取出得到的黑色沉淀物,经去离子水和无水乙醇洗涤,得到黑色固体粉末,在真空干燥箱中,烘干至恒重即得。本发明制备的结构表面不含有机小分子,易于回收,纯度高,形貌好且均一,具有高活性的纳米效应,原料易得,成本低廉,反应温度低,无需添加表面活性剂,制备工序简单,适用工业化推广应用。

    一种面内多孔Ti3C2Tx薄片及其构建方法

    公开(公告)号:CN119911907A

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202510412362.X

    申请日:2025-04-03

    Abstract: 本发明属于碳化物二维材料技术领域,具体涉及一种面内多孔Ti3C2Tx薄片及其构建方法,本发明在Ti3C2Tx胶体溶液中引入Cu2+,通过Cu2+与水溶液中的溶解氧协同作用,将Ti3C2Tx薄片中的Ti2+或Ti3+催化氧化为TiO2,然后溶解产生的TiO2,在Ti3C2Tx薄片的面内留下均匀的孔隙,形成垂直与水平交织的离子传输通道。通过控制Cu2+与Ti3C2Tx胶体溶液的反应时间,来控制Ti3C2Tx薄片面内孔的大小和密度。本发明方法简单,条件温和,不仅有效解决了传统Ti3C2Tx材料在离子扩散和堆叠问题上的缺陷,而且具有较强的可扩展性和经济性。

    高活性可见光催化剂Ag/Cu2O分级结构微球制备方法

    公开(公告)号:CN105126868A

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201510499748.5

    申请日:2015-08-15

    Abstract: 本发明公开了一种高活性可见光催化剂Ag/Cu2O分级结构微球制备方法,包括以下步骤:准确称取三水合硝酸铜、硝酸银和聚乙烯吡咯烷酮,分散在装有乙二醇的容器中,在磁力搅拌的作用下充分溶解,形成清澈透明蓝色溶液;将得到溶液转移至高压反应釜中恒温加热,反应结束后自然冷却至室温;取出高压反应釜底部黑色沉淀产物,经去离子水和无水乙醇洗涤,将得到黑色固体粉末置于真空干燥箱中烘干至恒重即得。本发明采用简单绿色的溶剂热法,易于操作,不含杂质;原料易得、成本低廉,反应温度低,几乎无污染,产物易分离,纯度高,形貌均一,对甲基橙染料分子40min内达98%以上的降解效果,循环使用5次后保持降解率95%以上。

    具有钙钛矿结构的未掺杂透明导电氧化物薄膜

    公开(公告)号:CN104831239A

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201510177538.4

    申请日:2015-04-09

    Inventor: 刘亲壮 李兵

    Abstract: 本发明公开了一种具有钙钛矿结构的未掺杂透明导电氧化物薄膜,按照1∶1取纯度大于99.5%的BaCO3和SnO2粉末;分别在1300℃和1400℃预烧,把预烧后的材料研磨压制成圆片,再经过煅烧,制备致密的BaSnO3陶瓷靶;放入脉冲激光沉积系统中,在MgO单晶基片上制备具有钙钛矿结构的未掺杂BaSnO3薄膜。本发明通过改变薄膜的制备氧压,提高外延薄膜生长质量,减少界面的缺陷进而提高其性能;在0.3Pa的氧压下利用脉冲激光沉积薄膜,其室温导电率为8.07×10-4Ωcm,不仅可见光学透过率没有降低,且具有非常低电阻率,该新型透明导电氧化物薄膜和其在透明电子器件中的应用具有重要的意义。

    一种石墨烯高岭土复合纳米橡胶填料的制备方法

    公开(公告)号:CN103275524B

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201310218934.8

    申请日:2013-05-27

    Abstract: 本发明公开了一种石墨烯高岭土复合纳米橡胶填料的制备方法,步骤包括:一、高岭土预处理:将高岭土矿石原料粉碎颗粒处于1~100微米大小,然后利用化学插层法将高岭土颗粒剥离形成纳米级高岭土,利用复合球磨使纳米高岭土达到粒度均匀;二、高岭土改性:将步骤一制得的纳米高岭土使用偶联剂进行表面改性;三、制备石墨烯:将氧化石墨分散到去离子水中制成石墨烯分散液;四、制备石墨烯高岭土复合纳米橡胶填料。本发明材料性能可控,工艺流程简单,成本低,适于工业化规模生产,具有高导电、耐摩擦的特性,用本发明填料制成的橡胶制品具有优良的弹性、抗屈挠性、拉断伸长率、抗静电性和耐磨擦性能。

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