公开(公告)号：CN114592237A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210236803.1

申请日：2022-03-11

Applicant: 淮北师范大学

Inventor： 李兵 ,  王峰 ,  张永兴 ,  刘亲壮

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/22

Abstract: 本发明公开了一种外延薄膜的制备方法，将微结构及物理性能的调控由平面转向垂直，制备垂直构型外延薄膜。其中，公开了以La0.7Ba0.3MnO（LBMO）为母体，以ZnO做为第二相，利用脉冲激光沉积在单晶基片上制备垂直构型外延薄膜。本发明给出一种新型结构的外延薄膜，并公开了该新型外延薄膜的制备方法，将微结构及物理性能的调控由平面转向垂直，为基础物理的研究和材料应用开辟了新的途径。

公开(公告)号：CN107359237A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710629940.0

申请日：2017-07-28

Applicant: 淮北师范大学

Inventor： 李兵 ,  张永兴 ,  刘亲壮 ,  王峰

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624

CPC classification number: H01L43/10 ,  C04B35/50 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/624 ,  C04B2235/321 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/96 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种新型的钙钛矿锰基氧化物薄膜材料，钙钛矿锰基氧化物薄膜材料的化学通式为：La0.67(CaxBa1-x)0.33MnO3，其中Mn为金属锰，O为氧，钙钛矿锰基氧化物薄膜材料具有ABO3型钙钛矿晶体结构。该钙钛矿锰基氧化物薄膜材料在外加磁场下电阻变化显著，磁电阻较高，金属—绝缘转变温度及磁电阻最大值在230～270K温度范围内随成分变化连续可调，且本发明的薄膜材料具有良好的磁电性能。

公开(公告)号：CN207130364U

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201720965539.X

申请日：2017-08-03

Applicant: 淮北师范大学

Inventor： 李兵 ,  张永兴 ,  刘亲壮 ,  王峰

IPC: C30B19/00

Abstract: 本实用新型公开了液相外延薄膜制备装置技术领域的一种厚度可控的液相外延薄膜制备装置，包括外层炉和籽晶秆，所述外层炉的内腔中左右两侧均安装有加热装置，所述外层炉的内腔中安装有均热内炉，所述均热内炉的内腔底部安装有耐火座，所述耐火座的顶部安装有坩埚，所述均热内炉的内腔的左右两侧均安装有固定块，所述固定块的底部安装有液压缸，所述液压缸的底部安装有旋转座，右侧所述座体的右侧外壁和左侧所述座体的左侧外壁均安装有旋转电机，本实用新型通过增加限量装置，可以通过旋转均匀的把原料涂抹在限厚板上，使膜可以均匀制备，并可以避免因重力造成的影响和排除因原料量过多导致出现的误差，使膜的厚度更加直观的被控制。