公开(公告)号：CN104603909A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380046330.8

申请日：2013-07-31

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 永田贵章 ,  浜名康全 ,  中村公嗣

IPC: H01J43/00

CPC classification number: H01J43/18 ,  H01J43/28

Abstract: 在本发明所涉及的电子管(1)中，相对于绝缘性基板(12)的基体(14)的保持面(12a)形成具有电绝缘层以及导电层的层叠结构的电阻膜(15)。该电阻膜(15)通过使用原子层沉积法从而成为具有所希望的电阻值的牢固而且致密的膜，并且能够抑制由绝缘性材料构成的基板(14)的带电。由此，就能够稳定地确保耐电压特性。

公开(公告)号：CN102067264A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200880129779.X

申请日：2008-11-07

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 松井利和 ,  浜名康全 ,  中村公嗣 ,  石上喜浩 ,  小栗大二郎

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06

CPC classification number: H01J40/06 ,  H01J1/34 ,  H01J31/26

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。

公开(公告)号：CN105684122B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201480058539.0

申请日：2014-08-08

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 永田贵章 ,  浜名康全 ,  中村公嗣

IPC: H01J1/34 ,  H01J1/32 ,  H01J40/06 ,  H01J43/08 ,  H01J43/10

CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J1/32 ,  H01J40/06 ,  H01J43/08 ,  H01J43/10

Abstract: 透过型光电阴极(2)包括：光透过性基板(4)，其具有光入射的外侧面(4a)和出射从外侧面(4a)侧入射的光的内侧面(4b)；设置在光透过性基板(4)的内侧面(4b)侧、将从内侧面(4b)出射的光转换为光电子的光电转换层(5)；和设置在光透过性基板(4)和光电转换层(5)之间的由石墨烯构成的光透过性导电层(6)。

公开(公告)号：CN103887126B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201410085728.9

申请日：2008-11-07

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 松井利和 ,  浜名康全 ,  中村公嗣 ,  石上喜浩 ,  小栗大二郎

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  H01J31/26

CPC classification number: H01J40/06 ,  H01J1/34 ,  H01J31/26

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol%以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。

公开(公告)号：CN104603907B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201380046343.5

申请日：2013-07-31

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 浜名康全 ,  永田贵章 ,  中村公嗣

IPC: H01J5/10 ,  H01J29/88 ,  H01J31/50

CPC classification number: H01J29/86 ,  C23C16/45525 ,  H01J5/08 ,  H01J5/10 ,  H01J29/88 ,  H01J31/50 ,  H01J40/18

Abstract: 在本发明所涉及的电子管(1)中，具有电绝缘层以及导电层的层叠结构或者电绝缘材料以及导电材料的混合结构的电子膜(31)是以通过使用原子层沉积法从而覆盖第2外壳层12的内壁面以及外壁面的整体形式被形成的。通过使用原子层沉积法从而无须含有如粘合剂那样的材料就能够将具有所希望的电阻值的牢固而且致密的电阻膜(31)形成于绝缘面上。然后，通过使电阻膜(31)具有一点点导电性从而就能够抑制发生由于绝缘面的带电等引起的耐压不良，并且能够实现耐电压特性的稳定化。

公开(公告)号：CN102067264B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN200880129779.X

申请日：2008-11-07

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 松井利和 ,  浜名康全 ,  中村公嗣 ,  石上喜浩 ,  小栗大二郎

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06

CPC classification number: H01J40/06 ,  H01J1/34 ,  H01J31/26

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。