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公开(公告)号：CN103035768A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210585956.3
申请日：2012-12-28
Applicant: 浙江大学 , 镇江大成新能源有限公司
IPC: H01L31/048 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池组件，包括依次层叠的表层、第一粘结层、太阳能电池层、第二粘结层、背板层、第三层粘结层以及基层，所述的表层为乙烯-四氟乙烯共聚物（ETFE）层，采用ETFE薄膜，基层为轻质支撑材料。本发明用ETFE薄膜及轻质支撑材料取代了光伏玻璃，降低了整体组件的重量，有效改进了太阳电池组件表面散热性，同时，在优选方案中，使太阳电池组件具备可折叠特性，不但减少了包装运输成本，而且有望在日常生活中得到广泛应用。本发明还公开了一种太阳电池组件的制备方法，制备太阳电池组件使用的设备均为太阳电池企业生产所用通用设备，方法简单，易于实现工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN101767207A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910157001.6
申请日：2009-12-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种甲醛还原法制备二氧化硅/银花状核壳结构颗粒的方法，采用的是甲醛还原快速生长的成核-再长大两步生长工艺，包括以下步骤：1)制备表面吸附纳米银颗粒的亚微米二氧化硅球；2)将步骤1)中得到的二氧化硅球分散在水中，在氨水的催化作用下，用甲醛还原硝酸银，然后加入聚乙烯基吡咯烷酮的水溶液搅拌反应；3)将反应液离心清洗后分散到水中得到二氧化硅/银花状核壳结构颗粒的胶体溶液。本发明方法过程简单可控，产物单分散性好，且颗粒中银具有面心立方与密排六方共存的独特晶体结构，花状银核壳颗粒具有较大的比表面积和粗糙度，颗粒中存在大量的热点区域。
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公开(公告)号：CN101764182A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010039664.0
申请日：2010-01-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种增强非晶硅薄膜光吸收的方法，包括以下步骤：1)在清洗后的衬底上制备非晶硅薄膜；2)在非晶硅薄膜表面沉积一层银膜；3)表面沉积银膜的非晶硅薄膜经过热处理，得到银岛膜结构。本发明使用的设备与现行成熟工艺兼容，方法简单可控，制备出的银岛膜对非晶硅薄膜光吸收的增强方式简单，可用于增加非晶硅太阳电池转换效率，以及增强相关LED发光等方面。
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公开(公告)号：CN1258823C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200410018589.4
申请日：2004-05-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开的制备单分散硫化镉-二氧化硅核壳结构的方法，采用的是化学水浴沉积法，包括以下步骤：1)将粒径均匀的单分散二氧化硅球用超声振荡分散在去离子水溶液中，加入柠檬酸钠作络和剂，用醇胺作表面活性剂，并用氨水调节pH值至8～13，在50℃～90℃恒温磁力搅拌，然后加入氯化镉和硫脲，反应1～3个小时，得到硫化镉包裹二氧化硅球的核壳结构悬浮液；2)用去离子水和无水乙醇循环清洗，去除反应残余物，烘干，即可。本发明方法成本廉价，过程简单可控，制得的硫化镉-二氧化硅核壳结构粒径均一，无多余硫化镉颗粒和杂凝聚，可以被用作结构基元，制备具有独特光子带隙性能的三维光子晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1598080A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410053863.1
申请日：2004-08-17
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B15/36
Abstract: 本发明的生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法，步骤如下：选择间隙氧浓度在(3～30)×1017cm－3直拉硅单晶，先在350～1300℃温度范围热处理10分钟～60小时，然后，再将硅单晶切割加工成圆柱形或长方形籽晶；或者首先将间隙氧浓度在(3～30)×1017cm－3直拉硅单晶切割加工成圆柱形或长方形籽晶，然后，再在350～1300℃温度范围热处理10分钟～60小时。本发明方法简单易行，通过选择适当氧浓度的直拉硅单晶进行热处理，使得直拉硅单晶体内生成一定量的氧沉淀，这些氧沉淀可以增加硅单晶的机械强度。由此也就获得了高机械强度的籽晶，用于直拉硅单晶的生长，可有效提高直拉硅单晶生长的生产效率。
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公开(公告)号：CN1559911A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410016496.8
申请日：2004-02-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的制备单分散硫化镉空心球的方法，采用的是化学水浴沉积法，包括以下步骤：1)将粒径均匀的单分散二氧化硅球用超声振荡分散在去离子水溶液中，加入柠檬酸钠作络和剂，并用氨水调节pH值至8～13，在50℃～90℃恒温磁力搅拌，然后加入氯化镉和硫尿，反应1～2个小时，得到硫化镉包裹二氧化硅球的核壳结构；2)用稀释的氢氟酸腐蚀二氧化硅核心，得到空心的硫化镉球；3)用去离子水和无水乙醇采用离心沉积加超声分散循环清洗，去除反应残余物，烘干，得到单分散硫化镉空心球。本发明方法简单易行，制得的单分散硫化镉空心球可以被用作结构基元，制备具有高折射率反差和占空比大的、完全光子带隙的三维光子晶体。
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公开(公告)号：CN112921271B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110031291.0
申请日：2021-01-11
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/58 , H01L31/109 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种掺铒氧化镓薄膜及其制备方法和在发光领域的应用。该制备方法包括步骤：(1)在真空下，通入氩气和氧气混合气，利用磁控溅射方法对掺铒氧化镓靶材进行溅射或者对铒靶材和氧化镓靶材进行共溅射，在预溅射至挡板至少5min后再开始在加热的衬底上溅射沉积薄膜；(2)在氧气或氮气气氛下，对步骤(1)得到的薄膜进行300℃以上的高温热处理，在激活铒的同时使氧化镓晶化，之后自然降温，得到所述掺铒氧化镓薄膜。本发明制备工艺简单，工业兼容性好，在硅基集成光源或半导体发光、光通信等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113443631A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110647681.0
申请日：2021-06-10
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/027 , C01B33/113 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种利用双金属催化剂制备纤锌矿结构硅纳米线的方法，包括步骤：(1)以干净的硅片为衬底，采用真空热蒸发镀膜方法在衬底上蒸镀两种金属催化剂，形成厚度为2～10nm的双金属催化剂；两种金属催化剂为铝和金、铝和锡、或铝和铟；(2)惰性气体环境中，将步骤(1)蒸镀后的衬底加热至其上的双金属催化剂熔融产生液相，SiO蒸气在惰性气体的运输下在加热的衬底上持续反应沉积形成纤锌矿结构硅纳米线。本发明通过热蒸发低毒性的SiO得到了六方纤锌矿结构硅纳米线，简化了制备流程、降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN112410032A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011309850.1
申请日：2020-11-20
Applicant: 浙江大学
IPC: C09K11/79
Abstract: 本发明公开了一种基于颗粒间能量传递实现敏化发光的铒硅酸盐及其制备方法。该铒硅酸盐以纳米晶形式包裹于非晶氧化硅基质中，且分布在硅纳米晶近邻位置；通过硅纳米晶向铒硅酸盐纳米晶的颗粒间能量传递过程实现敏化发光。该制备方法包括：将不饱和硅氧烷、醇和去离子水混合均匀，随后加入含氯的铒盐溶液，加酸调节pH至3～6，水解得到粉红色均匀溶胶，再将所得溶胶旋涂于单晶硅片表面，待溶剂挥发完毕后，于惰性气氛下1050～1300℃热处理，在非晶氧化硅基质内部自发析出得到处于近邻位置的硅纳米晶和上述铒硅酸盐纳米晶；不饱和硅氧烷中的“不饱和”指硅原子上接有至少一个氢原子；溶胶中Er和Si的原子比为0.025～0.6:1。
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