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公开(公告)号：CN117894869A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410055845.4
申请日：2024-01-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种纳米线阵列器件及其制备方法，所述纳米线阵列器件由衬底、半导体纳米线阵列和金属纳米线组成。所述半导体纳米线阵列生长于衬底上，所述金属纳米线与半导体纳米线顶部区域或外壳相连接，与半导体纳米线形成肖特基接触，并形成金属纳米线网络。本发明所提出的纳米线阵列器件，克服了纳米线阵列器件制备困难、暗电流水平难以改善、探测效率低下的难题。其制备工艺简单、可重复、稳定性高，在光电器件、光伏器件、柔性器件、图像传感、医学成像、环境检测领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116682843B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310970945.5
申请日：2023-08-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提出一种纳米线发光器件及其制备方法，将至少包含一个发光区的纳米线集成于Si不能自组装形成异质的[100]纳米线的技术偏见，解决硅基集成纳米线发光阵列的技术瓶颈，使得单个芯片就可以实现图像显示。基于本发明形成的纳米线发光器件，无需巨量转移技术，无需额外的引线或焊点进行阵列与电路的连接，突破器件与电路集成问题的同时，还具有超高像素点、亮度高、对比度高、体积小、功耗低、独立驱动、利于便携式使用等优点。(100)衬底，形成高精度纳米线发光器件，克服了
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公开(公告)号：CN116682843A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310970945.5
申请日：2023-08-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提出一种纳米线发光器件及其制备方法，将至少包含一个发光区的纳米线集成于Si(100)衬底，形成高精度纳米线发光器件，克服了不能自组装形成异质的[100]纳米线的技术偏见，解决硅基集成纳米线发光阵列的技术瓶颈，使得单个芯片就可以实现图像显示。基于本发明形成的纳米线发光器件，无需巨量转移技术，无需额外的引线或焊点进行阵列与电路的连接，突破器件与电路集成问题的同时，还具有超高像素点、亮度高、对比度高、体积小、功耗低、独立驱动、利于便携式使用等优点。
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公开(公告)号：CN221125951U
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202322155713.2
申请日：2023-08-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本实用新型公开了一种多级分支纳米线发光器件，包括至少一个生长于CMOS器件的有源区或硅衬底上的树状结构纳米线，所述树状结构纳米线包括主干纳米线和连接在所述主干纳米线上的至少一个分支纳米线，所述分支纳米线含有多个发光区。解决像素颗粒小型化方面的技术瓶颈，使得单个芯片就可以减轻VR画面严重的颗粒感、栅格、亮度对比度不够高等严重影响画面真实感的问题。因此，采用本实用新型技术的半导体制造的显示设备具有超高像素密度、体积小、重量轻、功耗低、发光亮度高、便携性大、色温稳定、使用寿命长、全彩/单色均可实现等优点。
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