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公开(公告)号：CN116536650B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310511933.6
申请日：2023-05-05
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本申请涉及用于薄膜生长优化的薄膜生长界面优化方法，该方案包括以下步骤：S00、将衬底材料传至双电极等离子设备的腔室内，并控制在设定温度范围内，抽真空；S10、抽真空时，通入惰性气体；S20、往腔室通入H2和Ar并打开双电极等离子设备的远端射频电源；S30、开启双电极等离子设备底部的电级射频电源；S40、循环S20～S30步骤多次；S50、通过惰性气体载入前驱体源；S60、通过惰性气体吹扫腔室；S70、往腔室通入O2，并打开双电极等离子设备的远端射频电源；S80、通过惰性气体吹扫腔室；S90、循环S50～S80步骤直至薄膜达到目标厚度。可大幅减小表面缺陷，为后续原子层薄膜生长提供了良好界面基础。
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公开(公告)号：CN112071780A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010927821.5
申请日：2020-09-07
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种用于高温氧化工艺的应力施加装置,该装置包括基座、楔块以及单轴宽间距直筋压板、单轴窄间距直筋压板、双轴大直径圆筋压板、双轴小直径圆筋压板六个部分，基座内叠加单轴宽间距直筋压板、半导体基片、单轴窄间距直筋压板、楔块，构成单轴张/压应力施加装置；基座内叠加双轴大直径圆筋压板、半导体基片、双轴小直径圆筋压板、楔块，构成双轴张/压应力施加装置。本发明的装置既可以用于高温氧化环境，又可避免金属对器件的污染。
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公开(公告)号：CN115466932B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202211280686.5
申请日：2022-10-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开一种磁控溅射靶材快换结构和方法。包括靶枪、靶材、卡环、波形簧片、屏蔽罩和异形簧片，靶枪的背板外壳内设置靶材，靶材端面应均匀压紧贴在靶枪内端面，以便靶材冷却，靶材内端面为水冷盘；屏蔽罩套在靶枪的背板外壳的端口内，屏蔽罩靠近靶枪的端部和靶材之间设有卡环和波形簧片，屏蔽罩端部经波形簧片和卡环压接到靶材上；在屏蔽罩和靶枪的背板外壳的端口之外周围设有异形簧片，异形簧片固定于靶枪上，异形簧片向屏蔽罩延伸并越过屏蔽罩后设置有凸耳，凸耳径向朝向屏蔽罩中心延伸，屏蔽罩远离靶枪的端部顶接到凸耳上。本发明提出的靶材快换结构，可应用于磁控溅射设备靶材固定及类似结构需要紧固的位置，改进了设备使用过程中的弊端。
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公开(公告)号：CN108598232B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201810054953.4
申请日：2018-01-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，它包括蓝宝石图形衬底以及沉积于所述蓝宝石图形衬底上的三明治反射结构，所述三明治反射结构包括沉积于所述蓝宝石图形衬底上的第一Al2O3多层结构、沉积于所述第一Al2O3多层结构上的布拉格反射器以及沉积于所述布拉格反射器上的第二Al2O3多层结构。本发明不仅可以提高GaN基LED材料质量，而且可以提高GaN基LED的发光效率，具有非常重要的商业价值。
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公开(公告)号：CN116536650A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310511933.6
申请日：2023-05-05
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本申请涉及用于薄膜生长优化的薄膜生长界面优化方法，该方案包括以下步骤：S00、将衬底材料传至双电极等离子设备的腔室内，并控制在设定温度范围内，抽真空；S10、抽真空时，通入惰性气体；S20、往腔室通入H2和Ar并打开双电极等离子设备的远端射频电源；S30、开启双电极等离子设备底部的电级射频电源；S40、循环S20～S30步骤多次；S50、通过惰性气体载入前驱体源；S60、通过惰性气体吹扫腔室；S70、往腔室通入O2，并打开双电极等离子设备的远端射频电源；S80、通过惰性气体吹扫腔室；S90、循环S50～S80步骤直至薄膜达到目标厚度。可大幅减小表面缺陷，为后续原子层薄膜生长提供了良好界面基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116536647A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310508229.5
申请日：2023-05-05
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 本申请涉及实现低温高质量薄膜生长的薄膜及其沉积方法，该方案包括以下步骤：S00、将衬底材料传至双电极等离子设备的腔室内，并将温度控制在设定温度范围内，抽真空；S10、抽真空时，通入惰性气体；S20、通过惰性气体载入TMA源；S30、通过惰性气体吹扫腔室；S40、往腔室通入H2并打开远端射频；S50、开启双电极等离子设备的电级射频电源；S60、通过惰性气体吹扫腔室；S70、循环S20～S60步骤多次；S80、循环完毕后，往腔室通入O2；S90、通过惰性气体吹扫腔室；S100、循环S20～S90步骤直至薄膜达到目标厚度。有效减小了薄膜生长过程中产生的位阻效应和反应物残留问题。
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公开(公告)号：CN108365063A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810054451.1
申请日：2018-01-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种提高GaN基LED发光效率的外延结构，所述外延结构为由蓝宝石衬底、Al2O3缓冲层、低温GaN缓冲层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层依次层叠的层叠结构。本发明在蓝宝石衬底与低温GaN缓冲层之间具有Al2O3缓冲层，通过Al2O3缓冲层和低温GaN缓冲层的双层缓冲作用，提高GaN材料的晶体质量，从而提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN207818601U
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201820097245.4
申请日：2018-01-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本实用新型公开了一种具有双缓冲层的GaN基LED外延结构，所述外延结构为由蓝宝石衬底、Al2O3缓冲层、低温GaN缓冲层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层依次层叠的层叠结构。本实用新型在蓝宝石衬底与低温GaN缓冲层之间具有Al2O3缓冲层，通过Al2O3缓冲层和低温GaN缓冲层的双层缓冲作用，提高GaN材料的晶体质量，从而提高LED的发光效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207818602U
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201820097485.4
申请日：2018-01-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本实用新型公开了一种具有布拉格反射器的蓝宝石图形衬底结构，它包括蓝宝石图形衬底以及沉积于所述蓝宝石图形衬底上的三明治反射结构，所述三明治反射结构包括沉积于所述蓝宝石图形衬底上的第一Al2O3多层结构、沉积于所述第一Al2O3多层结构上的布拉格反射器以及沉积于所述布拉格反射器上的第二Al2O3多层结构。本实用新型不仅可以提高GaN基LED材料质量，而且可以提高GaN基LED的发光效率，具有非常重要的商业价值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN218580042U
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202222752612.9
申请日：2022-10-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本实用新型公开一种磁控溅射靶材快换结构。包括靶枪、靶材、卡环、波形簧片、屏蔽罩和异形簧片，靶枪的背板外壳内设置靶材，靶材端面应均匀压紧贴在靶枪内端面，以便靶材冷却，靶材内端面为水冷盘；屏蔽罩套在靶枪的背板外壳的端口内，屏蔽罩靠近靶枪的端部和靶材之间设有卡环和波形簧片，屏蔽罩端部经波形簧片和卡环压接到靶材上；在屏蔽罩和靶枪的背板外壳的端口之外周围设有异形簧片，异形簧片固定于靶枪上，异形簧片向屏蔽罩延伸并越过屏蔽罩后设置有凸耳，凸耳径向朝向屏蔽罩中心延伸，屏蔽罩远离靶枪的端部顶接到凸耳上。本实用新型提出的靶材快换结构，可应用于磁控溅射设备靶材固定及类似结构需要紧固的位置，改进了设备使用过程中的弊端。
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