公开(公告)号：CN117855322B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311461470.3

申请日：2023-11-06

Applicant: 济南大学

Inventor： 逄金波 ,  侯崇洋 ,  秦燕 ,  王凤雪 ,  刘瑞 ,  周伟家 ,  刘宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法，具体涉及光探测器技术领域，该制备方法的步骤包括：采用Si/SiO2作为材料生长的衬底并处理衬底，在Si/SiO2衬底上制备Pd薄膜，对得到的Pd薄膜进行硒化处理制备PdSe2薄膜，将Si/SiO2衬底用WO2.9溶液预埋，再进行硒化处理，制备大晶畴的WSe2，将制备的WSe2利用旋涂PMMA辅助法从Si/SiO2衬底上剥离。本发明将构建基于PdSe2/WSe2垂直范德华异质结器件的光电响应时间与本征PdSe2器件进行比较，响应速度得到极大提升，且在光电探测应用上具有优良特性。

公开(公告)号：CN116839768B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202310798721.0

申请日：2023-06-30

Applicant: 济南大学

Inventor： 逄金波 ,  侯崇洋 ,  刘瑞 ,  刘宏 ,  周伟家

IPC: G01L1/18 ,  G01L5/00

Abstract: 本发明涉及压阻式应力传感器技术领域，提出了基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，包括底座，所述底座的上方设置有二硒化钨层，所述二硒化钨层底部的左右两侧连接有电极，所述二硒化钨层的上方设置有陶瓷绝缘层，所述陶瓷绝缘层的顶部安装有承重层，所述承重层的左右两侧设置有第一导电片，所述承重层的中间安装有电源，所述电源的左右两侧连接有导电板，所述导电板远离所述电源的一侧与所述第一导电片相连，所述底座顶部的右侧固定连接有第一侧板。通过上述技术方案，解决了现有的现有的压阻式应力传感器不能够在不影响支撑效果的同时延伸顶部支撑范围，而且不能够在受到侧向力时分区域发出警报或者整体性发出警报的问题。

公开(公告)号：CN116913762A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310899535.6

申请日：2023-07-21

Applicant: 济南大学

Inventor： 逄金波 ,  杨嘉丽 ,  周伟家 ,  刘瑞 ,  刘宏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/388 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明涉及一种基于路易斯酸浓度实现PdSe2的p型掺杂定量方法，包括：在衬底上沉积一层Pd薄膜，然后在Ar/H2气氛下，在管式炉中对Pd薄膜进行后硒化处理形成PdSe2，即得沉积有PdSe2的衬底；配制不同浓度的SnCl4‑乙醇溶液，之后将沉积有PdSe2的衬底分别浸泡在不同SnCl4‑乙醇溶液中，浸泡后取出备用；将样品分别制成晶体管PdSe2，之后测试各晶体管PdSe2的阈值电压；将测得的阈值电压与SnCl4掺杂浓度之间进行线性拟合，得到阈值电压偏移与掺杂浓度的相关方程，利用相关方程反推即实现PdSe2的p型定量掺杂。同时本发明还涉及上述方法在晶体管中的应用。本发明为二维材料的可控掺杂提供了普适性的技术，为助力新一代信息技术所需要的新型p型材料及其电子元器件的发展提供重要基础。