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公开(公告)号：CN102602124A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210072377.9
申请日：2012-03-19
Applicant: 河海大学常州校区
Abstract: 本发明公开了一种制备易脱模纳米压印印章的方法，该方法的工艺步骤如下：a、利用低熔点的金属加工形成原始印章；b、将原始印章隔空倒置，对原始印章凸起部分的根部、中部和顶端分别采用数量逐渐增加的加热热源进行加热，使得印章凸起部分的顶端比根部尖；c、冷却定形后，得到该纳米压印印章。本发明工艺过程比较简单方便，而且有利于纳米压印时脱模。
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公开(公告)号：CN101613076A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910181533.3
申请日：2009-07-20
Applicant: 河海大学常州校区
Abstract: 本发明公开了一种基于UV－LIGA工艺和FIB刻蚀技术的三维微纳结构印章的制备及批量复制方法，首先用UV－LIGA工艺制备微米印章，然后用FIB设备对微米印章进行刻蚀制备微纳米图案，使离子束能量为1～60kV，刻蚀电流为1～100pA，点刻蚀时间为0.01～1ms，将所得三维微纳结构印章通过热压印或软刻蚀方法对聚合物实施纳米压印，热压印方法中的加热温度高于聚合物的玻璃转化温度10～100℃，所加压力为100～30kN，软刻蚀方法中的聚二甲基硅氧烷预聚体和固化剂的比例为9∶1～11∶1。本发明既能快速加工微米尺度图案，又能在其中继续加工纳米图案，从而在同一块印章上按需要制备不同长、宽、高的三维复杂微纳米图案，可批量制备耐受压力的金属印章，延长了印章的使用寿命。
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公开(公告)号：CN108880552B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201810729951.0
申请日：2018-07-05
Applicant: 河海大学常州校区
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明提供一种抗单粒子效应的SAR‑ADC，包括控制逻辑、加固的SAR算法模块、比较器、比较器副本、权电容数模转换器DAC、权电容数模转换器的复制DAC副本、时钟处理模块及数据处理模块。本发明对现有的抗单粒子效应的权电容式SAR‑ADC的设计进行改进，可以在具有更好的可靠性的基础上提高电路的面积及功耗，可应用于航空航天，医疗器械等具有较强辐射环境下的数据转化，通过对易受单粒子影响的电路结构进行冗余提高系统或器件工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN110340063B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910725058.5
申请日：2019-08-07
Applicant: 河海大学常州校区
Abstract: 本发明公开了一种多型号的轴承清洗功能的机械臂，包括底座，底座底端四角处分别固定安装有四个支腿，底座顶端一侧固定安装有清洗箱，清洗箱的一侧固定连接有出水管，出水管的一端伸入清洗箱内，出水管与清洗箱相通，出水管的另一端固定安装有第一阀门，底座顶端贴合设有旋转板，旋转板的侧壁上固定套接有齿环，旋转板顶端固定安装有蓄水箱，蓄水箱底端固定连接有进水管，进水管的一端伸入蓄水箱内并与蓄水箱相通，进水管另一端穿过旋转板和底座，进水管与底座旋转连接，进水管的穿出端上固定安装有第二阀门，底座底端固定连接有U形板，本装置通过更换不同大小的橡胶块套接在竖杆上，从而使不同规格的轴承可以在本装置内进行固定。
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公开(公告)号：CN108320767B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810145318.7
申请日：2018-02-12
Applicant: 河海大学常州校区
IPC: G11C7/24 , G11C11/4078 , G11C11/412
Abstract: 本发明旨在针对目前存在的软错误使组合逻辑电路的可靠性降低而现有解决软错误的方法带来的巨大功耗和面积消耗的问题，提供一种组合逻辑电路抗单粒子错误的选择性加固方法，包括步骤：拓扑排序处理；预先设置各输出端权重；计算错误传播概率：计算某一门产生错误传播到各输出端的错误传播概率一，错误传播概率一乘以相应的输出端权重得到错误传播概率二，取所有输出端得到的错误传播概率二中的最大值，即为所述门的错误传播概率；根据计算得到的各个门的错误传播概率，生成门错误传播概率排序表，根据需求的加固百分比选择相应数量的门进行加固，最后输出加固后的电路网表。本发明提高电路软错误可靠性的同时减小电路面积和功耗开销。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108091571A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711248380.0
申请日：2017-12-01
Applicant: 河海大学常州校区
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种减少晶体管制作步骤的方法，包括：步骤1：准备初始晶体管，作为复制的母版；步骤2:复制母版结构得到复制模具；步骤3：制备模压衬底，所述模压衬底从上至下依次设置胶体、多晶硅、氧化硅、硅和衬底；步骤4：将步骤3制备的模压衬底根据步骤2制得的复制模具进行模压得到胶体的三维结构；步骤5：通过反应离子刻蚀对胶体的三维结构进行图案转移；步骤6：去胶并掺杂得到晶体管。本发明提供的一种减少晶体管制作步骤的方法，使得现有技术下制备晶体管的步骤大幅度减少，有利于提高工艺效率，降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN104898371A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510355304.4
申请日：2015-06-25
Applicant: 河海大学常州校区
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米压印易脱模方法，该脱模方法的特点是不一次性直接将印章和胶体分开，而是提拉与下压结合分阶段进行，具体工艺步骤如下：a、将印章向上提拉印章腔体或凸起高度的三分之一；b、将印章下压，与胶体再次完全接触；c、将印章再次向上提拉印章腔体或凸起高度的三分之二；d、将印章下压，与胶体再次完全接触；e、将印章向上提拉直至完全脱模。本发明工艺过程比较简单方便，而且有利于纳米压印时脱模。
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公开(公告)号：CN102593192A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210072386.8
申请日：2012-03-19
Applicant: 河海大学常州校区
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种基于异向介质的光电器件抗反射层结构，该抗反射层由具有负介电常数和负磁导率的异向介质材料制成，且异向介质呈周期性排列结构。本发明使得光电器件具有更高的抗反射能力，能够提高光电器件的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN105871366B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610201862.X
申请日：2016-04-05
Applicant: 河海大学常州校区
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明公开一种抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的CMOS电平转换电路，其包括反相单元和抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元，反相单元包括信号输入端和信号输出端，信号输出端输出的信号反相于信号输入端输入的信号；抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元包括：四个PMOS管，可与上述四个PMOS管构成电平转换模块的四个NMOS管，以及可与上述四个PMOS管构成抗单粒子效应模块的四个NMOS管。亚阈值的初始信号经过反相器得到反相信号，将初始信号及其反相信号作为输入，经过电平转换单元能够实现从亚阈值到超阈值的电平转换，并且具有抗单粒子效应的效果。本发明可在传统电平转换器基础上进行改造，防止单粒子效应导致的输出错误。
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公开(公告)号：CN108717248A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810389448.5
申请日：2018-04-27
Applicant: 河海大学常州校区
Abstract: 本发明公开了一种制备高分辨率线条图案的新方法。包括以下步骤：(1)准备具有线条图案的弹性印章、及旋涂压印胶的压印衬底,所述线条图案的线条宽度和两相邻线条间的间隔尺寸一样；(2)通过沿所述图案的线条长度方向施加拉伸外力使得所述弹性印章上的图案的线条宽度变细，并固定所述弹性印章；(3)将所述弹性印章与所述旋涂压印胶的压印衬底在紫外压印机中接触，通过紫外光对压印胶进行固化；(4)将所述弹性印章与压印胶固化后的压印衬底分离，并进行后续图案转移。本发明的新方法特点是通过沿弹性印章上图案的线条长度方向施加拉伸外力使得弹性印章上图案的线条宽度变细，得到高分辨率线条图案，工艺简单、制备高分辨率线条图案成本低。
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