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公开(公告)号：CN114566578A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210326620.9
申请日：2022-03-30
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED外延片，包括在衬底上依次生长的氮化物缓冲层、氮化物过渡层、n型氮化物层、量子阱有源层、电子阻挡层、接触层；其中，电子阻挡层为BAlN阻挡层；量子阱有源层包括多个交替生长的AlGaN量子阱层/AlGaN量子垒层，及最后一层量子阱结构为AlGaN/BAlN。本发明利用BAIN阻挡层取代常规的p型AlGaN电子阻挡层，可以减小与量子阱的界面缺陷，规避高Al组分AlGaNEBL的p型掺杂问题。同时，为了进一步提升最后一个量子阱的波函数重叠率，在最后一层量子阱采用AlGaN/BAlN，提高了最后一层量子阱的波函数重叠率，量子阱有源区中的电子空穴波函数叠加，提高了深紫外LED量子阱区域的辐射复合效率，进而提高了深紫外LED的功率和效率。
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公开(公告)号：CN116936389A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310651057.7
申请日：2023-06-02
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供了缺陷诊断方法、电子设备、存储介质及程序产品，用于对外延片的缺陷进行诊断，所述方法包括：在所述外延片的制备过程中，分别在每个制备工序完成后对所述外延片进行第一检测，得到每个制备工序的第一检测数据；当制备完成的所述外延片不满足预设的合格条件时，根据每个制备工序的第一检测数据，得到每个制备工序的第一诊断结果，所述第一诊断结果用于指示是否存在第一缺陷；当至少一个制备工序的第一诊断结果指示存在第一缺陷时，向终端设备发送第一缺陷信息，所述第一缺陷信息至少包括存在第一缺陷的制备工序的标识。本申请可以迅速定位存在缺陷的制备工序，为后续的缺陷修复和工艺改进提供有价值的参考。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115132557A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202211062998.9
申请日：2022-08-31
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
IPC: H01J37/302 , H01J37/317
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种基于聚焦离子束的半导体加工方法、装置、设备及计算机可读存储介质，将二值图像输入生成器生成铣削后的SEM图像；将生成的SEM图像和实际铣削产生的SEM图像输入判别器，交替训练至模型稳定，损失函数收敛，得到训练完成的生成对抗网络，预测待加工图像对应的SEM图像。本发明还将离子束参数的颜色特征编码为图像特征信息作为附加信息引入条件生成对抗网络，以预测不同离子束参数下铣削的SEM图像。且本发明在模型训练时，不仅引入极小极大值博弈，考虑图像之间的损失差值，还考虑到图像在编码过程中的特征向量之间的损失差值，得到满足约束的生成器，避免生成器中的噪音影响，提高鲁棒性。
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公开(公告)号：CN219457574U
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202320643492.0
申请日：2023-03-28
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/68
Abstract: 本实用新型属于晶圆对准器技术领域，公开了一种晶圆对准器夹具，包括校准座、伸缩套和伸缩机组，所述伸缩套的根部与校准座固定连接，所述伸缩机组固定连接在伸缩套的内部，所述校准座的一端转动连接有匹配座，所述伸缩套伸缩至不同位置时，匹配不同尺寸的夹持面，所述校准座包括座体、限位螺纹杆、螺母齿轮、齿轮和电机，所述限位螺纹杆滑动贯穿座体，所述螺母齿轮活动嵌在座体内，所述螺母齿轮螺纹安装在限位螺纹杆的外部，所述齿轮与螺母齿轮相互啮合。本实用新型当晶圆尺寸偏大时，通过伸缩机组带动伸缩套收缩，用来匹配晶圆的边缘，反之通过伸缩机组伸长匹配晶圆的边缘，利用匹配座增加校准座与不同晶圆的圆周匹配度。
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公开(公告)号：CN217544638U
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202220718660.3
申请日：2022-03-30
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种LED电子阻挡层、LED外延片及半导体器件，位于量子阱有源层和接触层之间，包括BAlN阻挡层，BAlN阻挡层包括：BAlN粗化层，BAlN粗化层至少包括第一粗化结构；BAlN非粗化层，BAlN粗化层位于量子阱有源层和BAlN非粗化层之间。本实用新型的LED电子阻挡层利用BAIN阻挡层取代常规的p型AlGaN电子阻挡层，可以减小与量子阱的界面缺陷，规避高Al组分AlGaN EBL的p型掺杂问题。同时，通过在BAIN阻挡层下方粗化形成BAIN粗化层，可以实现对有源区电子的储藏，进一步减小有源区电子的溢出问题，进而增加发光强度，提高深紫外LED的功率和效率。
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公开(公告)号：CN218548473U
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202223001372.5
申请日：2022-11-11
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种照明通信双用发光器件，包括衬底、芯片组件和电感线圈，衬底上间隔设置有器件正电极和器件负电极，芯片组件包括至少两个从内到外依次环绕设置在所述衬底上的环形发光单元，相邻两个环形发光单元之间并联，电感线圈呈呈围绕在芯片组件外周的多圈结构，电感线圈的外圈高于相邻的内圈，芯片组件位于电感线圈的内圈所围成的区域内。该照明通信双用发光器件采用多个环形发光单元环绕布置，增加了出光的均匀性和电子空穴的复合效率，环形发光单元并联列阵后在外围增加电感线圈可以补偿抗阻，抑制信号衰减，电感线圈的形状设计可以反射光线，提高垂直方向的发光亮度和信号传输性能。
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公开(公告)号：CN218548438U
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202223001375.9
申请日：2022-11-11
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/62 , H01L23/64
Abstract: 本实用新型公开了发光器件，至少包括芯片组件和电感线圈，芯片组件包括多个LED发光单元，多个LED发光单元共用衬底，衬底上设置有阵列正电极和阵列负电极，在芯片组件中，一个LED发光单元的单元正电极电连接另一个LED发光单元的单元负电极，以使多个所述LED发光单元串联，电感线圈设置在所述衬底上，且电感线圈围绕在芯片组件的外周，在衬底的厚度方向上，电感线圈的外圈高于相邻的内圈并呈螺旋上升结构。该发光器件通过多个LED发光单元串联可减少电容、增加光强，进而提高通信性能；电感线圈设置在芯片组件的外周，在抑制信号衰减的同时，通过对侧壁出光的反射作用能提高出光效率，提高垂直方向的发光亮度和信号传输性能。
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