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公开(公告)号：CN112563119B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202011577791.6
申请日：2020-12-28
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种大斜切角异质衬底‑氮化镓复合结构及其生长方法。所述方法包括：在大斜切角异质衬底的台阶内生长形成岛状的氮化镓缓冲层；在所述大斜切角异质衬底上生长形成二维氮化镓层，并使所述二维氮化镓层填满大斜切角异质衬底上的台阶；在所述二维氮化镓层上生长形成三维岛状氮化镓层；进行三维岛状氮化镓层的合并和氮化镓材料的生长。本发明提供的方法，采用新型“缓冲层‑二维‑三维之底层结构”的异质外延生长方法，克服了大斜切角带来的生长形貌难以平整的技术问题，从而可以发挥大斜切角衬底的外延膜优势特点。
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公开(公告)号：CN119069340A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310652436.8
申请日：2023-06-02
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种外延片及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)在衬底上生长缓冲层；(2)在所述缓冲层上生长复合层，其中，所述复合层包括依次层叠设置的至少两层粗化层，至少一层所述粗化层采用变温生长的方式；(3)在所述复合层上生长外延层。本发明通过对粗化层的生长工艺进行优化，一方面，在保证粗化层以3D成核中心的方式生长的基础上，提高了外延层的侧向外延生长过程，进而增强了生长过程中位错转向湮灭，另一方面，平衡了复合层纵向生长和横向生长的分布，提供了具有3D分布的趋于平整的表面，保证了外延层的光滑表面，同时降低了外延层的表面缺陷，提高了外延层的晶体质量。
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公开(公告)号：CN119050219A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411533592.3
申请日：2024-10-31
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有全包式DBR结构的微型发光二极管的制备方法，包括如下步骤：制备本体；所述本体的顶部覆盖顶部膜层，所述本体的侧部覆盖侧部膜层；其中，所述侧部膜层覆盖所述顶部膜层的侧面和/或所述顶部膜层覆盖所述侧部膜层的顶面；所述顶部膜层和侧部膜层均由第一介质薄膜层和第二介质薄膜层交替沉积得到；制备所述顶部膜层和侧部膜层：确定第一介质薄膜层和第二介质薄膜层的材质、初始单层厚度以及顶部膜层和侧部膜层的初始层数；对初始单层厚度以及初始层数进行优化，并得到最优单层厚度以及层数；根据最优单层厚度以及层数在所述本体上进行镀膜，得到所述具有全包式DBR结构的微型发光二极管。
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公开(公告)号：CN119045272A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411523691.3
申请日：2024-10-30
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种掩模板的设计方法和微型发光二极管的制备方法，其中，设计方法包括如下步骤：建立仿真模型，所述仿真模型包括微型发光二极管的GaN外延片以及位于所述GaN外延片上方的保护层、光刻胶层和掩模板；所述掩模板包括基体层和位于所述基体层上的遮光层；设定仿真条件，包括用于曝光光源的波长、仿真模型中各结构层的厚度和遮光层的图案结构；基于仿真模型和仿真条件进行仿真模拟，得到曝光时经过掩膜板后光刻胶层接收到的光场分布；改变遮光层的图案结构，重复仿真模拟，并重新得到光场分布；根据效果确定最优光场分布对应的遮光层的图案结构；所述图案结构包括主体单元以及位于所述主体单元一个或多个边角处的辅助单元。
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公开(公告)号：CN114242860B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202111618418.5
申请日：2021-12-27
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，LED芯片的制备方法，包括：提供基底；提供基底；形成外延结构及退火层；外延结构位于所述基底的上表面，退火层位于外延结构的上表面，退火层暴露出外延结构；于退火层的上表面及暴露出的外延结构上形成第一电极，退火层在退火处理时向外延结构内注入电子，以提高外延结构内的空穴浓度，从而改善电子和空穴分布不均匀，避免因电子浓度高、迁移快导致电子溢散至外延结构中的问题，提高空穴的离化效率和辐射复合效率，改善大电流下效率骤降效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118983378A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411072800.4
申请日：2024-08-06
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种外延片及其制备方法，外延片包括依次层叠设置的基底、复合硅铝氮缓冲层以及外延层，复合硅铝氮缓冲层自基底表面向外包括：周期性设置的SiN图形结构层和扩散层；扩散层包括层叠设置的铝硅氮扩散层和硅铝氮扩散层；铝硅氮扩散层和硅铝氮扩散层的界面处形成非均匀相互扩散区，非均匀相互扩散区包括SiN扩散微结构与AlN扩散微结构。本发明提供的外延片能够降低外延片内部应力，提高外延层的晶体质量，改善光电器件性能，提高光电产品良率，节约生产成本。
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公开(公告)号：CN118742170A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410807775.3
申请日：2024-06-21
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
IPC: H10K71/40 , H10K71/00 , H10K50/115 , H10K50/125
Abstract: 本发明公开了一种全彩量子点发光二极管及其制备方法。制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧制备电子提供层；在电子提供层背离衬底的一侧制备第一颜色量子阱层，第一颜色量子阱层为含In量子阱层；对第一颜色量子阱层进行高温退火，以使部分区域的第一颜色量子阱层中In解析附形成多个孔洞；向孔洞内转移第二颜色量子点；在第一颜色量子阱层背离电子提供层的一侧制备空穴提供层。通过上述方案，可直接原位在第一颜色量子阱层中制备出用于容纳第二颜色量子点的孔洞，从而简化器件制备流程、降低制备难度。通过In解析附形成的孔洞尺寸较小，有利于增加孔洞排布密度，实现量子点的高密度集成，实现高质量的全彩显示。
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公开(公告)号：CN118398733A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410671798.6
申请日：2024-05-28
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了发光二极管技术领域的一种三色Micro‑LED器件及其制作方法，该三色Micro‑LED器件包括：衬底、n型GaN层、掩膜层、n型GaN纳米以及包覆层，每个n型GaN纳米柱设置在一个掩膜层的窗口内并背向衬底延伸；包覆层包括：量子阱层、电子阻挡层与p型GaN层，量子阱层设置在n型GaN纳米柱的外表面；其中，量子阱层包括相互隔离的Ga面、N面和m/a面，从Ga面、N面和m/a面出射的光具有不同的波长；电子阻挡层设置在量子阱层的外表面；p型GaN层设置在电子阻挡层的外表面。本发明获得具有多个LED发光结构的三色Micro‑LED器件，每个LED发光结构具有三个相互隔离的p型区，使得能够调控每一个p型区p型电极的电流密度，以辅助实现调节不同波长光的亮度、灰度，并能够保证器件性能。
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公开(公告)号：CN118198217A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211593185.2
申请日：2022-12-13
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化物外延片及其制备方法，能够提高外延层晶体质量。所述氮化物外延片的制备方法，包括如下步骤：提供衬底；在衬底上周期性重复循环交替生长的氮化物前插入层和氮化物后插入层；继续生长氮化物隔离层；继续生长氮化物外延层；所述生长氮化物前插入层和氮化物后插入层步骤进一步包括：在H2氛围下，通入金属源和N源，生长氮化物前插入层；在N2氛围下，将金属源和N源流量比设置为递增，生长N空位富集的氮化物后插入层；在H2氛围下，通入金属源和N源，生长氮化物隔离层。本发明克服了直接在外延生长，尤其是同质衬底外延生长时因衬底表面大量的损伤及缺陷造成的衬底附近的外延层晶体质量较差的问题。
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公开(公告)号：CN118173679A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211584801.8
申请日：2022-12-09
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化物外延片及其制备方法和半导体器件，所述氮化物外延片包括：衬底；设置于衬底上的复合缓冲层；所述复合缓冲层包括靠近衬底周期性依次交替设置的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层包括靠近衬底依次设置的第一SiNx层、MgNx层和第二SiNx层；所述第二子层为SiO2层；所述第三子层为氮化物层。所述氮化物外延片通过设置复合缓冲层，解决了光线在蓝宝石衬底和氮化物外延层之间的全反射的问题，同时在外延片生长过程中不易变形性能稳定，不会出现团聚形变，提高了外延片的产品一致性，适合规模化生产。
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