-
公开(公告)号：CN118082157A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410422180.6
申请日：2024-04-09
Applicant: 江苏科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全电动抱臂式中空吹塑成型设备；属于中空吹塑技术领域，包括机架、挤出装置、开合模装置、切刀装置、抬模头装置、夹取装置、吹针装置、去飞边装置及飞边收集箱；与传统液压吹塑机相比，全电动吹塑机具有更高的效率、更低的能耗和更好的环境友好性；随着人们对环境保护意识的增强和对能源消耗的关注，对吹塑机的技术要求也在不断提高。全电动吹塑机正是应对这一需求而出现的新技术；其采用电动驱动系统替代了传统的液压驱动系统，无需频繁更换液压油、维护液压系统，减少了维护成本和停机时间，而电动驱动系统具有高速响应、高精度控制和能量回收等特点，能够实现更高的生产效率和更低的能源消耗。
-
公开(公告)号：CN117218388A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310929536.0
申请日：2023-07-26
Applicant: 江苏科技大学
Abstract: 本发明公开了一种融合注意力机制的模板匹配方法，包括以下步骤：采集一个批次工件的图像作为模板图像存入数据库；采集该批次工件中任意一件未知工件的图像作为待识别图像；抽取数据库中的一张模板图像与待识别图像组成一对匹配图像，根据匹配图像建立两组对应的图像金字塔；对两组图像金字塔中顶层图像通过SIFT算法和ORB算法进行特征匹配；对中两组图像金字塔中两两对应层图像逐层进行融合注意力机制的模板匹配，并对模板匹配结果进行对比校验；对数据库中剩余未匹配的模板图像循环执行前序步骤，直至所有模板图像全部匹配完成；对比输出模板匹配结果；采用上述方案，可以提高处理相似工件图像时的准确性和鲁棒性，减少了计算量。
-
公开(公告)号：CN116030011A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310011505.7
申请日：2023-01-05
Applicant: 江苏科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钣金件支撑面的自动化识别方法，针对当前数字孪生及智能制造的相关需求，对于不规则的模型需要根据虚实结合方式确定其最佳摆放位置，该识别方法利用相关算法以及相应的渲染程序，根据给定的模型文件，对模型文件所含的三角网格顶点数据进行分类提取；根据顶点数据，依照质心计算公式得到模型的质心；利用轴对齐最小包围盒确定了几个待定的支撑面；利用点到面的距离计算公式，求得质心点距离待定面的距离，获取最短距离，以几个待定面摆放质心点均在该面的投影内；确定最短距离对应的支撑面，将模型文件及其最佳摆放位置进行展示。按照本发明的识别方法，能够高效的判断出钣金件的稳定摆放姿态，自动化程度较高。
-
公开(公告)号：CN119800493A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510300974.X
申请日：2025-03-14
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司 , 江苏科技大学
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚及其使用方法，涉及人工晶体生长技术领域。该大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚包括坩埚本体、长晶罩和备料仓。长晶罩罩设于坩埚本体上，长晶罩的内顶面设置有长晶台，长晶罩设置有翼板，翼板活动设置于备料仓和坩埚本体之间，备料仓的底部开设有出料口，翼板开设有过料口，出料口与过料口错位设置，长晶罩用于带动翼板运动至预设位置，以使过料口与出料口连通。与现有技术相比，本发明提供的大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚由于采用了开设于翼板上的过料口以及开设于备料仓底部的出料口，所以能够在碳化硅单晶生长过程中进行补料，以增大碳化硅多晶粉料的升华量，实现大尺寸碳化硅单晶生长，满足客户需求。
-
公开(公告)号：CN116551460B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202310568759.9
申请日：2023-05-19
Applicant: 江苏科技大学
IPC: B23Q15/22
Abstract: 本发明公开一种叶轮五轴四联动端铣加工方法，在每相邻的两个刀路轨迹点之间插入两个插值点，从第一个刀路轨迹点移动到第一个插值点时，第一个插值点的B轴旋转角度与第一个刀路轨迹点的B轴旋转角度保持不变，A轴需旋转至两个刀路轨迹点旋转角度差值的1/2的位置；从第一个插值点点移动到第二个插值点时，第一个插值点与第二个插值点的A轴旋转角度保持不变，B轴需旋转到所述的第二个刀路轨迹点的旋转角度值；从第二个插值点移动到第二个刀路轨迹点时，第二个插值点与第二个刀路轨迹点的B轴旋转角度保持不变，A轴需旋转到第二个刀路轨迹点的旋转角度值，插值时将一个旋转轴保持不变，另一个旋转轴旋转，完全代替五轴五联动端铣加工。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118822989A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410912249.3
申请日：2024-07-09
Applicant: 江苏科技大学
IPC: G06T7/00 , G06V20/70 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/80 , G06V10/766 , G06N3/0464 , G06N3/0455 , G06N3/084
Abstract: 本发明提出了一种基于RT‑DETR检测器的PCB表面缺陷检测方法，包括以下步骤S1、采集PCB缺陷图像，对PCB缺陷图像进行预处理，标注PCB缺陷图像信息中的缺陷类别，并构建PCB缺陷检测数据集；S2、构建由改进的骨干网络、改进的混合编码器和带辅助预测头的变压器解码器组成的初始缺陷检测模型；S3、构建最终的目标损失函数训练初始缺陷检测模型，以获取优化的缺陷检测模型；S4、根据PCB缺陷检测数据集和优化的缺陷检测模型，获取缺陷检测结果。本发明的方法不仅能够考虑小目标缺陷检测，还能对复杂背景进行有效抑制，建立了快速、精确的缺陷检测模型，对PCB质量决策具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN117584448A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311574159.X
申请日：2023-11-23
Applicant: 江苏科技大学
IPC: B29C64/209 , B29C64/393 , B29C64/227 , B29C64/386 , B29C64/118 , B33Y30/00 , B33Y50/00 , B33Y50/02 , B33Y10/00
Abstract: 本发明公开一种用于3D打印过程监控的集成打印喷头装置及打印方法，将相机和打印喷头集成到一起，启动舵机一调整打印喷头和相机之间的相对位置，启动舵机二将相机旋转到其拍摄的角度为打印喷头的喷嘴方向；相机拍摄打印过程中打印丝的状态和特征，将拍摄的图像进行降噪处理后上传至计算机，获得打印丝的实际宽度；将实际宽度和打印丝宽度预期范围作比较，超过预期范围时，调整打印过程中的参数，确保实际宽度恢复到预期值范围的范围内；通过滑块的位移来实现打印喷头与相机的相对移动，既能控制相机与打印喷头之间的相对位置，也能控制其间的相对角度，控制相机的拍摄角度以便于更好的采集图片，操作容易且控制精度高，提高打印效率和准确性。
-
公开(公告)号：CN116277945A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310074248.1
申请日：2023-02-07
Applicant: 江苏科技大学
IPC: B29C64/209 , B29C64/20 , B33Y30/00
Abstract: 本发明公开一种3D打印机喷头的柔性快换装置及方法，包括打印机移动机构、打印头抓取器、打印头连接件、打印头存放模组以及支架，打印头存放模组由多个沿横向分列式布置于支架上的打印头存放件组成，打印头抓取器位于打印头固定模组的对面且固定连接于打印机移动机构，在打印头固定器和抓取器连接板上设置有互为90°的腰型孔，与十字形销轴配合，十字形销轴旋转时，分别锁紧打印头固定器和抓取器，实现打印头固定模组与打印头抓取器对打印头连接件的一方锁紧另一方释放，使得十字形轴销在一次动作时同时完成打印头的安装和拆卸，通过在支架上安装不同数量和类型的打印头，实现一台打印机能够完成不同类型的打印任务，提升打印效率。
-
公开(公告)号：CN115880371A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211594297.X
申请日：2022-12-13
Applicant: 江苏科技大学
IPC: G06T7/80 , G06T7/187 , G06V10/25 , G06V10/762
Abstract: 本发明公开了一种红外视角下反光靶标中心定位方法，步骤如下：通过分析红外视角下反光靶标的成像特征，提出一种基于ROI粗定位的K‑means分割的靶标分割方法；通过模拟靶标光斑中心提取实验，提出改进高斯拟合法对K‑means分割后的光斑中心的提取精度要优于灰度质心法，且在其有一定遮挡情况下仍具有较好的精度；在对各红外相机完成标定、确定待观测空间内的世界坐标后，通过多红外相机完成对大范围空间内靶标的定位。本发明所述的红外视角下反光靶标中心定位方法能够较好的去除红外LED灯补照背景物体的影响，有利于靶标图像的分割及中心提取，能够有效保留靶标光斑的完整性，并且在室内红外视角下具有更高的精准度和稳定性。
-
公开(公告)号：CN119843355A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510315478.1
申请日：2025-03-18
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司 , 江苏科技大学
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种能定量加料的碳化硅生长炉和碳化硅生长方法，包括炉体和坩埚，坩埚顶部设置籽晶安装部，还包括定量加料装置，定量加料装置包括加料罐、螺旋送料装置、加料输送管道；坩埚的下部开设补料管道，补料管道由下而上的依次从炉体底部、坩埚底部延伸至坩埚内部，补料管道与坩埚内壁之间形成原料仓；加料输送管道的上部设置在补料管道内且延伸至原料仓所在高度的上方并与原料仓连通，以进行补料。本发明能在晶体生长过程中连续加料，不仅可以增加晶体生长的厚度，又可以提高晶体的内部质量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.089 seconds)
