一种高速低功耗自关断位线灵敏放大器

    公开(公告)号:CN102592650A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210035924.6

    申请日:2012-02-17

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 一种高速低功耗自关断位线灵敏放大器,包括预充电模块、平衡电路模块、使能电路模块、交叉耦合反相器模块、输入电路模块、自关断位线模块,本发明采用输入输出分离结构,与传统的共用输入输出结构灵敏放大器相比,避免了在检测信号期间,输出端电容对位线进行放电,大大降低了位线间形成额定电压差的时间,减小了灵敏放大器的延时,提高了灵敏放大器的反应速度;另外,预充电操作采用将灵敏放大器的两输出端通过预充管放电到“0”,与传统灵敏放大器预充电操作是将输出端预充到VDD相比,节约了预充电功耗,从而降低了灵敏放大器的总功耗。

    一种低功耗、高可靠性的抗辐照D触发器

    公开(公告)号:CN119945386A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202510058132.8

    申请日:2025-01-14

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本申请涉及一种低功耗、高可靠性的抗辐照D触发器。该抗辐照D触发器包括:钟控输入模块用于提供时钟信号;数据输入模块用于采用两条相互独立、延时不同的传输路径将输入信号转换为差分输入;主级锁存模块用于对差分输入采用交叉耦合的互锁结构进行处理,主从传输控制模块用于将主级输出信号转换成第一差分信号,从级锁存模块用于对第一差分信号采用交叉耦合的互锁结构进行处理,数据输出模块用于通过两条相互独立延时不同的输出传输路径对从级输出信号进行转换,并通过时钟控制输出锁存信号。在主级和从级锁存模块中采用差分信号作为输入,提高了抗SETs和SEU性能,同时采用交叉耦合的互锁结构,提高了工作速度和频率,大幅降低了功耗。

    一种抗辐照的电平转换电路

    公开(公告)号:CN119449005B

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510043677.1

    申请日:2025-01-10

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本申请涉及一种抗辐照的电平转换电路。所述电路包括基于DICE结构的电平转换电路和抗辐照加固电路;基于DICE结构的电平转换电路用于采用冗余控制节点实现电平转换;包括:输入模块和DICE模块,DICE模块包括四个由1个PMOS晶体管和1个NMOS管串联组成的支路;每个支路中PMOS晶体管和NMOS晶体管的漏极连接作为一个控制节点;输入模块用于通过传输管来控制MOS开关传输差分输入信号至DICE模块;抗辐照加固电路用于通过交叉耦合结构对第二和第三支路的控制节点进行反馈调节。该电路可以完成超低电压到高电压的电平切换,提高电平转换器的抗辐照性,可以抵抗恶劣环境,同时降低了功耗和延迟。

    一种高可靠的对称型电荷泵
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119401823A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411674951.7

    申请日:2024-11-21

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本申请涉及一种高可靠的对称型电荷泵电路。所述高可靠的对称型电荷泵电路采用两条CTS电荷泵支路并联,构成对称结构的电荷泵,两个并联电荷泵电路各项参数相同,第一条CTS电荷泵支路的时钟与第二条CTS电荷泵支路的时钟相位相反。工作在稳态时,电路中所有晶体管的偏置电压不会超过VDD,晶体管的最大偏置电压减小一半,解决了电荷泵电路的偏置电压过大的问题,电路的可靠性得到提升。

    边缘计算中卸载任务的卸载方法、系统、介质及电子终端

    公开(公告)号:CN114880044B

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202210483052.3

    申请日:2022-05-05

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明提供一种边缘计算中卸载任务的卸载方法、系统、介质及电子终端,所述方法包括:基于移动区块链,构建网络卸载模型;确定卸载任务的卸载比例配置;确定卸载任务的上传卸载策略;根据卸载比例配置和上传卸载策略,通过网络卸载模型对卸载任务进行卸载;构建卸载任务的效用函数,并优化效用函数,以提高卸载任务的卸载效率。基于移动区块链构建网络卸载模型,并通过该网络卸载模型对卸载任务进行卸载,将移动区块链应用于移动边缘计算的卸载任务处理中,可有效调用周边空闲设备进行协作卸载形成计算分流,提高了卸载任务的卸载效率和周边空闲设备的资源利用率;构建卸载任务的效用函数,并优化效用函数,进一步提高了卸载任务的卸载效率。

    一种脓毒症凝血病数据的处理方法、系统、设备及介质

    公开(公告)号:CN116759101A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310645202.0

    申请日:2023-05-31

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明提供一种脓毒症凝血病数据的处理方法、系统、设备及介质,涉及医学数据分析技术领域,所述处理方法包括:获取脓毒症凝血病患者历史数据;对所述脓毒症凝血病患者历史数据进行特征筛选处理,以生成样本数据集;对所述样本数据集进行多次重采样和统计处理,以构建基于高斯贝叶斯网络的预测模型;以及获取当前患者的指标数据,并将所述指标数据输入至所述预测模型进行预测,以生成所述当前患者的死亡率。本发明可提高对脓毒症凝血病患者在不同时期的死亡率的预测准确度。

    一种网络数据路由的方法及网络节点

    公开(公告)号:CN103338490B

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201310211616.9

    申请日:2013-05-30

    Applicant: 安徽大学

    CPC classification number: Y02D70/30

    Abstract: 本发明公开了一种网络数据路由的方法,其中,该方法包括:节点A比较发送当前消息至目的节点E的最高效用值maximum_utility_value,与潜在中转节点B发送当前消息至目的节点E的效用值PB,E之间的大小;若maximum_utility_value<PB,E,则所述节点A将该消息发送至节点B,并更新最高效用值:maximum_utility_value'=PB,E×K,K>1;其中,K为递增系数;所述节点B接收到该消息后利用所述PB,E进行该消息的转发判断,且所述节点A利用更新后的最高效用值进行该消息的转发判断。通过采用本发明公开的方法,自适应的提高转发的门槛,减少数据中转次数,降低节点能耗。

    一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制系统

    公开(公告)号:CN102664041B

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201210158560.0

    申请日:2012-05-22

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制系统,包括BIST模块、控制单元以及含有可编程时序控制模块的SRAM模块,其特征是:可编程时序控制模块设有可编程读、写时序控制电路、字线WLL负载复制单元以及读、写位线负载复制单元,可编程读、写时序控制电路的输入为控制单元输出的读、写控制信号,可编程读、写时序控制电路的输出分别连接字线负载复制单元及读、写位线负载复制单元的输入,可编程读、写时序控制电路还输出Rref信号连接灵敏放大器时序控制电路的使能端,二级译码及字线驱动电路中字线WLL驱动复制单元的输出连接可编程读、写时序控制电路的时序端。

    一种单端操作的亚阈值存储单元电路

    公开(公告)号:CN102592660B

    公开(公告)日:2014-08-27

    申请号:CN201210036104.9

    申请日:2012-02-17

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 一种单端操作的亚阈值存储单元电路,设有两个PMOS管P1、P2及七个NMOS管N1~N7,P1及P2的体端均分别与各自的源级连接后与电源电压Vdd连接,七个NMOS管N1~N7的体端以及N1、N2、N7的源极均接地,N3的栅极与行写控制信号RWR连接,N4的栅极与列写控制信号CWR连接,N2与P2组成一个反相器,其输出端连接到N2和P2的栅极,其输入端连接到P1的漏极,N5的栅极与读字线RWL连接,N5的漏极与读位线RBL连接,N6的源级与写位线WBL连接,N6的栅极与写字线WWL连接。

    一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路

    公开(公告)号:CN102592659A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210035887.9

    申请日:2012-02-17

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路,包括四个PMOS管P0~P3,六个NMOS管N0~N5,其中PMOS管P0与NMOS管N0,PMOS管P1与NMOS管N1以及PMOS管P2与NMOS管N2分别组成第一、二、三共三个反相器,第一、二反相器与NMOS管N4管组成交叉耦合的反相器链,第一反相器的输入连接第二反相器的输出,第二反相器的输入连接NMOS管N4的漏端,N4的源端连接第一反相器的输出,第一反相器的输出连接第三反相器的输入,第三个反相器的输出连接NMOS管N5的源端,N5的漏端连接读位线RBL,第二个反相器的输入连接到PMOS管P3、NMOS管N3组成的传输门的输出端,而传输门的输入端接写位线WBL,PMOS管P0~P3、NMOS管N3~N5管衬底与栅连接。

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