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公开(公告)号:CN104090448B
公开(公告)日:2017-10-27
申请号:CN201410311968.6
申请日:2014-07-01
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明属于非线性光学材料领域,特别涉及二氧化钛阵列膜作为二阶非线性光学材料的应用,所述的二氧化钛阵列膜由定向排列的二氧化钛纳米棒或纳米管组成。与现有二阶非线性光学材料相比,该材料的突出特点是:具有较大的二次谐波发生性能;相位匹配易于实现,应用过程中可简化光路设计;制备工艺简单,原料便宜,制备成本低;物化稳定性好,综合性能优良。
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公开(公告)号:CN106892573A
公开(公告)日:2017-06-27
申请号:CN201710165063.6
申请日:2017-03-20
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C03C17/23
CPC classification number: C03C17/23
Abstract: 本发明涉及一种环保型热致变色二氧化钒薄膜的制备方法,其步骤如下:1)将五氧化二钒与抗坏血酸溶于去离子水中,得到均匀溶液,待溶液反应变成深棕绿色时加入浓盐酸,随后水浴加热搅拌,直至溶液呈蓝色透明状,接着再加入聚乙烯吡络烷酮,室温搅拌得到前驱体溶胶;2)将前驱体溶胶采用旋涂的方法在石英玻璃基片表面旋涂制膜,随后将石英玻璃基片干燥,最后将石英玻璃基片放入高温炉中退火处理得到热致变色二氧化钒薄膜。本发明采用无毒且还原性较强的抗坏血酸还原五氧化二钒,通过调整初始反应物的配比、前驱体溶胶的浓度以及浓盐酸的加入量得到颗粒尺寸均匀、孔隙率大、具有较高的可见光透射比以及太阳光调制效率的二氧化钒薄膜。
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公开(公告)号:CN104608441B
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201510015904.6
申请日:2015-01-13
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种岛状结构金属膜层镀膜玻璃,所述岛状结构金属膜层镀膜玻璃包括玻璃基片以及从所述玻璃基片表面依次向外的金属氧化物颜色调整膜层、岛状结构金属膜层及金属氧化物保护膜层;其中,岛状结构金属膜层利用等离子体轰击形成,所述金属氧化物颜色调整膜层、岛状结构金属膜层及金属氧化物保护膜层中的金属元素均相同。本发明还提供该岛状结构金属膜层镀膜玻璃的制备方法。本发明的溅射镀膜的膜层成分简单、溅射靶材费用低,根据膜层的厚度可以调整镀膜玻璃颜色、可见光的透射率,部分透射红外线;生产过程没有三废排放;可以在现有生产线上连续生产。
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公开(公告)号:CN105088198A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201410221457.5
申请日:2014-05-23
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 本发明涉及一种二氧化钒热致变色薄膜的制备方法,其包括以下步骤:(1)制备含钒溶胶;(2)制备含钒凝胶;(3)退火处理:将含钒凝胶移入放置有碳酸氢铵和氧化钙固体粉末的密闭管式退火炉中,先将退火炉内抽真空,随后升温退火处理得到二氧化钒热致变色薄膜。本发明提供的方法易于操作、安全性好,对退火炉的真空度要求不高,不需要高真空设备;退火过程不需要通入流动气体,节约成本;并且所制备的二氧化钒薄膜样品批次稳定性好。
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公开(公告)号:CN104608441A
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201510015904.6
申请日:2015-01-13
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种岛状结构金属膜层镀膜玻璃,所述岛状结构金属膜层镀膜玻璃包括玻璃基片以及从所述玻璃基片表面依次向外的金属氧化物颜色调整膜层、岛状结构金属膜层及金属氧化物保护膜层;其中,岛状结构金属膜层利用等离子体轰击形成,所述金属氧化物颜色调整膜层、岛状结构金属膜层及金属氧化物保护膜层中的金属元素均相同。本发明还提供该岛状结构金属膜层镀膜玻璃的制备方法。本发明的溅射镀膜的膜层成分简单、溅射靶材费用低,根据膜层的厚度可以调整镀膜玻璃颜色、可见光的透射率,部分透射红外线;生产过程没有三废排放;可以在现有生产线上连续生产。
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公开(公告)号:CN104090448A
公开(公告)日:2014-10-08
申请号:CN201410311968.6
申请日:2014-07-01
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明属于非线性光学材料领域,特别涉及二氧化钛阵列膜作为二阶非线性光学材料的应用,所述的二氧化钛阵列膜由定向排列的二氧化钛纳米棒或纳米管组成。与现有二阶非线性光学材料相比,该材料的突出特点是:具有较大的二次谐波发生性能;相位匹配易于实现,应用过程中可简化光路设计;制备工艺简单,原料便宜,制备成本低;物化稳定性好,综合性能优良。
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公开(公告)号:CN103880081A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201410120837.X
申请日:2014-03-28
Applicant: 武汉理工大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明公开的铜铁矿结构AgCrO2纳米晶材料的制备方法,是一种快速制备铜铁矿结构AgCrO2纳米晶材料的低温水热合成方法,其利用低温水热反应,调控包括反应前驱体组分、反应温度及水热反应釜中反应液的填充率参数,在190~230℃下反应36~60小时,将反应产物经多次离心清洗处理后,在真空干燥烘箱中60℃干燥24~48小时,最终得到10~20nm大小的AgCrO2纳米晶材料。本方法操作简单,工艺参数易于控制,无污染、产率高,可广泛用于透明导电氧化物等光电功能器件中。
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公开(公告)号:CN102586748A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201210029709.5
申请日:2012-02-10
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/06 , H01L21/363 , H01B13/00
CPC classification number: H01L21/02381 , C04B35/457 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02422 , H01L21/02483 , H01L21/02565 , H01L21/02579 , H01L21/02631
Abstract: 本发明涉及p型导电Sb掺杂SnO2薄膜和对应氧化锡同质pn结及其制备,p型Sb掺杂SnO2薄膜的制备是采用Sb掺杂SnO2陶瓷靶材,采用磁控溅射法在单晶Si和石英玻璃上制备;二氧化锡同质pn结是在p型Sb掺杂SnO2薄膜上溅射沉积n型Sb掺杂SnO2薄膜获得的。p型导电Sb掺杂SnO2薄膜导电性能稳定,空穴浓度、空穴迁移率和电导率高,具有空穴浓度高达1020cm-3数量级、电导率高达60S·cm-1,同时空穴迁移率可高达2~30cm2V-1s-1,在可见光具有高透明性,且该制备方法的工艺简单,重复性好,易于工业化,所制备同质氧化锡基的透明pn结,具有宽禁带半导体pn结的伏安曲线特性。
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公开(公告)号:CN101327438A
公开(公告)日:2008-12-24
申请号:CN200810046670.1
申请日:2008-01-10
Applicant: 武汉理工大学
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明涉及一种纳米复合光催化剂的制备方法。AgI/TiO2纳米复合光催化剂的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:1)按照AgNO3与LiI.3H2O或LiI的摩尔比为1∶1,选取下述二种原料:(1)AgNO3,(2)LiI.3H2O或LiI,备用;2)将LiI.3H2O或LiI加入到无水乙醇中超声至溶解,得质量浓度为1%~10%的A溶液;将AgNO3加入到无水乙醇中超声至溶解,得质量浓度为0.1%~2%的B溶液;3)在磁力搅拌下,将A溶液滴加到B溶液中,待搅拌均匀后滴加钛酸丁脂;4)加入无水乙醇,加入水,洗涤、烘、焙烧,自然冷却后得AgI/TiO2纳米复合光催化剂。该制备方法原料易得、工艺简单、易于工业化,制得的AgI/TiO2纳米复合光催化剂性能稳定、具有优良的可见光催化活性。
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公开(公告)号:CN101215092A
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:CN200810046671.6
申请日:2008-01-10
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种非线性光学玻璃陶瓷材料及其制备方法。具有倍频功能的透红外硫系卤化物玻璃陶瓷,其特征在于它的组成按化学式表示为:xGeS2·yGa2S3·zAgX,其中,x表示GeS2所占摩尔%,y表示Ga2S3所占摩尔%,z表示AgX所占摩尔%,且x=10~90%(摩尔),y=5~35%(摩尔),z=5~60%(摩尔),x+y+z=100%(摩尔);X为Cl、Br或I。它是以高纯锗、镓、硫、卤化银为主要成分经真空熔制合成的硫系卤化物玻璃为基础玻璃,而后在接近于玻璃转变温度和远低于玻璃晶化温度的范围内进行热处理,有效控制玻璃的核化和晶化过程,析出大量亚微米量级尺寸的红外倍频晶体。本发明无毒环境友好,具有倍频功能和宽透过窗口(0.42μm~12μm)的特点。
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