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公开(公告)号：CN117026153A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310837326.9
申请日：2023-07-07
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种硬质合金刀片用自组装AlCrNbSiTiN高熵合金氮化物纳米多层复合涂层及其制备方法，属于薄膜材料技术领域。本发明提供了一种综合力学性能和高温稳定性良好的自组装AlCrNbSiTiN高熵合金氮化物纳米多层复合涂层。本发明还利用电弧离子镀沉积过程中等离子体的分布特性，提出一种新的制备多层复合涂层的方法。在涂层沉积过程中，腔体内的等离子体的分布并不是均匀的，在靠近靶材法向的区域内离子浓度较高，而靶材两侧区域内离子浓度较低，因此可以将等离子体依浓度分为三个区域，让沉积基材依次经过等离子体浓度分布不均匀的三个区域，实现元素含量不同的层交替沉积，从而形成多层结构，得到纳米多层复合涂层，该方法工艺简单、成本低、生产效率高。
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公开(公告)号：CN116855887A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310714941.0
申请日：2023-06-15
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂传感器的声波信号优化方法、传感器及其应用，所述制备方法包括使用溅射法，调控运动路程、射频功率、环境温度、腔内气压、Ar/O2的流量比、沉积时间、衬底摆放位置，将溅射靶材中的元素溅射到衬底上，在衬底上形成铌酸锂涂层；在铌酸锂涂层上制备导电电极得到铌酸锂传感器。本发明的铌酸锂传感器的制备方法通过调控运动路程、射频功率、环境温度、腔内气压、Ar/O2的流量比、沉积时间、衬底摆放位置等，提高到达衬底表面的Li粒子数量，促进柱状晶形成；本发明的铌酸锂传感器的制备方法削弱了缺锂相形成，利于超声信号激发；本发明制备的铌酸锂传感器具有高温稳定性，高温下无电极元素扩散现象。
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公开(公告)号：CN112038481A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010904020.7
申请日：2020-09-01
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明针对现有氧化锌薄膜的制备技术存在的不足，提供了一种重稀土掺杂ZnO柱状晶择优取向压电薄膜材料，综合利用多种强化技术和制备技术，有效提高氧化锌薄膜的质量和沉积速率：本发明将三元重稀土元素掺杂到氧化锌薄膜中，可有效细化ZnO材料的晶粒和提高其致密度，改善膜层的结晶性能，进而提高压电常数；此外，为克服射频磁控溅射技术附着力和沉积速度慢等缺点，利用高能脉冲电弧和靶中毒的优点，实现ZnO薄膜的快速沉积过程，制备出具有高表面质量以及结构稳定的三元重稀土掺杂ZnO纳米压电薄膜，并可实现薄膜介电性能、透明度等性能的可控调节，使其满足在不同压电领域器件上的应用要求。
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公开(公告)号：CN108326306A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810019933.3
申请日：2018-01-09
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种孔隙率可控的多孔纳米金属制备方法。依据特定保护性气氛下测试的纳米铜粉松装密度值，设计加工高强石墨模具，改变模具尺寸控制装粉密度，并进行放电等离子快速烧结以获得孔隙率在30％～80％范围内变化的纳米多孔铜材料。该方法无需对烧结体进行脱合金化，一步到位制备纳米多孔铜，工艺简单可重复、低能环保。制备得到纳米多孔铜材料孔隙尺寸小、分布均匀，孔隙率可控，且性能优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108197399A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810026906.9
申请日：2018-01-11
Applicant: 武汉大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开的相对密度和棱径尺寸可控的纳米多孔介质建模方法及系统，包括：S100对立方体模型在三维方向上划分网格获得三维网格模型；S200用有限差分法得具三维双连续多孔结构的三维网格模型；S300利用阶跃函数计算三维网络模型当前时刻的相对密度；S400在三维网格模型各棱格点的内部生成随机割线，使用双正态分布函数拟合随机割线的长度概率密度分布，长度概率分布最大的极值点对应的长度即平均棱径；S500迭代执行步骤S100～S300，直至三维网格模型的相对密度和平均棱径满足预设要求。采用本发明方法可获得相对密度和棱径可控的纳米多孔介质模型，所获得的模型可用于单向拉伸分子动力学模拟。
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公开(公告)号：CN117467955A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311338846.1
申请日：2023-10-16
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种纵横声波可调控的铌酸锂压电涂层及其制备方法和应用，属于压电活性材料技术领域。本发明在铌酸锂薄膜沉积之前，进行了衬底清洁、靶材表面清洁处理和衬底表面离子束刻蚀处理，可以实现靶材、衬底表面的双重清洁，增强偏置电压的效果，极大提高了涂层与衬底间的结合。进而通过在衬底与靶材间施加偏置电压，以制备出形貌结构均匀、表面与深度两个方向上O/Nb原子比都均匀理想、LiNbO3纯度高的压电薄膜，获取偏置电压对超声信号幅值的调控作用。本发明还通过调控涂层厚度、柱状晶倾斜角度，以调控纵波、横波信号幅值。通过在对制备的薄膜进行高温退火处理，以提高薄膜的结晶度和压电性能。
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公开(公告)号：CN112038481B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202010904020.7
申请日：2020-09-01
Applicant: 武汉大学
IPC: H10N30/85 , H10N30/092 , H10N30/093
Abstract: 本发明针对现有氧化锌薄膜的制备技术存在的不足，提供了一种重稀土掺杂ZnO柱状晶择优取向压电薄膜材料，综合利用多种强化技术和制备技术，有效提高氧化锌薄膜的质量和沉积速率：本发明将三元重稀土元素掺杂到氧化锌薄膜中，可有效细化ZnO材料的晶粒和提高其致密度，改善膜层的结晶性能，进而提高压电常数；此外，为克服射频磁控溅射技术附着力和沉积速度慢等缺点，利用高能脉冲电弧和靶中毒的优点，实现ZnO薄膜的快速沉积过程，制备出具有高表面质量以及结构稳定的三元重稀土掺杂ZnO纳米压电薄膜，并可实现薄膜介电性能、透明度等性能的可控调节，使其满足在不同压电领域器件上的应用要求。
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公开(公告)号：CN115821205A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211528381.1
申请日：2022-11-30
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种结构成分可调控的高熵合金氮化物纳米复合结构硬质涂层及其制备方法，上述涂层制备方法为：1)利用高强度等离子体轰击活化刻蚀衬底；2)在刻蚀衬底上以Cr为靶材溅射一层过渡层；3)在过渡层上以TiVCrNbSiTaBY高熵合金为靶材溅射沉积一层硬化层。为了调控沉积涂层的成分及结构，本发明合理设计溅射靶材，以充分利用轻质量原子在磁控溅射过程中溅射产额更高这一特性，通过改变磁控溅射功率等参数调整溅射靶材受到的溅射能量，从而调控高熵合金靶材中轻质量原子——Si原子被溅射出的比例，并进而借此改变Si原子与N原子形成的非晶体Si3N4结构的含量，从而调控沉积涂层的成分结构。
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公开(公告)号：CN103207194B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310033998.0
申请日：2013-01-29
Applicant: 武汉大学
IPC: G01N23/203
Abstract: 本发明涉及一种测定T/P92钢长期运行后基体W元素含量的方法。通过扫描电镜观察被测试样得到其体积分数；从而获取在运行温度下T/P92钢中Laves相主要组成元素的摩尔分数ni；在结合上述的结果得到运行温度下T/P92钢Laves相中各元素的比例：通过该比例系数获取长期运行后T/P92钢Laves相中W元素的分配量以及在平衡态下T/P92钢M23C6相中W元素的分配量，最后得到长期运行后基体中W元素的含量。本发明分析周期短、成本低，不需要较大尺寸的试样，并且方法简便、快捷。
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