公开(公告)号：CN111497365B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202010257691.9

申请日：2020-04-03

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘抗 ,  裴俊先 ,  廖雨田 ,  江海峰 ,  杨雪龙 ,  胡雪蛟

IPC: B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B15/04 ,  B32B27/06 ,  C01B32/194

Abstract: 本发明公开一种基于二维材料改性微纳结构的疏水材料及其制备方法和应用。该基于二维材料改性微纳结构的疏水材料，包括表面具有微纳结构的疏水性基底材料，还包括具有原子级厚度的二维材料，所述二维材料位于所述微纳结构表面，直接接触所述微纳结构的凸起部分，在所述微纳结构的凹陷部分处于悬空状态。其制备为：向具有微纳结构的疏水性基底材料的微纳结构表面覆盖一层具有原子级厚度的二维材料即可。所得基于二维材料改性微纳结构的疏水材料很好的维持液滴在微纳结构表面的Cassie疏水状态，避免液滴向Wenzel状态转变，从而维持疏水表面的长效疏水性能，制备工艺简单，具有普适性。