公开(公告)号：CN105355663A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510866302.1

申请日：2015-11-30

Applicant: 武汉大学

Inventor： 廖蕾 ,  阿布来提·阿布力孜 ,  刘传胜 ,  郭太良

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种氢钝化氧化锌基双沟道层薄膜晶体管及其制备方法。本发明的薄膜晶体管以氢等离子体钝化处理的氧化锌超薄层和纯氧化锌厚层为双沟道层，其制备方法为：以生长有一层二氧化硅的硅片为基底，对纯氧化锌靶材进行射频磁控溅射，同时通过掩膜板沉积在基底上形成的纯氧化锌超薄层；对纯氧化锌超薄层进行原位氢等离子体处理，然后继续沉积纯氧化锌厚层；再采用直流溅射掩膜板沉积制备Al电极得到氢钝化氧化锌基双沟道层薄膜晶体管。本发明通过氢钝化氧化锌超薄层来提高载流子浓度，纯氧化锌厚层来调节器件的阈值电压。本发明的薄膜晶体管具有电子迁移率较高、亚阈值摆幅低、电学稳定性好，开关比高等优点；其制备工艺简单，成本低。

公开(公告)号：CN102842602B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201210368306.3

申请日：2012-09-28

Applicant: 武汉大学

Inventor： 廖蕾 ,  刘兴强

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种高性能薄膜晶体管，以非晶氧化锌镁/碳纳米管复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，碳原子和氧化物中的金属阳离子摩尔比在0-25%之间。通过对氧化物组分的调制，实现了对阈值电压从-10V到6V的连续调控。该高性能薄膜晶体管的制备方法是：将碳纳米管和氧化锌镁进行复合，得到非晶氧化锌镁/碳纳米管复合薄膜，并以此为半导体沟道层，经过晶体管制造工艺得到高性能透明复合薄膜场效应晶体管。制备方法工艺简单，对条件要求低，可控程度高，成本低廉。

公开(公告)号：CN102509735A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110443501.3

申请日：2011-12-27

Applicant: 武汉大学

Inventor： 廖蕾 ,  王春兰 ,  刘曰利 ,  刘兴强 ,  陈文 ,  贺彪

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管，以非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，复合的纳米氧化铟和氧化铟锌的摩尔比为0.5%～1%。将0.5%～1%摩尔比的氧化铟纳米颗粒加入到铟盐-锌盐复合胶体溶液中，利用旋涂法和煅烧，制备出高性能的氧化铟锌薄膜，再将其进行微纳加工如光刻、刻蚀、再光刻以及电极的蒸镀和剥离制备出复合型薄膜场效应晶体管。通过控制工艺条件，可以得到具有高迁移率的场效应晶体管，并且使其具备较高的透光性能。制备方法成本低廉，可实现大规模批量生产。

公开(公告)号：CN108400165A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810240376.8

申请日：2018-03-22

Applicant: 武汉大学

Inventor： 廖蕾 ,  黎怡 ,  苏萌

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/516 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了低功耗氮化镓基负电容场效应晶体管及制备方法，所述的低功耗氮化镓基负电容场效应晶体管，包括GaN基底；位于所述GaN基底上两端的源电极和漏电极；位于所述GaN基底上表面源极和漏极之间的高K介质层；位于高K介质层上的铁电聚合物层；位于铁电聚合物层上的顶栅电极。本发明利用铁电聚合物材料在极化过程中产生的负电容效应，以及铁电聚合物材料、高K介质材料和AlGaN/GaN异质结三者之间的电容匹配，进而获得了一个稳定的低功耗氮化镓基负电容场效应晶体管，并显著降低器件的亚阈值斜率，大幅提高器件的开关速度，从而显著降低器件功耗。

公开(公告)号：CN105355663B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201510866302.1

申请日：2015-11-30

Applicant: 武汉大学

Inventor： 廖蕾 ,  阿布来提·阿布力孜 ,  刘传胜 ,  郭太良

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明公开了一种氢钝化氧化锌基双沟道层薄膜晶体管及其制备方法。本发明的薄膜晶体管以氢等离子体钝化处理的氧化锌超薄层和纯氧化锌厚层为双沟道层，其制备方法为：以生长有一层二氧化硅的硅片为基底，对纯氧化锌靶材进行射频磁控溅射，同时通过掩膜板沉积在基底上形成的纯氧化锌超薄层；对纯氧化锌超薄层进行原位氢等离子体处理，然后继续沉积纯氧化锌厚层；再采用直流溅射掩膜板沉积制备Al电极得到氢钝化氧化锌基双沟道层薄膜晶体管。本发明通过氢钝化氧化锌超薄层来提高载流子浓度，纯氧化锌厚层来调节器件的阈值电压。本发明的薄膜晶体管具有电子迁移率较高、亚阈值摆幅低、电学稳定性好，开关比高等优点；其制备工艺简单，成本低。

公开(公告)号：CN105964273B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201610313264.1

申请日：2016-05-12

Applicant: 武汉大学

Inventor： 吴伟 ,  刘军 ,  肖湘衡 ,  廖蕾 ,  蒋昌忠

IPC: B01J23/89 ,  B01J31/28

Abstract: 本发明涉及一种高活性复合光催化剂α‑Fe2O3/Ag6Si2O7的制备方法。利用水热法合成的α‑Fe2O3纳米短管表面分布许多羟基，能够很好地与硅烷偶联剂在其水解时与其形成牢固的化学键，从而使α‑Fe2O3纳米短管表面修饰上氨基。利用α‑Fe2O3纳米短管表面的氨基在水溶液中与水形成氨基正离子，这种正离子能够吸引硅酸根离子，使硅酸根离子均匀分布于α‑Fe2O3纳米短管表面。此方法第一次实现将Ag6Si2O7与α‑Fe2O3进行复合，并且此反应在非常温和的条件下进行，反应时间短，操作简便等优点。相比于单组份半导体，本发明制备的α‑Fe2O3/Ag6Si2O7复合结构具有良好的光催化性能，能够应用于光催化领域。并且此方法制备的复合纳米材料均匀，操作简便，反应条件温和，能够应用于多种复合纳米材料的制备与应用。