公开(公告)号：CN107924824B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201680045360.0

申请日：2016-09-27

Applicant: 东洋铝株式会社

Inventor： 马尔万·达姆林 ,  铃木绍太 ,  菊地健 ,  中原正博 ,  森下直哉

IPC: H01L21/265 ,  H01B1/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种能够容易地在半导体基板上形成n型掺杂元素浓度高的扩散层的膏状组合物。其是用于在半导体基板上形成覆膜的膏状组合物。该膏状组合物含有铝粉末、含有n型掺杂元素的化合物、树脂、及溶剂，所述n型掺杂元素为选自由磷、锑、砷及铋组成的组中的一种或两种以上的元素，相对于所述铝粉末中包含的铝100质量份，所述含有n型掺杂元素的化合物中的所述n型掺杂元素的含量为1.5质量份以上、1000质量份以下。

公开(公告)号：CN112424952A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980036778.9

申请日：2019-05-28

Applicant: 东洋铝株式会社

Inventor： 马尔万·达姆林 ,  铃木绍太

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种于硅基板的单面或两面具有钝化膜的结晶类太阳能电池单元的制造方法，从而在于硅基板的单面或两面具有钝化膜的结晶类太阳能电池单元的该钝化膜上，以接近开口宽度的大小形成一种以上的电极，所述制造方法依次具备：(1)工序1，当于所述单面具有钝化膜时，该钝化膜为具有1个或2个以上开口的钝化膜A；当于所述两面具有钝化膜时，该钝化膜中的一个或两个为具有1个或2个以上开口的钝化膜A，在覆盖所述开口的区域形成由电极形成用膏状组合物构成的涂膜；(2)工序2，对所述硅基板及所述涂膜进行烧成处理；及(3)工序3，至少保留以填埋所述开口的凹部的方式形成的烧成物(8、9)，将以除其以外的方式形成的烧成物(7)的一部分或全部去除。

公开(公告)号：CN110066108A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910057596.1

申请日：2019-01-22

Applicant: AGC株式会社 ,  东洋铝株式会社

Inventor： 中北要佑 ,  马尔丸·达姆林 ,  铃木绍太 ,  辻孝辅 ,  中原正博 ,  森下直哉

IPC: C03C3/064 ,  C03C3/066 ,  C03C3/072 ,  C03C3/108 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/22

Abstract: 本发明提供玻璃及玻璃的制造方法、导电糊剂和太阳能电池，该玻璃是电极形成中使用的玻璃，在太阳能电池等的半导体基板上介由绝缘膜形成电极时，能够以低成本、高生产效率地形成贯通绝缘膜而能充分确保与半导体基板接触的电极；该导电糊剂含有该玻璃的粉末，在形成电极时能够以低成本、高生产效率地形成贯通绝缘膜而确保与半导体基板接触的电极，该太阳能电池通过使用该导电糊剂而提高了可靠性和生产率。本发明提供下述的玻璃、玻璃的制造方法、导电糊剂和太阳能电池，其中，该玻璃的特征在于以摩尔％表示，含有5～60％的PbO、20～50％的B2O3、5～30％的SiO2、3～20％的K2O、3～20％的CaO；该导电糊剂含有玻璃的粉末、导电性金属粉末和有机媒介物；该太阳能电池的特征在于具备使用该导电糊剂形成的电极。

公开(公告)号：CN107924824A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680045360.0

申请日：2016-09-27

Applicant: 东洋铝株式会社

Inventor： 马尔万·达姆林 ,  铃木绍太 ,  菊地健 ,  中原正博 ,  森下直哉

IPC: H01L21/265 ,  H01B1/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01B1/22 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/225 ,  H01L21/228 ,  H01L21/265 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L51/0007

Abstract: 本发明提供一种能够容易地在半导体基板上形成n型掺杂元素浓度高的扩散层的膏状组合物。其是用于在半导体基板上形成覆膜的膏状组合物。该膏状组合物含有铝粉末、含有n型掺杂元素的化合物、树脂、及溶剂，所述n型掺杂元素为选自由磷、锑、砷及铋组成的组中的一种或两种以上的元素，相对于所述铝粉末中包含的铝100质量份，所述含有n型掺杂元素的化合物中的所述n型掺杂元素的含量为1.5质量份以上、1000质量份以下。

公开(公告)号：CN112204676B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201980036173.X

申请日：2019-05-17

Applicant: 东洋铝株式会社

Inventor： 石川和宪 ,  荒川一雄 ,  辻孝辅 ,  铃木绍太 ,  中原正博 ,  丹林马旺

IPC: H01B1/22 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明提供一种导电性糊剂以及太阳能电池，所述导电性糊剂制成电极时，对钝化膜的损伤少，对钝化膜的密合性优异。本发明为一种导电性糊剂、以及具有使用该导电性糊剂形成的电极的太阳能电池，所述导电性糊剂含有银粒子、有机载体、玻璃熔料以及铜化合物，相对于所述银粒子100质量份，所述铜化合物中所含有的铜的量为0.01～0.8质量份。

公开(公告)号：CN113785405A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202080020684.5

申请日：2020-03-13

Applicant: 东洋铝株式会社 ,  株式会社爱发科

Inventor： 铃木绍太 ,  马尔万·达姆林 ,  山口升 ,  铃木英夫

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

Abstract: 提供背接触型太阳能电池单元的制造方法，能够以比现有制造方法少的工序数实施。本发明是背接触型太阳能电池单元的制造方法，依次有：在结晶硅基板(10)背面形成氧化膜(20)的工序(A)；在所述氧化膜(20)的暴露面形成硅薄膜层(30A)的工序(B)；在所述硅薄膜层(30A)以用机械硬掩模的离子注入法及活化退火局部形成n+层(40)的工序(C)；在经所述工序(C)所得具有所述氧化膜(20)、所述硅薄膜层(30B)及所述n+层(40)的所述结晶硅基板(10)两面形成钝化膜(50)的工序(D)；将形成于所述结晶硅基板(10)背面侧的所述钝化膜(50)的未覆盖所述n+层(40)的区域局部去除，在暴露的所述硅薄膜层(30B)形成一或多个铝电极(60B)的工序(E)。

公开(公告)号：CN110462845A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880020513.5

申请日：2018-03-13

Applicant: 东洋铝株式会社

Inventor： 马尔万·达姆林 ,  中原正博 ,  铃木绍太 ,  森下直哉

IPC: H01L31/0224 ,  C03C8/18 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池用膏状组合物，将其适用于钝化膜的开口部的直径为100μm以下、开口部的总面积为结晶类太阳能电池单元的面积的0.5～5％的结晶类太阳能电池单元时，能够实现优异的转换效率，同时能够抑制烧成后在电极层界面产生孔隙，并能够进一步抑制静态机械负荷试验后的转换效率的降低率。具体而言，本发明提供一种太阳能电池用膏状组合物，其用于对具有设置了开口部的钝化膜的结晶类太阳能电池单元形成p+层的用途，且含有玻璃粉末、有机载体及导电性材料，其特征在于，(1)所述开口部的直径为100μm以下，所述开口部的总面积为所述结晶类太阳能电池单元的面积的0.5～5％，(2)所述导电性材料含有铝粉末以及具有长径为5μm以下的硅的初晶的铝-硅合金粉末。

公开(公告)号：CN108028187A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680055095.4

申请日：2016-09-16

Applicant: 东洋铝株式会社

Inventor： 马尔万·达姆林 ,  铃木绍太 ,  菊地健 ,  中原正博 ,  森下直哉

IPC: H01L21/208 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/20 ,  H01L21/208

Abstract: 本发明提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的膏状组合物，还提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的硅锗层的形成方法。本发明提供一种膏状组合物，其为用于形成硅锗层的膏状组合物，其特征在于，含有铝和锗，相对于所述铝100质量份，所述锗的含量大于1质量份、且为10000质量份以下。