-
公开(公告)号：CN114203891B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010977167.9
申请日：2020-09-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H10N10/80 , H10N10/852 , H10N10/01 , H01L23/367 , H01L23/373 , H02N11/00
Abstract: 本发明公开了一种泡棉填充的柔性可穿戴热电发电机的制备方法，采用泡棉填充为柔性热电发电器件提供良好的绝热效果，减少器件的热损失，增大器件的冷热端温差，提升器件的输出功率，并且泡棉的成本低廉，材质柔软，弯曲半径更小，应用于人体穿戴具有更好的舒适性，在环境温度23℃的情况下实际测试泡棉填充的热电发电机戴在人体身上的输出功率密度可达到4μw/cm2，相比于PDMS填充的器件提高了60％～100％，弯曲半径达到5mm，解决了现有技术采用PDMS作为填充物热导率较高，生产成本较高，机械硬度较高导致了在人体上穿戴的舒适度也不佳的问题。
-
公开(公告)号：CN113921689A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111006804.9
申请日：2021-08-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂氧化物的硅锗基热电材料及其制备方法。一种掺杂氧化物的硅锗基热电材料的制备方法，包括如下步骤：(1)在惰性气氛保护下，将原材料加入混合容器中，使原材料混合均匀，得到混合均匀的前驱粉体；(2)将上述(1)中的前驱粉体装入可上下施加压力的模具中进行预压实；(3)将装有前驱粉体的模具转移到反应容器中，进行反应，冷却后，得到掺杂氧化物的硅锗基热电材料。本发明通过特定氧化物(氧化硼)的掺杂并结合特定合成工艺，综合提升硅锗基热电材料的性能，本发明制备的硅锗基热电材料，易于实现工业化制备，且在更低温度时，能实现更高的ZT值，可大幅提升其热电转化效率及获得更广阔的应用。
-
公开(公告)号：CN105870314B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201610263449.6
申请日：2016-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出了种柔性硅基纳米薄膜热电器件,包括柔性玻璃基底,在所述柔性玻璃基底上设置有硅基纳米薄膜热电臂、石墨烯电极、石墨烯涂层,所述硅基纳米薄膜热电臂采用物理气相沉积技术沉积在所述柔性玻璃基底上,所述硅基纳米薄膜热电臂之间采用石墨烯电极进行连接。本发明采用柔性玻璃基底,沉积在基底表面的纳米硅基薄膜在制备过程中可以采用高温快速退火工艺,有利于量子点和超晶格的生成,大幅提高硅基纳米薄膜热电性能。
-
公开(公告)号：CN106505142A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610831800.7
申请日：2016-09-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L35/16
CPC classification number: H01L35/16
Abstract: 本发明公开了一种柔性N型碲化银纳米线热电薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：将碲化银纳米线与聚乙烯吡咯烷酮混合，超声分散在溶剂中得到碲化银纳米线分散液；在真空抽滤的条件下，将碲化银纳米线分散液均匀滴涂在玻璃纤维滤膜上，于75℃真空烘干得到粘附在玻璃纤维滤膜上的碲化银纳米线薄膜；将其夹在两张复印纸之间，放置于压片机中挤压成型，然后用刷子去掉碲化银纳米线薄膜背面的玻璃纤维滤膜碎片，置于真空烘箱中退火得到目标产物。本发明简单可控、制备周期短、安全无污染、能耗低、得到的薄膜热电性能优异，柔性良好，可以灵活地根据玻璃纤维膜的大小及形状制备出不同大小及形状的柔性热电薄膜，具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN116018041A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211728686.7
申请日：2022-12-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于辐射制冷的可穿戴热电制冷器件及其制备方法，采用辐射制冷和对流散热作为可穿戴热电制冷的散热方式，采用一体化的散热层，相比于分立化的散热层散热效果更好，采用网络结构的高强度低热导的封装材料既封装了柔性电极板，也封装了热电臂，提升器件的柔性的同时大大增强了其可靠性，相较于传统的PDMS或者泡棉气凝胶作为封装材料等具有更高的可靠性和高效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115483341A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210977209.8
申请日：2022-08-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性N型尼龙基硒化银热电薄膜的制备方法，先通过溶剂热法合成硒化银颗粒然后在乙二醇中均匀分散，之后均匀滴涂在玻璃纤维滤膜上，再经过放电等离子体烧结(SPS)处理，得到均匀致密的柔性尼龙基硒化银薄膜。本发明制备得到的薄膜热电性能较为优异，所采用的放电等离子体烧结(SPS)工艺可对薄膜微观形貌及载流子传输特性进行调控，降低了薄膜中的银含量，形成有序纤维结构，从而降低了载流子浓度并提高了载流子迁移率，使得Seebeck系数和电导率同时增强，该方法工艺简单，制备周期短，安全无污染，得到的薄膜热电性能优异，柔性良好。
-
公开(公告)号：CN113921690A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111006809.1
申请日：2021-08-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硼、铝双掺的硅锗基热电材料及其制备方法。一种硼、铝双掺的硅锗基热电材料的制备方法，包括如下步骤：(1)在惰性气氛保护下，将原材料加入混合容器中，使原材料混合均匀，得到混合均匀的前驱粉体；(2)将上述(1)中的前驱粉体装入可上下施加压力的模具中进行预压实；(3)将装有前驱粉体的模具转移到反应容器中，进行反应，冷却后，得到硼、铝双掺的硅锗基热电材料。本发明通过特定含量的硼与铝双掺杂，并结合特定合成工艺，综合提升硅锗基热电材料的性能，本发明制备的硅锗基热电材料，易于实现工业化制备，且在更低温度时，能实现更高的ZT值，可大幅提升其热电转化效率及获得更广阔的应用。
-
公开(公告)号：CN112838157A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110195463.8
申请日：2021-02-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种SnTe掺Ge热电材料的制备方法，包括步骤1，SnTe掺Ge热电材料的熔炼和步骤2，SnTe掺Ge热电材料的烧结。一种SnTe掺Ge热电材料的应用，在823 K的温度下，塞贝克系数高达126‑129µVK‑1，功率因子为20‑24µWm‑1K‑2，热导率低至2.69‑3.15 WK‑1m‑1，热电优值ZT在0.58‑0.62之间。相对于现有技术，本发明具有以下优点：相对于现有技术，本发明具有以下优点：1、所得SnTe掺Ge热电材料具有结晶度高、杂质少、致密度高以及具有塞贝克系数大，热导率低，热电性能提高幅度大的特性；2、制备方法具有原料市售可得，成本低廉，反应周期短，反应过程低能耗，低污染，工艺操作简单，可重复性高和具有可控性强的特点。
-
公开(公告)号：CN108821771B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810534585.3
申请日：2018-05-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/626 , C01B19/00 , C30B28/04 , C30B29/46 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种高热电性能银硒三元化合物多晶块体材料的制备方法，利用水热反应法合成AgxMSey(M选自Sn、Cr、Bi、Ga和Al中的任一种)黑色纳米粉体，进一步在气氛管式炉中进行热处理，再通过石英管真空封管后高温下掺杂卤素原子，优化其热电性能，再经过热压烧结工艺来制得具有高热电性能的AgxMSey多晶块体材料，本方法合成工艺简单，所用原材料资源丰富，产物纯度较高，样品中高温性能稳定，是具有高热电性能的温差发电材料。
-
公开(公告)号：CN106505142B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201610831800.7
申请日：2016-09-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L35/16
Abstract: 本发明公开了一种柔性N型碲化银纳米线热电薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：将碲化银纳米线与聚乙烯吡咯烷酮混合，超声分散在溶剂中得到碲化银纳米线分散液；在真空抽滤的条件下，将碲化银纳米线分散液均匀滴涂在玻璃纤维滤膜上，于75℃真空烘干得到粘附在玻璃纤维滤膜上的碲化银纳米线薄膜；将其夹在两张复印纸之间，放置于压片机中挤压成型，然后用刷子去掉碲化银纳米线薄膜背面的玻璃纤维滤膜碎片，置于真空烘箱中退火得到目标产物。本发明简单可控、制备周期短、安全无污染、能耗低、得到的薄膜热电性能优异，柔性良好，可以灵活地根据玻璃纤维膜的大小及形状制备出不同大小及形状的柔性热电薄膜，具有广阔的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.037 seconds)
