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    一种具有巨电致阻变的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法
    11.
    发明授权
    一种具有巨电致阻变的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN107010941B

    公开(公告)日：2020-09-01

    申请号：CN201710302248.7

    申请日：2017-05-02

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华

    IPC: C04B35/462

    Abstract: 本发明公开了一种具有巨电致阻变的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.88(Li1/3W2/3)0.06(Hf1/2In1/2)0.06O3；通过B位与Ti4+离子不同化合价的复合离子(Li1/3W2/3)13/3+，以及不同化合价复合离子(Hf1/2In1/2)7/2+，严格以1:1的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生非空位补偿，而是电子和空穴非平衡补偿型的带电电畴，进而产生纳米级非均匀电子相，结合热处理，因而出现特殊的巨电致阻变行为。产品经实验测量，具有优良的电致阻变性能，ΩHRS/ΩLRS=3.0×103，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。

    具有临界突变开关效应的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法
    14.
    发明公开
    具有临界突变开关效应的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN107010947A

    公开(公告)日：2017-08-04

    申请号：CN201710302249.1

    申请日：2017-05-02

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

    IPC: C04B35/49

    Abstract: 本发明公开了一种具有临界突变开关效应的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.85(Li1/4Nb3/4)0.05(Zr1/2Zn1/2)0.10O3；通过B位与Ti4+离子相同化合价的复合离子(Li1/4Nb3/4)4+，以及不同化合价复合离子(Zr1/2Zn1/2)3+，严格以1:2的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生电子和空穴补偿型的带电电畴(非空位或者离子补偿效应)，因而出现特殊的临界开关效应的电场诱导巨应变行为。制得产品经实验测量具有电场诱导的巨应变性能，应变量可达S%=0.47%，同时具有在临界开关电场EC=56kV/cm巨应变发生，并且在很窄的电场范围内ΔE=2kV/cm发生完全应变，在临界区域，应变变化率α可达2.8×103。这些性能目前还未见报道，可以在特殊的场合应用。

    一种无铅反铁电高储能密度陶瓷材料及其制备方法
    16.
    发明公开
    一种无铅反铁电高储能密度陶瓷材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN104710172A

    公开(公告)日：2015-06-17

    申请号：CN201510103499.3

    申请日：2015-03-10

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

    IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种室温高压反铁电高储能密度无铅陶瓷介质材料及其制备方法，成分以通式(BixNay)AgzTi0.98-mO3-mBaTiO3-0.02SrZrO3+n(0.5MnO2-0.3La2O3-0.2Nb2O5)来表示，其中x、y、z、m、 n表示摩尔分数，x=0.48，0.49；y=(0.46-z)，(0.44-z)，(0.46-z)，(0.42-z)；x与y分别取值： x/y= 0.48/(0.46-z),0.48/(0.44-z),0.49/(0.46-z),0.49/(0.44-z),0.49/(0.42-z)；0.005≤z≤0.01；0.04≤m≤0.09；0.001≤n≤0.02。本发明采用纳米单晶颗粒BaTiO3粉体，通过两歩烧结，获得了多层芯壳结构，通过高场诱发反铁电相变，获得很高的储能密度及储能效率。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的陶瓷组成是一种绿色环保型储能陶瓷介质，耐压性好，损耗低，在脉冲高压电源领域具有很好的应用前景。

    一种高储能密度钛酸锶铋基复相陶瓷及其制备方法
    17.
    发明公开
    一种高储能密度钛酸锶铋基复相陶瓷及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN104710171A

    公开(公告)日：2015-06-17

    申请号：CN201510103056.4

    申请日：2015-03-10

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  陈国华

    IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种高储能密度钛酸锶铋基复相陶瓷介质材料及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Sr1-1.5z(Bi0.8La0.2)zTiO3-x(Bi0.5Na0.5)1-mMgmTiO3-yBi0.5Li0.5(Ti0.92Mn0.08)O3来表示，其中x、y、z、m表示摩尔分数，0.2≤x≤0.7；0.01≤y≤0.2；0.05≤z≤0.3；0.02≤m≤0.2。本发明通过成分调节，形成复相组成，采用微波烧结形成均匀细小晶粒的致密结构，即保持高的介电常数，有获得高的耐压。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的高储能密度复相陶瓷介质材料，具有优异的储能特性及储能效率，储能密度可达1.9J/cm3，储能效率可达65%，环境友好、损耗低、实用性好。

    低阻型BaMIIxBi1-xO3负温度系数热敏厚膜材料及其制备方法
    18.
    发明公开
    低阻型BaMIIxBi1-xO3负温度系数热敏厚膜材料及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN103864412A

    公开(公告)日：2014-06-18

    申请号：CN201410063590.2

    申请日：2014-02-25

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 袁昌来 ,  杨涛 ,  刘心宇 ,  冯琴 ,  陈国华 ,  黎清宁 ,  杨云

    IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了低阻型BaMIIxBi1-xO3负温度系数热敏厚膜材料及其制备方法，主要成分为BaMIIxBi1-xO3热敏相粉体，其中0.01≤x≤0.05，符号MII为Co、Mn、Ni、Cu、Zn的正二价氧化物中的一种。将BaMIIxBi1-xO3热敏相粉体与有机载体按质量比74：26混合均匀，形成厚膜电阻浆料。将电阻浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上，经过放平，烘烤，预烧并重复印刷得到所需厚度的厚膜素坯。将素坯在700~900℃烧结下，保温120分钟即可得到低阻型BaMIIxBi1-xO3负温度系数热敏厚膜材料。本发明制备工艺简单，成膜温度低，膜厚度在20～80μm内，热敏常数值介于1000~4000K之间，室温电阻率处于0.7Ω·cm~20kΩ·cm范围内，150℃下保温650小时的老化率低于2%。

    一种波形片成形过程中横向抑制回弹装置
    19.
    发明授权
    一种波形片成形过程中横向抑制回弹装置 有权 许可

    公开(公告)号：CN109013814B

    公开(公告)日：2023-08-01

    申请号：CN201811078960.4

    申请日：2018-09-17

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 刘飞 ,  李海林 ,  廖宏谊 ,  黎清宁 ,  宁辉旺

    IPC: B21D22/06 ,  B21D37/12

    Abstract: 一种波形片成形过程中横向抑制回弹装置，包括抑制回弹辅助装置、轨道传送装置、核心冲压装置和上位机，在常规的冲压工艺结束后，增加了一项横向抑制回弹工骤，通过第一动力机构驱动螺杆转动，螺杆转动驱动滑动座滑动，从而驱动第一定位销向第二定位销靠拢，在上位机和测距模块的控制下，精确控制进给量，通过第一定位销与第二定位销对成型后的波形片的子片的两装配孔施加压力，从而驱动波形片上两个装配孔靠近，配合挤压板模块对波形片的子片进行二次挤压，最终实现抑制波形片回弹的目的。

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