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公开(公告)号:CN113203859A
公开(公告)日:2021-08-03
申请号:CN202110522012.0
申请日:2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N33/574 , G01N33/535 , G01N33/577
Abstract: 一种基于H‑rGO‑Pt@Pd NPs纳米酶可视化检测GPC3的方法,以H‑rGO‑Pt@Pd NPs‑Apt为检测探针,GPC3‑Ab为捕获探针,形成H‑rGO‑Pt@Pd NPs‑Apt/GPC3/Ab夹心型复合物,基于H‑rGO‑Pt@Pd NPs纳米酶的类过氧化氢酶催化活性,该复合物催化H2O2氧化显色底物TMB,使得体系溶液由无色变成蓝色,随着GPC3浓度的增加,体系的蓝色会越来越深,从而实现GPC3的可视化检测。该方法操作简便快捷、耗材少且具有较低的检测限。
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公开(公告)号:CN114965637B
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202210433955.0
申请日:2022-04-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/49
Abstract: 一种基于纳米复合材料构建夹心型适配体传感器检测GPC3的方法,将金‑还原氧化石墨烯(Au NPs@rGO)修饰在丝网印刷电极表面,通过物理吸附固定GPC3适配体(GPC3Apt),以血红素‑还原氧化石墨烯‑铂@钯(H‑rGO‑Pt@Pd NPs)为载体,制备H‑rGO‑Pt@Pd NPs‑GPC3Apt信号探针,构建夹心型电化学纳米适配体传感器。利用H‑rGO‑Pt@Pd NPs纳米复合材料类过氧化物酶性质催化Ag沉积进行有效电流放大,采用DPV方法进行扫描,记录其峰电流,实现对GPC3的检测,最低检测限为0.4801μg/mL。
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公开(公告)号:CN205622605U
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201620243088.4
申请日:2016-03-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03G3/30
Abstract: 本实用新型公开一种宽增益动态范围的CMOS可变增益放大器,包括至少一个基本可变增益电路、伪指函数发生电路、固定增益放大电路和偏置电路。偏置电路的输出端连接基本可变增益电路、伪指函数发生电路和固定增益放大电路。伪指函数发生电路的输入端接入增益控制电压信号Vc,伪指函数发生电路的输出端接入基本可变增益电路的伪指偏置端。基本可变增益电路的输入端接入输入电压信号,基本可变增益电路的输出端连接固定增益放大电路的输入端,固定增益放大电路的输出端送出输入电压信号。本实用新型能够达到较宽的增益可调范围,同时实现增益dB线性变化。
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公开(公告)号:CN212289740U
公开(公告)日:2021-01-05
申请号:CN202020969568.5
申请日:2020-06-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种防儿童被困车内的紧急救援装置,包括微处理器、数据采集模块、定位模块、车窗驱动模块、GPRS通信模块和声光报警模块。数据采集模块的输出端与微处理器的采集数据输入端连接;定位模块的输出端与微处理器的定位数据输入端连接。微处理器的车窗控制输出端连接车窗驱动模块的输入端,车窗驱动模块的输出端与车窗的电机控制端连接。微处理器的求救信号输出端经由GPRS通信模块与远端的服务器相连,服务器连与手机终端相连。微处理器的报警输出端与声光报警模块的输入端连接。本实用新型为解决国内屡发的儿童被困车内造成意外伤亡的事件提供一个切实可行的方案。
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公开(公告)号:CN207441705U
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201721428381.9
申请日:2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本实用新型公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极;采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件能够提高MOSFET器件的栅控能力,满足高性能III-V族CMOS技术要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN205622606U
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201620243141.0
申请日:2016-03-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03G3/30
Abstract: 本实用新型公开一种低功耗CMOS可变增益放大器,包括至少一个吉尔伯特电路、固定增益放大器、偏置电路和伪指函数发生电路。吉尔伯特电路的输入端接入输入电压信号。吉尔伯特电路的输出端接固定增益放大器的输入端,固定增益放大器的输出端送出输出电压信号。偏置电路的输出端连接吉尔伯特电路、固定增益放大器和伪指函数发生电路。伪指函数发生电路的输入端接入增益控制电压信号,伪指函数发生电路的输出端产生一个随增益控制电压呈指数规律变化的指数变化电压信号,该指数变化电压信号接入吉尔伯特电路的控制端,去控制吉尔伯特电路的增益。本实用新型能在保持可变增益放大器的增益dB线性范围尽可能大的同时降低可变增益放大器的整体功耗。
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