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公开(公告)号:CN213959136U
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN202120155778.5
申请日:2021-01-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本实用新型适用于微波技术领域,提供了一种频率选择表面,包括:三层金属贴片;每层金属贴片均由多件呈周期性排列的金属贴片子单元组成;两层介质基板,分别设置在三层所述金属贴片阵列之间;其中,顶层的金属贴片子单元的和底层的金属贴片子单元均呈I形,I形金属贴片子单元的中心部位设有变容二极管;中间层的金属贴片子单元呈一字型。与现有技术相比,本实用新型属于有源器件,通过在I形金属贴片子单元的中心部位焊接有变容二极管,具有两个谐振点,能够实现超宽带频率选择;其次,本实用新型通过同时改变施加在变容二极管的偏置电压V,可以使其对电磁波的频率选择特性连续可调,改变其滤波性能,适用于更加复杂的电磁环境。
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公开(公告)号:CN214336934U
公开(公告)日:2021-10-01
申请号:CN202120292551.5
申请日:2021-02-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本实用新型提供一种基于石墨烯复合超表面的太赫兹可调极化转换器,包括超表面单元、谐振机构和调节机构,所述谐振结构板的顶部固定连接有固定销,所述固定销的外侧转动连接有第一金属杆,所述第一金属杆通过活动销转动连接有第二金属杆;所述连杆远离活动杆的一端与活动板的一端转动连接,所述推杆远离连板的一端与第一金属杆的一侧固定连接。本实用新型通过推动滑杆带动活动杆进行转动,活动杆可通过连杆带动活动板进行转动,活动板转动可通过连板带动滑板进行移动,滑板移动可通过连块带动推杆进行移动,进而可方便对第一金属杆和第二金属杆之间的角度进行调节,进而可达到极化可调的效果。
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公开(公告)号:CN212113623U
公开(公告)日:2020-12-08
申请号:CN202021288150.4
申请日:2020-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/316 , H01L21/673
Abstract: 本实用新型公开了一种用于光通信设备中的硅片热氧化装置,属于光通信设备技术领域,一种用于光通信设备中的硅片热氧化装置,包括氧化箱,氧化箱的内侧壁上通过转轴转动连接有放置筒,放置筒的侧壁上开设有若干组等距分布的条形槽,氧化箱的侧壁上连接有输氧器,输氧器的输出端连接有进气管,氧化箱的顶部连接有箱体,箱体的内顶壁转动连接转杆,转杆的延伸端连接有堵塞块,转杆位于箱体内部的杆壁上连接有间歇装置;本实用新型可以使氧气均匀的输送到氧化箱内部,并且通过放置筒让硅片不断滚动提高与氧气的接触面积,还可以提高氧气在氧化箱内的滞留时间,从而可以使硅片被氧化的更加彻底。
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