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公开(公告)号：CN108439354A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810246123.1
申请日：2018-03-23
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01B19/04
CPC classification number: C01B19/007 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04
Abstract: 本发明公开了一种金属硒化物纳米粉体的制备方法，运用水合肼对硒源进行活化处理，通过冷凝回流法来制备硒化物纳米粉体，可准确控制硒化物粉体的组成和纳米形貌，得到的硒化物纯度高、结晶度好、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度，有利于提高硒化物的光催化能力。
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公开(公告)号：CN105870314A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610263449.6
申请日：2016-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种柔性硅基纳米薄膜热电器件，包括柔性玻璃基底，在所述柔性玻璃基底上设置有硅基纳米薄膜热电臂、石墨烯电极、石墨烯涂层，所述硅基纳米薄膜热电臂采用物理气相沉积技术沉积在所述柔性玻璃基底上，所述硅基纳米薄膜热电臂之间采用石墨烯电极进行连接。本发明采用柔性玻璃基底，沉积在基底表面的纳米硅基薄膜在制备过程中可以采用高温快速退火工艺，有利于量子点和超晶格的生成，大幅提高硅基纳米薄膜热电性能。
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公开(公告)号：CN116018041A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211728686.7
申请日：2022-12-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于辐射制冷的可穿戴热电制冷器件及其制备方法，采用辐射制冷和对流散热作为可穿戴热电制冷的散热方式，采用一体化的散热层，相比于分立化的散热层散热效果更好，采用网络结构的高强度低热导的封装材料既封装了柔性电极板，也封装了热电臂，提升器件的柔性的同时大大增强了其可靠性，相较于传统的PDMS或者泡棉气凝胶作为封装材料等具有更高的可靠性和高效率。
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公开(公告)号：CN115483341A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210977209.8
申请日：2022-08-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性N型尼龙基硒化银热电薄膜的制备方法，先通过溶剂热法合成硒化银颗粒然后在乙二醇中均匀分散，之后均匀滴涂在玻璃纤维滤膜上，再经过放电等离子体烧结(SPS)处理，得到均匀致密的柔性尼龙基硒化银薄膜。本发明制备得到的薄膜热电性能较为优异，所采用的放电等离子体烧结(SPS)工艺可对薄膜微观形貌及载流子传输特性进行调控，降低了薄膜中的银含量，形成有序纤维结构，从而降低了载流子浓度并提高了载流子迁移率，使得Seebeck系数和电导率同时增强，该方法工艺简单，制备周期短，安全无污染，得到的薄膜热电性能优异，柔性良好。
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公开(公告)号：CN113921690A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111006809.1
申请日：2021-08-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硼、铝双掺的硅锗基热电材料及其制备方法。一种硼、铝双掺的硅锗基热电材料的制备方法，包括如下步骤：(1)在惰性气氛保护下，将原材料加入混合容器中，使原材料混合均匀，得到混合均匀的前驱粉体；(2)将上述(1)中的前驱粉体装入可上下施加压力的模具中进行预压实；(3)将装有前驱粉体的模具转移到反应容器中，进行反应，冷却后，得到硼、铝双掺的硅锗基热电材料。本发明通过特定含量的硼与铝双掺杂，并结合特定合成工艺，综合提升硅锗基热电材料的性能，本发明制备的硅锗基热电材料，易于实现工业化制备，且在更低温度时，能实现更高的ZT值，可大幅提升其热电转化效率及获得更广阔的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112838157A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110195463.8
申请日：2021-02-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种SnTe掺Ge热电材料的制备方法，包括步骤1，SnTe掺Ge热电材料的熔炼和步骤2，SnTe掺Ge热电材料的烧结。一种SnTe掺Ge热电材料的应用，在823 K的温度下，塞贝克系数高达126‑129µVK‑1，功率因子为20‑24µWm‑1K‑2，热导率低至2.69‑3.15 WK‑1m‑1，热电优值ZT在0.58‑0.62之间。相对于现有技术，本发明具有以下优点：相对于现有技术，本发明具有以下优点：1、所得SnTe掺Ge热电材料具有结晶度高、杂质少、致密度高以及具有塞贝克系数大，热导率低，热电性能提高幅度大的特性；2、制备方法具有原料市售可得，成本低廉，反应周期短，反应过程低能耗，低污染，工艺操作简单，可重复性高和具有可控性强的特点。
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公开(公告)号：CN108821771B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810534585.3
申请日：2018-05-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/626 , C01B19/00 , C30B28/04 , C30B29/46 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种高热电性能银硒三元化合物多晶块体材料的制备方法，利用水热反应法合成AgxMSey(M选自Sn、Cr、Bi、Ga和Al中的任一种)黑色纳米粉体，进一步在气氛管式炉中进行热处理，再通过石英管真空封管后高温下掺杂卤素原子，优化其热电性能，再经过热压烧结工艺来制得具有高热电性能的AgxMSey多晶块体材料，本方法合成工艺简单，所用原材料资源丰富，产物纯度较高，样品中高温性能稳定，是具有高热电性能的温差发电材料。
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公开(公告)号：CN106505142B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201610831800.7
申请日：2016-09-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L35/16
Abstract: 本发明公开了一种柔性N型碲化银纳米线热电薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：将碲化银纳米线与聚乙烯吡咯烷酮混合，超声分散在溶剂中得到碲化银纳米线分散液；在真空抽滤的条件下，将碲化银纳米线分散液均匀滴涂在玻璃纤维滤膜上，于75℃真空烘干得到粘附在玻璃纤维滤膜上的碲化银纳米线薄膜；将其夹在两张复印纸之间，放置于压片机中挤压成型，然后用刷子去掉碲化银纳米线薄膜背面的玻璃纤维滤膜碎片，置于真空烘箱中退火得到目标产物。本发明简单可控、制备周期短、安全无污染、能耗低、得到的薄膜热电性能优异，柔性良好，可以灵活地根据玻璃纤维膜的大小及形状制备出不同大小及形状的柔性热电薄膜，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105633266A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511023207.1
申请日：2015-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L35/34
CPC classification number: H01L35/34
Abstract: 本发明涉及一种柔性还原石墨烯(RGO)/碲纳米线(Te NWs)复合热电薄膜的制备方法。其特点包括以下步骤：以氧化石墨烯(GO)粉末与聚苯乙烯磺酸钠(NaPSS)为原料，通过水热法还原制备可在水中分散的RGO；以亚碲酸钠(Na2TeO3)为原料，水合肼(N2H4·H2O)为还原剂，通过水热法还原制备可在水中分散的TeNWs；将一定量RGO和Na2TeO3分别超声分散在水中后，在真空抽滤辅助下，将RGO分散液与碲纳米线分散液依次滴涂在柔性玻璃纤维膜上，真空下将玻璃纤维膜烘干。在Ar/H2混合气氛中，于200℃下将覆有复合薄膜的玻璃纤维退火一定时间，得到柔性还原石墨烯/碲纳米线复合热电薄膜。本发明具有工艺简单易控、反应时间短、能耗低、安全无污染、柔性薄膜热电性能优异等特点。
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公开(公告)号：CN118299596A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410480664.6
申请日：2024-04-22
Applicant: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钴金属有机框架物修饰的二硒化钨纳米花复合材料的制备方法及其在锂空气电池正极的应用，以硒源和钨源为原料，在还原剂和表面活性剂作用下制备二硒化钨纳米花材料，并进一步将钴金属有机骨架包覆在二硒化钨外围制备二硒化钨纳米花复合材料，提高导电性的同时也提高了电池容量。本发明方法工艺流程简便、成本低廉，所制备的正极催化剂具有高催化活性、高能量效率、高循环寿命等优势。
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