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公开(公告)号:CN104562067A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201510045938.X
申请日:2015-01-29
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: C25B1/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米红硒光电材料的制备方法。(1)将0.076~0.152g硫脲和40mL浓度为0.020~0.030mol/L的H2SeO3溶液均匀混合,配制成电沉积液;(2)将步骤(1)所得电沉积液置于30~50℃水浴中,以铂片为阳极,ITO玻璃为阴极,在直流电压1.5~1.9V下电沉积时间3~7分钟,即在ITO玻璃上制得纳米红硒光电材料。在模拟太阳光下CdSxSey的开路光电压达到0.5894~0.8684V。本发明与其它相关技术相比,最显著的特点是电沉积法一步制备纳米硒电极,制备工艺简便、无污染,制备的纳米硒有较好的光电性能。
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公开(公告)号:CN103055836A
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201310010681.5
申请日:2013-01-12
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J21/06 , C02F1/32 , C02F103/32
Abstract: 本发明公开了N/TiO2纳米管阵列的制备方法及光催化降解制糖废水的应用。以钛片为基底制备出TiO2纳米管阵列;将制得的TiO2纳米管阵列放入0.005mol/L~0.03mol/L尿素溶液中,在超声条件下浸泡6分钟,用去离子水冲洗其表面,晾干后得到N/TiO2纳米管阵列。将N/TiO2纳米管阵列放入制糖废水中,用NaOH溶液将废水的pH值调节到12.4~13.2,经紫外灯(λ=253.7nm)照射25~30小时,实现对制糖废水的光催化降解的应用。本发明制备工艺简便、无污染,并且成功地应用于光催化降解制糖废水,从而大大提高了处理制糖废水的效率,降低了相关成本及处理时间。
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公开(公告)号:CN102826630A
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201210329598.X
申请日:2012-09-09
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Bi/TiO2纳米管阵列对制糖废水的光催化降解的应用。以钛片为基底制备出TiO2纳米管阵列,冲洗,干燥后,在500℃下煅烧2小时,冷却至室温得TiO2纳米管阵列;将制得的TiO2纳米管阵列为阴极,铂丝为阳极,放入由0.04gBi(NO3)3和0.28mol/LHNO3组成的电解液中,在2.2V电压下沉积4分钟,用去离子水冲洗,晾干后得到Bi/TiO2纳米管阵列。将Bi/TiO2纳米管阵列放入制糖废水中,用NaOH溶液将废水的pH值调节到12.4~13.2,经紫外灯(λ=253.7nm)照射25~30小时,实现对制糖废水的光催化降解的应用。本发明制备工艺简便、无污染,并且成功地应用于光催化降解制糖废水,提高了处理制糖废水的效率,降低了相关成本及处理时间。
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公开(公告)号:CN109742186A
公开(公告)日:2019-05-10
申请号:CN201811627613.2
申请日:2018-12-29
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0272 , H01L31/0336
Abstract: 本发明公开了一种Cd/Cu2O纳米薄膜的制备方法。(1)向聚四氟乙烯水热反应釜中加入CuSO4•5H2O溶液和CdSO4溶液并搅拌混合均匀,再加入NaOH溶液。(2)将Cu片放入步骤(1)反应釜中并斜靠于反应釜内壁,盖紧盖子后,将反应釜置于50℃~120℃的烘箱中反应5~10小时,即在Cu片上制得光电压值为0.2473~0.4602 V的Cd/Cu2O纳米薄膜。本发明采用一步水热合成法,工艺简单,周期较短,对原料以及设备要求不高且掺杂过后光电性能有明显提高。
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公开(公告)号:CN108336187A
公开(公告)日:2018-07-27
申请号:CN201810148539.X
申请日:2018-02-13
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法。将纯Cu片和浓度为0.01~0.10mol/L Cu(NO3)2溶液,于80℃~90℃下反应4~6小时,在Cu片上制得光电压值为0.0937V~0.3168V的Cu2O薄膜;在Cu2O薄膜中加入浓度为0.05~0.09mol/L的Cu(NO3)2溶液和浓度为0.0005~0.0025mol/L的AgNO3溶液,于烘箱内反应2~8小时;得光电压值为0.3273V~0.3853V的Ag/Cu2O异质结纳米薄膜。本发明工艺简单,周期较短,对原料以及设备要求不高,制得的异质结纳米薄膜更有利于被太阳光激发而产生光生电子,具有优良的光电性能。
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公开(公告)号:CN106591922B
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201710064971.6
申请日:2017-02-05
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25D11/34
Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。配制含0.0244~0.1220mol/L CuSO4、0.0006~0.0122mol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、0.0244~0.0854mol/L N2H4.H2O、0.0390~0.1951mol/L NaOH四种溶液的电解液,在匀速磁力搅拌下,以Cu片作阳极,Pt片作阴极,在5V~20V电压下氧化5~15分钟,即在Cu片上获得光电压值0.0985V~0.3035V的Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期非常短,制备的样品光电性能优良。
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公开(公告)号:CN105753034B
公开(公告)日:2017-10-13
申请号:CN201610106968.1
申请日:2016-02-28
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G3/02
Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。(1)配制质量百分比浓度为0.3~1%的HF溶液和质量百分比浓度为25~65%的HNO3溶液,两种配好的溶液取相同体积混合均匀,得混酸溶液;(2)将铜片剪成1.5cm×5cm×0.1cm大小,置于步骤(1)所得混酸溶液中,20~50秒后待铜表面呈紫红色取出,依次用二次蒸馏水、分析纯丙酮和分析纯酒精各超声清洗铜片10分钟,随即在25~65℃水浴中静置3~7天,得Cu2O纳米薄膜。本发明与其他相关技术相比,最显著的特点是常温水浴法制备Cu2O纳米薄膜,其制备工艺简单、周期短,制备的样品有较好的光电性能。
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公开(公告)号:CN104562067B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201510045938.X
申请日:2015-01-29
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米红硒光电材料的制备方法。(1)将0.076~0.152g硫脲和40mL 浓度为0.020~0.030mol/L的 H2SeO3溶液均匀混合,配制成电沉积液;(2)将步骤(1)所得电沉积液置于30~50℃水浴中,以铂片为阳极,ITO玻璃为阴极,在直流电压1.5~1.9V下电沉积时间3~7分钟,即在ITO玻璃上制得纳米红硒光电材料。在模拟太阳光下CdSxSey的开路光电压达到0.5894~0.8684V。本发明与其它相关技术相比,最显著的特点是电沉积法一步制备纳米硒电极,制备工艺简便、无污染,制备的纳米硒有较好的光电性能。
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公开(公告)号:CN103601433B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201310602583.0
申请日:2013-11-25
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备污水处理用高效除磷材料的方法。(1)将粘土、普通水泥、熟石灰和油页岩渣在105℃下干燥12-24小时;(2)将步骤(1)干燥后的粘土120-180克、普通水泥40-60克、熟石灰80-120克和油页岩渣80-120克,加水190-280ml,利用曝气装置通入0.2L/min空气,充分搅拌10-25分钟,即获得混合物;(3)放入造粒机制成粒径为3.5~4.5mm颗粒;(4)在105℃干燥12~24小时,即获得污水处理用高效除磷材料。本发明搅拌时通入空气,可增加污水处理用高效除磷材料的孔隙率和比表面积;水泥的CaO对磷有沉淀作用,Al2O3、Fe2O3对磷有吸收作用;熟石灰、水泥均为碱性,为污水处理用高效除磷材料提高适宜的pH环境,制得的污水处理用高效除磷材料去除磷能力明显。
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公开(公告)号:CN103924277A
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:CN201410163723.3
申请日:2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25D9/08
Abstract: 本发明公开了一种球状CdSe/Cu2O异质结材料的制备方法。(1)将1.2800g~1.7067gCdSO4、0.0115g~0.0128gH2SeO3、0.9g~1.9gNa2SO4和100mL水混合,置于30℃~50℃水浴中;(2)以ITO导电玻璃为阴极,高纯铂片为阳极,放入上述溶液中,在1.9V~2.4V直流电压下沉积30~50分钟,制得CdSe薄膜;(3)将20mL3mol/L乳酸溶液和20mL0.4mol/LCuSO4溶液混合,用4mol/L的NaOH调节pH值为9-10,置于40℃~50℃水浴中;(4)以沉积有CdSe薄膜的ITO为阴极,高纯铂片为阳极,放入步骤(3)电解液中,在1.2V~1.5V直流电压下沉积5~10分钟。本发明采用两次电化学沉积法,简单、快速制备出均匀球状的CdSe/Cu2O异质结。
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