公开(公告)号：CN109698237A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201710993025.X

申请日：2017-10-23

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  高云斌 ,  蒋华平 ,  陈喜明 ,  戴小平

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法。该沟槽栅碳化硅MOSFET器件包括：位于N-漂移层两侧的P+埋区；位于P+埋区之间的N+掺杂区，其厚度小于P+埋区的厚度；位于P+埋区和N+掺杂区上的P-外延层，其与N+掺杂区不接触；通过向P-外延层的中间区注入离子形成的N++掺杂区，其厚度小于P-外延层的厚度，宽度大于N+掺杂区的宽度；通过向P-外延层的未注入离子的两侧注入离子形成的P++掺杂区；通过刻蚀N++掺杂区的中间区及其下方各层级与其相对应的区域形成的位于N+掺杂区上的沟槽，沟槽宽度小于等于N+掺杂区的宽度。本发明可降低器件的导通电阻和功率损耗，同时兼顾器件体二极管续流特性。

公开(公告)号：CN107785270A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201610786019.2

申请日：2016-08-31

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王弋宇 ,  李诚瞻 ,  吴佳 ,  史晶晶 ,  高云斌 ,  陈喜明 ,  赵艳黎 ,  吴煜东 ,  刘可安

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/223

Abstract: 本发明提供了一种MOSFET器件氮化方法，包括使用含氮气气体对所述MOSFET器件进行氮化处理，优选所述氮化处理在1200-1500℃，优选1250-1450℃的温度下进行。根据本发明提供的功率器件氮化方法，通过在器件的氧化过程和/或氧化后在高温下采用氮气进行氮化，简化了氮化钝化气体体系，避免栅介质可靠性和击穿电场强度的降低，避免了氮化气体产生的潜在毒性和毒气泄漏风险，简化了尾气处理系统。

公开(公告)号：CN211350608U

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201921955406.X

申请日：2019-11-13

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 魏伟 ,  赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  郑昌伟 ,  曾亮

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  G03F7/20

Abstract: 本实用新型提出了一种能够降低晶片吸附翘曲度的辅助装置及投影光刻机，本实用新型的辅助装置包括压紧基体及升降机构，所述压紧基体通过联结部与升降机构相连，所述压紧基体能够在升降机构的控制下沿竖直方向上下运动。本实用新型的能够降低晶片吸附翘曲度的辅助装置及投影光刻机，能够通过压环将翘曲片压在载片台上，可以使晶片和载片台之间形成密闭腔，完成真空吸附，同时可以保证其吸附后的平坦度达到正常晶片的水准。