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公开(公告)号：CN107799592B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201610804965.5
申请日：2016-09-06
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种短沟道半导体功率器件，其包括：具有重掺杂层的碳化硅晶元，其上生长有轻掺杂的外延层；设在外延层中并被外延层的一部分间隔开的第一基区和第二基区；掩模层，其设在用以将第一基区和第二基区间隔开的外延层的部分之上；二氧化硅层，其设置在掩模层的外表面上；分别处于第一基区和第二基区上的重掺杂源区，重掺杂源区与外延层的部分之间形成有沟道，其中，第一基区和所述第二基区的掺杂浓度从沟道部分的上表面向下逐渐增加。向下逐渐增加的沟道宽度，则使源区与漂移区距离增加，在器件关断状态时，漏结耗尽区可以达到更大的宽度，从而提高器件的耐压。
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公开(公告)号：CN107248508B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201710347039.4
申请日：2015-01-19
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开了一种功率端子组及功率电子模块，该功率端子组包括阳极端子和阴极端子，所述阳极端子和阴极端子在竖直方向呈蛇形蜿蜒叠层结构，且阳极端子与阴极端子构造成：两者的结构相互配合，以使在通入电流时，阳极端子与阴极端子产生的电感可相互抵消。包含该功率端子组的功率电子模块具有较低的电感。
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公开(公告)号：CN106449744B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201611099482.6
申请日：2016-12-02
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT及其制备方法，包括：步骤1，在IGBT器件主体进行P‑base区和N型增强区注入；步骤2，对IGBT器件主体进行沟槽刻蚀之后，沉积栅氧化层；步骤3，在栅氧化层上沉积N型掺杂的多晶硅层；步骤4，在N型掺杂的多晶硅层上沉积P型掺杂的多晶硅层，P型掺杂的多晶硅层将沟槽填满；步骤5，在P型掺杂的多晶硅层上生长多晶硅氧化层；步骤6，对完成多晶硅氧化层生长的IGBT器件主体进行源极注入，形成源极区；步骤7，对形成源极区的IGBT器件主体进行钝化层淀积与刻蚀，形成栅电极和阴极接触区。通过在栅极的沟槽内设置内嵌二极管，增大从阳极经栅极流出电流通道的电阻，遏制栅极寄生电容对开关速度的影响。
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公开(公告)号：CN109768075A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201711097975.0
申请日：2017-11-09
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种FCE二极管及其制造方法。所述FCE二极管包括：漂移层；位于漂移层的第一表面上的P型层；位于漂移层的第二表面上的N-缓冲层；通过向N-缓冲层注入N型离子而形成的N++掺杂层，其中N++掺杂层的厚度小于N-缓冲层的厚度；通过刻蚀N++掺杂层而形成的多个N++掺杂区以及每两个相邻N++掺杂区之间的沟槽，沟槽的底部10接触所述N-缓冲层；通过沟槽向N-缓冲层注入P型离子而形成的不与N++掺杂区接触的P++掺杂区，其中P++掺杂区的厚度小于N-缓冲层的厚度。采用本发明在保证较好的软恢复特性的同时提高P++掺杂区的接触效果，进而同时降低了FCE二极管阴极面的接触电阻。
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公开(公告)号：CN109755110A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201711092207.6
申请日：2017-11-08
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种SiC JBS器件正面电极的制造方法，包括：在SiC JBS器件的有源层上利用离子注入掩膜进行离子注入，其中，有源层包括间隔排列的P型掺杂区和N型掺杂区；在离子注入掩膜和已经注入离子的P型掺杂区上沉积保护层；进行第一次退火；去除保护层；在离子注入掩膜和完成离子替位后的P型掺杂区上沉积第一金属层；进行第二次退火；去除第一金属层和离子注入掩膜；在P型掺杂区上的金属硅化物和N型掺杂区上沉积第二金属层；进行第三次退火；离子注入掩膜由上层和下层的双层结构构成，上层用于在第二次退火时隔离N型掺杂区和第一金属层，实现欧姆接触和肖特基接触的精确分区，下层在第一次退火时保护有源层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105957848B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201610564582.5
申请日：2016-07-18
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本申请公开了一种具有集成热管的底板及其模块装置，其中，所述具有集成热管的底板包括底板主体、直接液冷鳍翅和集成热管，所述直接液冷鳍翅设置于所述金属底板的下表面，所述底板主体和所述直接液冷鳍翅内部均设置有所述集成热管，所述集成热管内部设置用于快速传导热量的低温相变液体介质。本申请提供的上述具有集成热管的底板及其模块装置，由于具有高效散热的集成热管以及直接液冷鳍翅，通过低温相变液体介质及外部冷却介质进行散热，可消除传统功率模块中的导热硅脂，能够实现电动汽车功率模块高效、可靠地散热。
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公开(公告)号：CN105762147B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610231918.6
申请日：2016-04-14
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种半导体功率器件版图，包括：栅极沟槽的中部为折线结构，两端延伸进入栅极接触区，并与栅极总线连接，尾端在距离栅极接触区的预定位置处相互连接，形成封闭的虚栅区；虚栅沟槽位于封闭的虚栅区中间，与栅极沟槽平行，虚栅沟槽的两端或中间形成封闭接触窗口；基区接触区位于相邻两个栅极沟槽之间，并与栅极沟槽平行；虚栅接触孔位于虚栅沟槽上的封闭接触窗口内，宽度大于虚栅沟槽的宽度；源极接触孔覆盖于基区接触区之上，宽度大于所述基区接触区的宽度，长度小于基区接触区的长度。所述栅极沟槽、虚栅沟槽以及基区接触区都包含水平与非水平部分，不同方向的沟槽能够分散芯片上的应力，有利于芯片采用更薄的晶圆进行制备。
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公开(公告)号：CN107808850A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610808312.4
申请日：2016-09-08
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提出了一种用于功率模块的封装壳及对功率模块进行封装的方法。该用于功率模块的封装壳包括壳主体，在壳主体上设置有槽，并且在槽的底面上设置有用于功率模块的功率端子穿过的第一开口；能与槽推拉式配合的推拉块体，推拉块体能设置在槽与功率端子所形成的空间内；与壳主体盖合式连接的上盖，上盖上设置有用于功率端子穿过的第二开口。该封装壳结构简单，易于操作，可靠性和通用性高。
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公开(公告)号：CN107799592A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610804965.5
申请日：2016-09-06
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种短沟道半导体功率器件，其包括：具有重掺杂层的碳化硅晶元，其上生长有轻掺杂的外延层；设在外延层中并被外延层的一部分间隔开的第一基区和第二基区；掩模层，其设在用以将第一基区和第二基区间隔开的外延层的部分之上；二氧化硅层，其设置在掩模层的外表面上；分别处于第一基区和第二基区上的重掺杂源区，重掺杂源区与外延层的部分之间形成有沟道，其中，第一基区和所述第二基区的掺杂浓度从沟道部分的上表面向下逐渐增加。向下逐渐增加的沟道宽度，则使源区与漂移区距离增加，在器件关断状态时，漏结耗尽区可以达到更大的宽度，从而提高器件的耐压。
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公开(公告)号：CN107248508A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710347039.4
申请日：2015-01-19
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开了一种功率端子组及功率电子模块，该功率端子组包括阳极端子和阴极端子，所述阳极端子和阴极端子在竖直方向呈蛇形蜿蜒叠层结构，且阳极端子与阴极端子构造成：两者的结构相互配合，以使在通入电流时，阳极端子与阴极端子产生的电感可相互抵消。包含该功率端子组的功率电子模块具有较低的电感。
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