公开(公告)号：CN108010840A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201610947670.3

申请日：2016-11-02

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 史晶晶 ,  李诚瞻 ,  周正东 ,  吴佳 ,  刘国友 ,  刘可安

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/318 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/0217

Abstract: 本发明涉及掺杂半导体器件的制备方法和半导体器件。根据本发明的方法包括以下步骤：步骤一，对半导体基材进行掺杂后，在半导体基材的表面上形成Si3N4保护层；步骤二，将带有Si3N4保护层的半导体基材进行退火。根据本发明的方法，使用Si3N4作为半导体基材的退火保护层。在退火之后，可将Si3N4层用作半导体器件的绝缘层，从而不必将Si3N4层完全去除，这简化了生产步骤。

公开(公告)号：CN107785270A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201610786019.2

申请日：2016-08-31

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王弋宇 ,  李诚瞻 ,  吴佳 ,  史晶晶 ,  高云斌 ,  陈喜明 ,  赵艳黎 ,  吴煜东 ,  刘可安

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/223

Abstract: 本发明提供了一种MOSFET器件氮化方法，包括使用含氮气气体对所述MOSFET器件进行氮化处理，优选所述氮化处理在1200-1500℃，优选1250-1450℃的温度下进行。根据本发明提供的功率器件氮化方法，通过在器件的氧化过程和/或氧化后在高温下采用氮气进行氮化，简化了氮化钝化气体体系，避免栅介质可靠性和击穿电场强度的降低，避免了氮化气体产生的潜在毒性和毒气泄漏风险，简化了尾气处理系统。

公开(公告)号：CN105931963A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610526004.2

申请日：2016-07-06

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 吴佳 ,  李诚瞻 ,  史晶晶 ,  高云斌 ,  周正东 ,  刘国友 ,  彭勇殿

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅PiN二极管的结终端结构的制造方法，首先在晶圆上生长衬垫氧化层和衬垫氮化硅；然后利用光刻和腐蚀工艺定义需要生长氧化层的区域；再利用衬垫氧化层和衬垫氮化硅作为阻挡层生长氧化层；组后通过湿法腐蚀的方式去除衬垫氮化硅和衬垫氧化硅，留下所需要的氧化层。通过这种方法能够避免在获得碳化硅PiN二极管的结终端结构的过程中由于刻蚀造成的损伤，通过由于进行了氧化，提高了载流子的寿命，从而改善了器件的性能。