公开(公告)号：CN107627201B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201710570004.7

申请日：2017-07-13

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 石井游 ,  中西正行 ,  内山圭介

IPC: B24B37/013 ,  B24B37/04

Abstract: 本发明提供一种研磨基板的表面的装置，能够对晶片等基板的整个表面进行研磨，不需要利用边缘研磨用的装置来研磨基板的表面的最外部，能够减少研磨工序。本发明的研磨基板的表面的装置具有：基板保持部(10)，该基板保持部(10)保持基板(W)，并使该基板(W)旋转；以及研磨头(50)，该研磨头(50)使研磨器具(61)与基板(W)的第一面(1)滑动接触而研磨该第一面(1)。基板保持部(10)具有能够与基板(W)的周缘部接触的多个辊(11)，多个辊(11)构成为能够以各辊(11)的轴心为中心旋转。

公开(公告)号：CN118804817A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202380025220.7

申请日：2023-02-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 山本晓 ,  内山圭介 ,  柏木诚 ,  藤泽真於

IPC: B24B21/00 ,  B24B21/06 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明关于研磨晶片等基板的基板研磨方法。基板研磨方法中，一边使基板(W)与研磨头(10C)相对地进行圆周运动，一边使基板(W)以其轴心为中心旋转，且一边将研磨带(2B)沿其长边方向输送，一边通过研磨头(10C)将研磨带(2B)按压于被研磨面(5a)，研磨包含基板(W)的中心(O1)的中央区域和与中央区域相邻的外侧区域，研磨中央区域和外侧区域的工序包含以不同的研磨条件执行的至少两个研磨工序，至少两个研磨工序包含：以中央区域的研磨率低于外侧区域的研磨率的研磨条件执行的低研磨率工序；及以中央区域的研磨率高于外侧区域的研磨率的研磨条件执行的高研磨率工序。

公开(公告)号：CN109773628A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811339462.0

申请日：2018-11-12

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 石井遊 ,  内山圭介

IPC: B24B21/00 ,  B24B21/10 ,  B24B21/18 ,  B24B41/06 ,  B24B47/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明的目的在于提供一种用一个处理头对晶片等基板的表面进行研磨、清洗等不同的处理且能够效率良好地处理基板的表面的基板处理装置和基板处理方法。本发明的基板处理装置具备：基板保持部(10)，保持晶片(W)并使该晶片旋转；以及处理头(50)，使多个磨砂带(61)与晶片的第一面(1)接触并对晶片的第一面进行处理，处理头(50)具备：多个按压部件(65)，分别将多个磨砂带向晶片的第一面按压；多个位置切换装置(67)，构成为能够使多个按压部件(65)的各自的位置在处理位置与退避位置之间切换；多个带抽出卷筒(71)，分别将多个磨砂带抽出；以及多个带卷入卷筒(72)，将多个磨砂带卷入。

公开(公告)号：CN108527010A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810175382.X

申请日：2018-03-02

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 石井游 ,  伊藤贤也 ,  内山圭介 ,  中西正行

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/461 ,  B24B37/005 ,  B24B37/107 ,  G06F9/06 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/68 ,  B24B1/00 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  H01L21/67092

Abstract: 本发明提供研磨方法、研磨装置、基板处理系统以及记录介质，该研磨方法能够以低运转成本对晶片等基板进行研磨。研磨方法包含如下的工序：一边利用真空吸附台(11)对基板(W)的背侧面进行保持一边使基板(W)旋转，使保持有多个研磨器具(61)的研磨头(50)旋转，将旋转的多个研磨器具(61)向基板(W)的表侧面按压。基板(W)的表侧面是形成布线图案的面。