公开(公告)号：CN101413780B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200810170337.1

申请日：2008-10-16

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  高桥太郎 ,  广尾康正 ,  小川彰彦 ,  大田真朗

IPC: G01B7/06 ,  B24B29/00 ,  B24B49/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: G01B7/105 ,  B24B37/042 ,  B24B49/105

Abstract: 本发明涉及抛光监视方法和抛光设备。根据本发明的使用涡电流传感器监视抛光过程中膜厚度变化的方法，在基片的水抛光过程中，在抛光垫的修整过程中，或在抛光垫的更换过程中，获取涡电流传感器的输出信号，作为修正信号值；从修正信号值与预定的修正基准值之间的差值计算出修正量；当抛光具有导电膜的基片时，通过从涡电流传感器的输出信号减去修正量而计算出实测信号值；以及通过监视实测信号值的变化而监视抛光过程中导电膜的厚度变化。

公开(公告)号：CN101413780A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810170337.1

申请日：2008-10-16

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  高桥太郎 ,  广尾康正 ,  小川彰彦 ,  大田真朗

IPC: G01B7/06 ,  B24B29/00 ,  B24B49/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: G01B7/105 ,  B24B37/042 ,  B24B49/105

Abstract: 本发明涉及抛光监视方法和抛光设备。根据本发明的使用涡电流传感器监视抛光过程中膜厚度变化的方法，在基片的水抛光过程中，在抛光垫的修整过程中，或在抛光垫的更换过程中，获取涡电流传感器的输出信号，作为修正信号值；从修正信号值与预定的修正基准值之间的差值计算出修正量；当抛光具有导电膜的基片时，通过从涡电流传感器的输出信号减去修正量而计算出实测信号值；以及通过监视实测信号值的变化而监视抛光过程中导电膜的厚度变化。

公开(公告)号：CN117581336A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280044190.X

申请日：2022-06-14

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 大田真朗 ,  畠山雅规

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明关于一种研磨晶片等的基板的研磨方法和研磨装置。本方法具备如下工序：研磨基板(W)；一边研磨基板(W)，一边生成转矩波形；及从基板(W)研磨前所存储的多个参考转矩波形选择一个参考转矩波形。研磨基板(W)的工序包含阶差研磨工序和平坦研磨工序，阶差研磨工序包含如下工序：基于利用第一关系式算出的参考膜数据的膜厚，决定在基板(W)上多个测定点的多个膜厚；及比较转矩波形与选出的参考转矩波形，判断是否应结束阶差研磨工序；平坦研磨工序包含基于利用第二关系式算出的参考膜数据的膜厚，决定在基板(W)上多个测定点的多个膜厚的工序。

公开(公告)号：CN1791490B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200480013400.0

申请日：2004-05-13

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 广川一人 ,  中井俊辅 ,  大田真朗 ,  和田雄高 ,  小林洋一

IPC: B24B49/12 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/205 ,  B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  H01L21/30625

Abstract: 一种衬底抛光设备，其将诸如半导体晶片的衬底表面抛光至平坦镜面光洁度。根据本发明的衬底抛光设备包括：可旋转工作台(12)，其具有用于抛光半导体衬底(18)的抛光垫；光发射和接收装置(80，82)，其用于发射测量光，以使之穿过设置在抛光垫(16)上的通孔到达半导体衬底(18)，并且接收来自半导体衬底(18)的反射光，以便测量该半导体衬底(18)上的薄膜；以及供给通道(44)，其用于向测量光的通道供应流体。该供给通道(44)具有设置在通孔(84)中的出口部分。