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公开(公告)号:CN1260778C
公开(公告)日:2006-06-21
申请号:CN01804554.5
申请日:2001-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/288 , H01L21/768 , H01L21/00 , B24B7/22
CPC classification number: H01L21/67161 , B24B37/005 , B24B37/042 , B24B37/245 , B24B37/345 , B24B41/061 , B24B49/16 , C23C18/1632 , C23C18/1653 , C25D7/123 , H01L21/02074 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/3212 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67184 , H01L21/67219 , H01L21/6723 , H01L21/67393 , H01L21/67396 , H01L21/67772 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L21/76877
Abstract: 一种基片加工方法,包括在一个基片的表面上形成铜膜的步骤。这些步骤包括:通过电镀将第一金属填充到沟道中以便在基片的整个表面上形成一个第一金属的镀膜的步骤,其中通过虚阳极调节电磁场,以便基片的中心部分和周边部分之间的镀膜厚度的差被最小化,并且通过将基片压在抛光表面上抛光并去除镀膜,其中,在中心部分和周边部分处将基片压在抛光表面上的压力被调节。
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公开(公告)号:CN1531028A
公开(公告)日:2004-09-22
申请号:CN200310124953.0
申请日:2003-12-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/288 , H01L21/445
CPC classification number: C25D5/34 , C25D5/18 , C25D5/50 , C25D17/001 , C25D21/12
Abstract: 一种电镀方法,即使当凹槽具有高的纵横比时,此方法也可以在基片表面的凹槽内形成无缺陷、完全嵌入的导电材料互连。并且即使在基片表面同时存在窄的沟槽和宽的沟槽时,也可以提高基片镀膜的平整度。根据本发明的电镀方法包括:在基片表面与阳极之间提供高电阻结构,所述表面与阴极连接;用电镀液填充基片与阳极间的空间,同时,在阴极和阳极之间施加电压;使镀膜在基片表面上生长,同时将阴极与阳极间流动的电流控制为恒定值。
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公开(公告)号:CN1188462A
公开(公告)日:1998-07-22
申请号:CN96194979.1
申请日:1996-05-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C02F3/08
CPC classification number: C02F3/085 , B01F3/04617 , Y02W10/15
Abstract: 一种以微生物固定在上面的载体处理污水的方法和使用该方法的需氧处理池。在处理池内一个或一个以上水下搅动式曝气装置在叶轮的排放侧配置有空气扩散机械以雾化的空气和污水混合并通过曝气装置使处理池内载体与污水环流,因而使载体在池内以悬浮状态几乎均匀分布。设置曝气装置的排放口要开在靠近池子的底部或中段。后者,曝气装置通过伸向底部的导管从池底附近抽吸载体和污水。
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