半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法

    公开(公告)号:CN101805916B

    公开(公告)日:2013-06-05

    申请号:CN200910259037.5

    申请日:2009-12-09

    CPC classification number: C25D11/24 H01L29/4908

    Abstract: 本发明提供一种能够利用简便的方法形成硬度高于利用以往方法形成的阳极氧化被膜而且没有发生裂缝的方面的问题、高硬度且低裂缝的平衡出色的阳极氧化被膜的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法。该制造方法是在将铝合金或纯铝作为基材的构件的表面形成阳极氧化被膜,然后浸渍于纯水中而对所述阳极氧化被膜进行水合处理的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法,其中,在满足处理温度:80℃~100℃、处理时间(分钟)≥-1.5×处理温度(℃)+270的条件下实施所述水合处理。

    集电体、集电体的制造方法、电极和二次电池

    公开(公告)号:CN104241654B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201410219393.5

    申请日:2014-05-22

    Abstract: 本发明提供一种集电体、该集电体的制造方法、使用该集电体的电极和使用有该电极的能够降低内部电阻的二次电池,在该集电体作为二次电池的电极使用时能够进一步降低与活性物质层的接触电阻。其特征在于,集电体(1)具备包含金属箔的基材(1a)和设置于该基材(1a)的至少一侧的表面的导电物质(1b),所述导电物质(1b)含有炭粉末,对于所述炭粉末而言,在蒸馏水中分散1.00质量%的所述炭粉末时的悬浊液的pH为7.1~9.5。

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