半导体冷却结构
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101483173B

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:CN200910001399.4

    申请日:2009-01-12

    Inventor: 木村光德

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明涉及半导体冷却结构。一种半导体冷却结构包括:半导体模块,所述半导体模块包括位于其中的至少两个半导体元件;具有与所述半导体模块紧密接触的冷却表面的冷却管,所述冷却管包括冷却剂入口孔、冷却剂出口孔和冷却剂通道,经过该冷却剂通道冷却剂以第一方向从所述冷却剂入口孔流到所述冷却剂出口孔;和冷却剂移送结构,其被设置在所述冷却管内以移送流经所述冷却剂通道的冷却剂,使得所述冷却剂具有与所述冷却表面垂直的第二方向上的速度向量。

    开关驱动电路
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111183574B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN201880064938.6

    申请日:2018-09-12

    Abstract: 在上臂开关(SWH)、下臂开关(SWL)所具有的体二极管(DH、DL)中,将死区时间中回流电流流动的二极管设为对象二极管,在上臂开关、下臂开关中,将具有对象二极管的开关设为对象开关,并将剩余开关设为相对臂开关。驱动电路(DrCH、DrCL)在从对象开关刚切换为断开状态之后的死区时间的开始时刻以后的时刻,到相对臂开关成为接通状态的期间的中途为止的期间内,将对象开关的控制端子相对于第二端子的电位差维持为负电压,之后,直到下次的死区时间结束为止,将上述电位差维持为断开电压。

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