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公开(公告)号:CN101593742A
公开(公告)日:2009-12-02
申请号:CN200910159745.1
申请日:2006-09-29
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/522 , H01L23/485 , H01L23/31 , G02F1/13
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/13452 , H01L21/50 , H01L23/3157 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/522 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/83 , H01L2021/60232 , H01L2021/60262 , H01L2224/0401 , H01L2224/0603 , H01L2224/1147 , H01L2224/13027 , H01L2224/13099 , H01L2224/1403 , H01L2224/14104 , H01L2224/16105 , H01L2224/29075 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/45124 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/83851 , H01L2924/0001 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2224/48
Abstract: 一种可以减小半导体芯片的尺寸的半导体器件制造技术。首先,在绝缘膜上方形成焊盘和其他导线。在包括焊盘和导线的绝缘膜上方形成表面保护膜,并且在表面保护膜中制作开口。该开口位于焊盘上方并露出该焊盘的表面。在包括开口的表面保护层上方形成凸点电极。在此,焊盘小于凸点电极。因此,在与焊盘的同一层中的凸点电极的正下方布置导线。换句话说,在由于焊盘足够小而变得可用的空间中布置导线。
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公开(公告)号:CN101388351A
公开(公告)日:2009-03-18
申请号:CN200810168597.5
申请日:2006-09-29
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/13452 , H01L21/50 , H01L23/3157 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/522 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/83 , H01L2021/60232 , H01L2021/60262 , H01L2224/0401 , H01L2224/0603 , H01L2224/1147 , H01L2224/13027 , H01L2224/13099 , H01L2224/1403 , H01L2224/14104 , H01L2224/16105 , H01L2224/29075 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/45124 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/83851 , H01L2924/0001 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2224/48
Abstract: 一种可以减小半导体芯片的尺寸的半导体器件制造技术。首先,在绝缘膜上方形成焊盘和其他导线。在包括焊盘和导线的绝缘膜上方形成表面保护膜,并且在表面保护膜中制作开口。该开口位于焊盘上方并露出该焊盘的表面。在包括开口的表面保护层上方形成凸点电极。在此,焊盘小于凸点电极。因此,在与焊盘的同一层中的凸点电极的正下方布置导线。换句话说,在由于焊盘足够小而变得可用的空间中布置导线。
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公开(公告)号:CN101154661A
公开(公告)日:2008-04-02
申请号:CN200710143655.4
申请日:2007-08-16
Applicant: 株式会社瑞萨科技
Inventor: 铃木进也
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L27/0248 , G02F1/13452 , H01L27/1214
Abstract: 本发明可以缩小LCD驱动器的芯片尺寸。在LCD驱动器1的驱动器输出电路的输出侧具有第1保护元件21a以及第2保护元件21b,所述第1保护元件21a包含n型半导体区域22以及形成在所述n型半导体区域22内的p型半导体区域23,所述第2保护元件21b包含p型半导体区域24以及形成在所述p型半导体区域24内的n型半导体区域25。所述第1以及第2保护元件21a、21b分别是各2个相邻配置的。
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公开(公告)号:CN101017791A
公开(公告)日:2007-08-15
申请号:CN200710001708.9
申请日:2007-01-12
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/70 , H01L21/78 , H01L21/822 , H01L23/544
CPC classification number: H01L21/78
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制造方法,其中在半导体晶片的多个半导体芯片区(后来要变成半导体芯片的区域)的每个区域中形成半导体集成电路,然后沿着每个在相邻半导体芯片区之间提供的划片区切割所述半导体晶片。半导体芯片区每个是具有长边和短边的矩形形状。所述划片区包括与短边接触的第一划片区和与长边接触的第二划片区。第二划片区的宽度小于第一划片区的宽度。在光刻过程中,用于在X和Y方向中进行对准的第一和第二对准图案全部在第一划片区中形成,并且在第二划片区中不形成。可以同时获得对准精度的提高和半导体器件制造成本的降低。
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