公开(公告)号：CN101017791A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710001708.9

申请日：2007-01-12

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 铃木进也 ,  泽田敏昭 ,  岩崎全利

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/78 ,  H01L21/822 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制造方法，其中在半导体晶片的多个半导体芯片区(后来要变成半导体芯片的区域)的每个区域中形成半导体集成电路，然后沿着每个在相邻半导体芯片区之间提供的划片区切割所述半导体晶片。半导体芯片区每个是具有长边和短边的矩形形状。所述划片区包括与短边接触的第一划片区和与长边接触的第二划片区。第二划片区的宽度小于第一划片区的宽度。在光刻过程中，用于在X和Y方向中进行对准的第一和第二对准图案全部在第一划片区中形成，并且在第二划片区中不形成。可以同时获得对准精度的提高和半导体器件制造成本的降低。