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公开(公告)号:CN1128393A
公开(公告)日:1996-08-07
申请号:CN95115029.4
申请日:1995-07-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C1/1406 , H01C1/01
Abstract: 一种用于表面安装的热敏电阻器,包括一个第一导电接头部件,一个具有顶部开口的壳体,一个在相对的主表面上具有电极的平面热敏电阻元件,以及一个第二导电接头部件,第二导电接头部件的一端具有平面状盖部分,此盖部分固定至壳体顶部。第一接头部件的一端置于壳体内并位于壳体的底部件上方。第一和第二接头部件的另一端位于壳体的底表面上。
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公开(公告)号:CN102956335B
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201210269699.2
申请日:2012-07-31
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 胜木隆与
Abstract: 本发明提供能够抑制产生裂纹的长方体形热敏电阻。热敏电阻基体12具有彼此相对的2个端面S1,S2,为长方体形。外部电阻14a,14b分别设置在端面S1,S2上。外部电极14a,14b分别含有Cr层、Ni/Cu层、Ag层和Sn层。Cr层与热敏电阻基体12欧姆接触。Ni/Cu层设置在Cr层上。Ag层设置在Ni/Cu层上,具有0.7μm以上2μm以下的平均厚度。对热敏电阻基体12、外部电极14a、14b实施倒角加工。
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公开(公告)号:CN102957365A
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN201210269741.0
申请日:2012-07-31
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种即使使用廉价的三端双向可控硅、也能正常动作的电动机起动用电路。电动机起动用电路(1)接受所提供的200V以上220V以下的交流电压,使包含在起动时进行动作的辅助线圈(12b)以及在稳定时进行动作的主线圈(12a)的电动机(12)起动。热敏电阻(20)与辅助线圈(12b)进行串联连接。三端双向可控硅(24)与辅助线圈(12b)和热敏电阻(20)进行串联连接。热敏电阻(22)与三端双向可控硅(24)的栅极相连接,并与热敏电阻(20)进行并联连接,包含具有1.5mm3以上10mm3以下的体积且呈长方体状的热敏电阻基体,并且,在25℃下,具有800Ω以上3000Ω以下的电阻值。
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公开(公告)号:CN1124623C
公开(公告)日:2003-10-15
申请号:CN99106406.2
申请日:1995-07-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C1/1406 , H01C1/01
Abstract: 一种用于表面贴装的热电子装置,包括一个第一导电接头部件,一个具有顶部开口的壳体,一个在相对的主表面上具有电极的、平面的电子装置,以及一个第二导电接头部件,第二导电接头部件的一端具有平面状盖部分,此盖部分固定至壳体顶部。第一接头部件的一端置于壳体内并位于壳体的底部件上方。第一和第二接头部件的另一端位于壳体的底表面上。
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公开(公告)号:CN1052095C
公开(公告)日:2000-05-03
申请号:CN95115029.4
申请日:1995-07-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C1/1406 , H01C1/01
Abstract: 一种用于表面贴装的热敏电阻器,包括一个第一导电接头部件,一个具有顶部开口的壳体,一个在相对的主表面上具有电极的平面热敏电阻元件,以及一个第二导电接头部件,第二导电接头部件的一端具有平面状盖部分,此盖部分固定至壳体顶部。第一接头部件的一端置于壳体内并位于壳体的底部件上方。第一和第二接头部件的另一端位于壳体的底表面上。
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公开(公告)号:CN1235357A
公开(公告)日:1999-11-17
申请号:CN99106406.2
申请日:1995-07-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C1/1406 , H01C1/01
Abstract: 一种用于表面贴装的热电子装置,包括一个第一导电接头部件,一个具有顶部开口的壳体,一个在相对的主表面上具有电极的、平面的电子装置,以及一个第二导电接头部件,第二导电接头部件的一端具有平面状盖部分,此盖部分固定至壳体顶部。第一接头部件的一端置于壳体内并位于壳体的底部件上方。第一和第二接头部件的另一端位于壳体的底表面上。
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公开(公告)号:CN1142476A
公开(公告)日:1997-02-12
申请号:CN96106935.X
申请日:1996-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01L31/0264
Abstract: 本发明提供一种即使施加以高电压也难以发生瓷器破坏、对冲击电流的破坏特性优良的半导体瓷器及其制造方法。该方法的步骤是:称量BaCO3、SrCO3、Pb3O4、CaCO3、TiO2、Er2O3、MnCO3和SiO2,使其形成(Ba0.0536Pb0.08Sr0.20Ca0.18Er0.04)TiO3+0.0004Mn+0.02SiO2的组成。经混合、脱水。干燥后,在1360℃假烧2小时,将所得的假烧粉末与黏合剂混合后,制成直径18mm、厚3.6mm的形成体,在1360℃烧成1小时,在表1所示的条件下冷却,从而获得半导体瓷器。
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