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公开(公告)号：CN110324007B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910244797.2
申请日：2019-03-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种功率放大电路。功率放大电路(1)具备：放大晶体管(20)；可变电压电源(21)，其向放大晶体管(20)的集电极提供可变电压(Vcc2)；偏置电路(22)，其具有向放大晶体管(20)的基极输出直流偏置电流的恒流放大晶体管(220)；以及电流限制电路(23)，其限制直流偏置电流，其中，电流限制电路(23)具有：电流限制晶体管(230)；电阻元件(232)，其与电流限制晶体管(230)的集电极及可变电压电源(11)连接；以及电阻元件(231)，其与电流限制晶体管(230)的基极及恒流放大晶体管(220)的基极连接。
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公开(公告)号：CN112039448B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202010497097.7
申请日：2020-06-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 佐俣充则
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供一种在进行包络线跟踪控制来放大射频信号的情况下高效地对功率进行放大的功率放大电路。功率放大电路(10)具备：晶体管(11)，在集电极被供给根据输入到基极的射频信号的振幅的包络线而变动的电源电压(Vcc)，从集电极输出射频信号被放大后的放大信号；第1终止电路(21)，设置在晶体管(11)的后级，使放大信号的高次谐波分量衰减；和第2终止电路(31)，设置在所述晶体管的后级，使放大信号的高次谐波分量衰减。第1终止电路(21)以及第2终止电路(31)具有如下特性，即，相对于具有二次谐波分量的频率与三次谐波分量的频率之间的频率的射频信号进行谐振。
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公开(公告)号：CN114696863B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202111508545.X
申请日：2021-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明提供一种高频模块，能够抑制信号传输损耗的增大，并且提高从半导体装置的散热特性。在模块基板安装有包含高频放大电路和频带选择开关的半导体装置。连接在高频放大电路与频带选择开关之间的输出匹配电路设置于模块基板。半导体装置包含：第一部件，形成有包含元素半导体系的半导体元件的频带选择开关；和第二部件，与第一部件面接触地接合，并形成有包含化合物半导体系的半导体元件的高频放大电路。从第一部件以及第二部件突出多个导体突起。半导体装置经由多个导体突起安装于模块基板，在俯视时，半导体装置配置在输出匹配电路的附近，或者半导体装置和构成输出匹配电路的无源元件重叠。
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公开(公告)号：CN113054916B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202011532414.0
申请日：2020-12-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 佐俣充则
Abstract: 提供一种能改善增益分散的特性的功率放大电路。具备：第1晶体管，具有被供给与可变电源电压相应的电压的第1端子和被供给RF信号的第2端子，放大RF信号；偏置电路，向第1晶体管的第2端子供给偏置电流或电压；调整电路，根据可变电源电压调整偏置电流或电压，偏置电路包含：第1二极管，在阳极被供给偏置控制电压或电流；第2二极管，阳极与第1二极管的阴极连接，阴极与接地连接；偏置晶体管，在第1端子被供给电源电压，第2端子与第1二极管的阳极连接，第3端子与第1晶体管的第2端子连接，调整电路包含：第1电阻器；调整晶体管，具有通过第1电阻器与电源端子连接的第1端子和与第1、第2二极管的阳极分别连接的第2、第3端子。
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公开(公告)号：CN115380470A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202180027303.0
申请日：2021-04-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F1/44 , H01P5/02 , H03H7/075 , H03H7/38 , H03F1/02 , H03F1/56 , H03F3/191 , H03F3/24 , H03F3/60
Abstract: 在功率放大装置中，实现高频功率放大电路的宽带动作。功率放大装置(100A)包括：功率放大电路(1)，放大高频输入信号；第一阻抗匹配电路(2)，对功率放大电路(1)的输出信号进行阻抗匹配；二次谐波终端电路(3)，设置在第一阻抗匹配电路(2)的输出侧，通过反射从第一阻抗匹配电路(2)输入的信号所包含的偶次谐波和奇次谐波的至少一部分，从而作为高频信号从输入端子输出，将包含基波、剩余的偶次谐波以及奇次谐波的高频信号从输出端子输出；以及滤波器(4)，设置在二次谐波终端电路(3)的后级，使偶次谐波和奇次谐波的至少一部分衰减，输出包含基波、剩余的偶次谐波以及奇次谐波的高频信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114696863A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111508545.X
申请日：2021-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明提供一种高频模块，能够抑制信号传输损耗的增大，并且提高从半导体装置的散热特性。在模块基板安装有包含高频放大电路和频带选择开关的半导体装置。连接在高频放大电路与频带选择开关之间的输出匹配电路设置于模块基板。半导体装置包含：第一部件，形成有包含元素半导体系的半导体元件的频带选择开关；和第二部件，与第一部件面接触地接合，并形成有包含化合物半导体系的半导体元件的高频放大电路。从第一部件以及第二部件突出多个导体突起。半导体装置经由多个导体突起安装于模块基板，在俯视时，半导体装置配置在输出匹配电路的附近，或者半导体装置和构成输出匹配电路的无源元件重叠。
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公开(公告)号：CN113054916A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011532414.0
申请日：2020-12-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 佐俣充则
Abstract: 提供一种能改善增益分散的特性的功率放大电路。具备：第1晶体管，具有被供给与可变电源电压相应的电压的第1端子和被供给RF信号的第2端子，放大RF信号；偏置电路，向第1晶体管的第2端子供给偏置电流或电压；调整电路，根据可变电源电压调整偏置电流或电压，偏置电路包含：第1二极管，在阳极被供给偏置控制电压或电流；第2二极管，阳极与第1二极管的阴极连接，阴极与接地连接；偏置晶体管，在第1端子被供给电源电压，第2端子与第1二极管的阳极连接，第3端子与第1晶体管的第2端子连接，调整电路包含：第1电阻器；调整晶体管，具有通过第1电阻器与电源端子连接的第1端子和与第1、第2二极管的阳极分别连接的第2、第3端子。
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公开(公告)号：CN114696864A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111516426.9
申请日：2021-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明提供一种高频模块，能够抑制信号传输损耗的增大，并且提高从半导体装置的散热特性。包含高频放大电路的半导体装置以及频带选择开关安装于模块基板。输出匹配电路包含设置于模块基板的至少一个无源元件，并连接在高频放大电路与频带选择开关之间。半导体装置包含：第一部件，包含元素半导体系的半导体部分；和第二部件，与第一部件面接触地接合，并形成有包含化合物半导体系的半导体元件的高频放大电路。在俯视时，半导体装置配置在输出匹配电路的附近，输出匹配电路配置在频带选择开关的附近。
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公开(公告)号：CN114649310A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111535249.9
申请日：2021-12-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/66 , H01L23/367 , H01L23/528 , H03F3/195 , H03F3/21
Abstract: 本发明提供一种功率放大装置以及RF电路模块，抑制被放大器放大后的放大信号所包含的谐波进入其他的器件。功率放大装置具备：第一部件，形成有第一电路；第二部件，形成有第二电路；以及部件间连接导体，将上述第一电路与上述第二电路电连接，上述第二部件安装于上述第一部件，上述第二电路包括放大无线频率信号并输出第一放大信号的第一放大器，上述第一电路包括控制上述第二电路的动作的控制电路，在上述第一部件形成有第一终端电路的至少一部分，该第一终端电路通过上述部件间连接导体与上述第一放大器连接，使上述第一放大信号的谐波成分衰减。
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公开(公告)号：CN114649276A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111553324.4
申请日：2021-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够提高散热特性的半导体装置。第二部件与包含由元素半导体系构成的半导体区域的第一部件的第一面面接触地接合。第二部件包含化合物半导体系的高频放大电路。导体突起从第二部件向第一部件侧的相反侧突出。第一部件在内部包含检测温度的测温元件。
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