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公开(公告)号：CN110326073A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880013711.9
申请日：2018-03-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/30 , H01G4/33 , H01G4/38 , H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 电容器(100)具备第一电容器层(101)以及第二电容器层(103)，该第一电容器层(101)具有：设置具有沟槽部的第一沟槽结构(125)的第一基板(110)、第一电极(115)、以及设置在包括第一沟槽结构(125)的沟槽部(126)的区域的第二电极(119)，该第二电容器层(103)具有：第二基板(130)、第三电极(139)、以及第四电极(135)，第一电容器层(101)与第二电容器层(103)被配置为第二电极(119)与第三电极(139)相互相对且电连接。
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公开(公告)号：CN116525611A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310048773.6
申请日：2023-01-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/06 , H01L23/64 , H01L21/822
Abstract: 本发明提供的电子部件具备：基板，具有相互对置的第一主面和第二主面，包含硅元素；电容器元件，设置于基板的第一主面侧；以及电感器元件，在基板的上述第一主面上或者第二主面上相对于电容器元件设置在与第一主面正交的方向上，并与电容器元件电连接，电容器元件具有：第一电极部，在第一主面与第二主面之间在与第一主面交叉的方向上延伸，且位于基板侧；第二电极部，在第一主面与第二主面之间在与第一主面交叉的方向延伸，在与第一主面平行的方向上与第一电极部对置；以及介电部，位于第一电极部与第二电极部之间，电感器元件具有：坯体，具有位于与基板相反侧的第三主面，包含磁性材料；电感器布线，设置于坯体内，在与第一主面平行的方向上延伸；以及垂直布线，设置在坯体内，与电感器布线的端部连接且延伸到第三主面，电感器布线的厚度比第二电极部的厚度厚。
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公开(公告)号：CN113661581A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202080027445.2
申请日：2020-04-06
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
Abstract: 三维电容性结构(150)可以通过在多孔阳极氧化物的区域(152a)中的孔(151)上方共形地形成电容性堆叠(153至155)来产生。多孔阳极氧化物区域设置在包括抗阳极氧化层和互连层(159)的导电层(158、159)的堆叠上。在孔中，非常接近于孔底部存在具有受限直径(D)的位置(P)。在阳极氧化物的区域(152a)中的第一百分比的孔中，形成电容性堆叠(153至155)的功能部分(F)，以便延伸到孔中，不超过直径受限的位置(P)。可能存在于抗阳极氧化层(159)中的裂纹对电容性结构的特性具有降低的影响。可以容忍抗阳极氧化层(159)的厚度增加，使得整个电容性结构的等效串联电阻能够降低。
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公开(公告)号：CN111902899A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980021921.7
申请日：2019-05-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/33 , H01G4/30 , H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明的电容器(100)具备基板(110)、电介质部(120)以及导电体层(130)。电介质部(120)包括厚膜部(120A)和薄膜部(120B)。厚膜部(120A)在与第一主面(111)垂直的方向上，比电介质部(120)的平均厚度厚。在与第一主面(111)垂直的方向上，薄膜部(120B)比电介质部(120)的平均厚度薄。厚膜部(120A)的相对介电常数比薄膜部(120B)的相对介电常数大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111263978A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201880069469.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有第一主面(110A)以及第二主面(110B)；第一电极(131)，设置在半导体基板(110)的第一主面(110A)侧；电介质层(120)，设置在半导体基板(110)与第一电极(131)之间；第一电阻控制层((140)，设置在第一电极(131)之上；布线部(150)，设置在第一电阻控制层(140)之上；以及第二电极(132)，设置在半导体基板(110)的第二主面(110B)侧。第一电阻控制层(140)具备：将第一电极(131)与布线部(150)电连接的第一区域(141)；与第一区域(141)并排且电阻率比第一区域(141)高的第二区域(142)。
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公开(公告)号：CN110945643A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048977.7
申请日：2018-07-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01G4/00 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L27/04
Abstract: 电容器(100)具备：基体材料(110)，具有相互对置的第一主面(110A)和第二主面(110B)，并在第一主面(110A)侧形成有沟槽部(111)；介电膜(130)，在基体材料(110的第一主面(110A)侧设置于包含沟槽部(111)的内侧的区域；导电体膜(140)，具有第一导电体层(141)和第二导电体层(142)，其中，上述第一导电体层(141)设置于包含沟槽部(111)的内侧的区域且是介电膜(130)上，上述第二导电体层(142)设置在第一导电体层(141)上；以及应力缓和部(160)，与第一导电体层(141)的端部的至少一部分接触来设置，在基体材料(110)的第一主面(110A)中的沟槽部(111)的外侧，应力缓和部(160)的厚度(T6)比导电体膜(140)的厚度(T4)小。
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公开(公告)号：CN111279466B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201880069502.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有第一主面(110A)和第二主面(110B)；第一电极(131)，设置于半导体基板(110)的第一主面(110A)侧；电介质层(120)，设置在半导体基板(110)与第一电极(131)之间；第二电极(132)，设置于半导体基板(110)的第二主面(110B)侧；以及电阻控制层(160)，设置在半导体基板(110)与第二电极(132)之间。电阻控制层(160)具备：将半导体基板(110)和第二电极(132)电连接的第一区域(161)；以及与第一区域(161)并排且比第一区域(161)电阻率高的第二区域(162)。
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公开(公告)号：CN111902899B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201980021921.7
申请日：2019-05-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/33 , H01G4/30 , H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明的电容器(100)具备基板(110)、电介质部(120)以及导电体层(130)。电介质部(120)包括厚膜部(120A)和薄膜部(120B)。厚膜部(120A)在与第一主面(111)垂直的方向上，比电介质部(120)的平均厚度厚。在与第一主面(111)垂直的方向上，薄膜部(120B)比电介质部(120)的平均厚度薄。厚膜部(120A)的相对介电常数比薄膜部(120B)的相对介电常数大。
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公开(公告)号：CN111989850A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201980026023.0
申请日：2019-04-12
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H02M1/34
Abstract: CR缓冲元件(100)具备第一电阻部(110)、第一电容部(120)、第二电阻部(130)以及第二电容部(140)。第一电容部(120)与第一电阻部(110)串联地连接。第二电阻部(130)与第一电阻部(110)和第一电容部(120)串联地连接。第二电容部(140)与第二电阻部(130)并联地连接。CR缓冲元件(100)构成为在第一电容部(120)短路时，第二电阻部(130)断开。
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