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公开(公告)号:CN102445806B
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN201110303719.9
申请日:2011-09-29
Applicant: 株式会社日立显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: G02F1/167
CPC classification number: G02F1/167 , G02F2001/1676
Abstract: 本发明提供一种电泳方式显示装置。在电泳方式显示装置中,即使在增大平面电极的面积从而提高像素的亮度的情况下,也能够使隔壁电极的面积增大到与平面电极的面积为同等程度,维持存储效果,并维持图像的对比度。形成有像素,该像素在由第一基板、第二基板和隔壁所形成的区域中封入有绝缘性液体和泳动粒子。为了增大平面电极(130)从而提高像素的亮度,需要减小隔壁(110)的宽度,但该情况下,从机械强度的要求出发,需要减小隔壁(110)的高度。若减小隔壁(110)的高度,则隔壁电极的面积缩小,不能维持存储效果。为了增大隔壁电极的面积,使隔壁(110)的平面形状为锯齿状。
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公开(公告)号:CN102654691B
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:CN201210053126.6
申请日:2012-03-02
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1337 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/1337 , G02F1/1333 , G02F1/133345 , G02F1/133723 , G02F1/13378 , G02F1/133788 , G02F1/1339 , G02F1/13394 , G02F1/136286 , G02F1/1368
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置及其制造方法,具体涉及在使用光取向的IPS方式的液晶显示装置中,防止取向膜被柱状衬垫刮削。在形成于对置基板(200)上的柱状衬垫(204)与TFT基板(100)接触的部分形成比像素电极(108)高的底座(114)。在像素电极(108)及底座(114)上涂布二层结构的取向膜(113)时,由于流平效果,从而底座(114)上的取向膜(113)变薄。在该状态下进行光取向时,底座上的光分解的上配向膜(112)消失,机械强度大的下取向膜(111)残留。因此,能够防止取向膜的刮削。另一方面,由于在像素电极(108)上,上取向膜(112)原本就厚,所以能够确保用于使液晶取向的规定的膜厚。
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公开(公告)号:CN101022092A
公开(公告)日:2007-08-22
申请号:CN200710005589.4
申请日:2007-02-13
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/3213 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/136227
Abstract: 本发明提供一种显示装置的制造方法,在具有反射区域和透射区域的液晶显示装置中,抑制工序数增加地制造反射电极和透射电极。对具有透射区域和反射区域的像素,连续层叠形成反射电极的金属膜和形成透射电极的透明导电膜。将抗蚀剂膜曝光显影,形成第1图案,同时蚀刻金属层和透明导电膜。然后通过灰化在抗蚀剂膜形成第2图案,蚀刻金属层。另外,利用有机树脂层作为形成接触孔的掩模。
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公开(公告)号:CN1523413A
公开(公告)日:2004-08-25
申请号:CN200410004610.5
申请日:2004-02-18
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及显示装置,提供一种尽管构造简单,却具有能够防止小丘的发生,并实现了低电阻化的栅极信号线和薄膜晶体管的栅极电极的显示装置。这是一种在基板上具有薄膜晶体管的显示装置,具有栅极布线和上述薄膜晶体管的栅极电极成为一体的栅极图形,上述栅极图形,至少在上述薄膜晶体管的部分或与漏极布线进行交叉的部分的任何一者中,用最下层、至少1层的中间层、最上层这样的至少3层构成,上述中间层的端部比上述最上层的端部和上述最下层的端部后退。
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公开(公告)号:CN1517752A
公开(公告)日:2004-08-04
申请号:CN200410000160.2
申请日:2004-01-08
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/133
CPC classification number: H01L21/28568 , G03G15/0131 , G03G15/1685 , G03G2215/0141 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76856 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L29/78603
Abstract: 本发明提供一种显示装置,目的在于防止在把铝系导电层用做与低温多晶硅接触的源极·漏极电极时的加热工序中铝元素向多晶硅层的扩散,并避免显示不良的发生。在本发明的显示装置中,把铝系导电层用做源极·漏极电极,在该铝系导电层和多晶硅层之间设置钼或钼合金层的阻挡层。在构成阻挡层的钼或钼合金层的表面上,设置在氮气氛下进行高速热处理(高速热退火)所形成的氮氧化钼膜。
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