公开(公告)号：CN101159255A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710163074.7

申请日：2007-09-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田靖 ,  中村真人 ,  松吉聪 ,  佐佐木康二 ,  平光真二

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种电子装置，在其焊料连接部，通过组合在从室温至200℃下含有Cu6Sn5相的Sn系焊料与Ni系层，能够抑制界面反应，得到电及机械上的可靠性。

公开(公告)号：CN101393901B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200810213494.6

申请日：2008-09-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田靖 ,  中村真人 ,  松吉聪 ,  佐佐木康二 ,  平光真二

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/01 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其利用耐热性200℃的连接方法，能够通过将Sn-(1～10质量％)Cu-(0.05～0.5质量％)Ni焊锡与Ni系层组合抑制界面反应和抑制在流过大电流时的半导体元件的连接部中的空洞形成，并且能够使用Sn系焊锡作为高铅焊锡的代替连接材料得到与高铅焊锡为同等的电和机械的特性。

公开(公告)号：CN101911200A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980101710.0

申请日：2009-01-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中塚哲也 ,  中村真人 ,  金子聪

IPC: G11B33/12 ,  G11B25/04

CPC classification number: G11B25/043 ,  G11B33/122 ,  G11B33/1466 ,  H01R13/73

Abstract: 本发明提供一种磁盘装置。由于在馈通的凸缘的构成材料与基体的构成材料之间存在线膨胀系数的差，在实际使用时，针对产生于这些异种材料之间的热机械载荷，将这些材料接合起来的钎焊材料在早期就无法承受，因此产生于钎焊连接部内的裂纹形成低密度气体的泄漏路径，无法达成实际使用寿命5年。本发明提供的磁盘装置，其包括磁盘；在与所述磁盘之间进行信息的记录和再现的磁头；基体；通过焊料与所述基体连接的馈通；以及将所述基体和所述馈通连接起来的钎焊连接部，其特征在于，在所述基体中的所述钎焊连接部的周缘具有凹部。

公开(公告)号：CN100533724C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200710163074.7

申请日：2007-09-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田靖 ,  中村真人 ,  松吉聪 ,  佐佐木康二 ,  平光真二

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种电子装置，在其焊料连接部，通过组合在从室温至200℃下含有Cu6Sn5相的Sn系焊料与Ni系层，能够抑制界面反应，得到电及机械上的可靠性。