公开(公告)号：CN102593167A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210001137.X

申请日：2012-01-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 白石正树 ,  森睦宏 ,  铃木弘 ,  渡边聪

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L25/07 ,  H02M1/00

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/6634 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体装置，能够在保持低损失和高耐压的同时，提高栅极驱动电路对在导通开关时间段中的dv/dt的控制性。该半导体装置设置有：第1导电型的第1半导体层(4)；在其表面附近形成的第2导电型的第2半导体层(2)；与其电连接的第1主电极(11)，与第1半导体层(4)邻接且在与第2半导体层(2)相反侧的表面附近形成的第2导电型的第3半导体层(6)；在其上部上选择性地设置的第1导电型的第4半导体层(7)；与第3半导体层(6)以及第4半导体层(7)电连接的第2主电极(14)；其侧面与第4半导体层(7)和第3半导体层(6)接触且达到第1半导体层(4)的沟槽(17)；沿着该侧面通过多晶硅的边壁形成的栅极电极(9)；以及在沟槽(17)内离开栅极电极(9)而设置且与第2主电极(14)电连接的多晶硅电极(18)。