-
公开(公告)号：CN1407625A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02106437.7
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L29/42332 , G11C16/0408 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L29/7885
Abstract: 提供半导体存储元件、半导体装置。在要求高可靠性的半导体快速存储器中，由于必须通过将硅基板直接氧化了的氧化膜进行电子的进出，使用的电压从正到负成为大电压。与此不同，通过将电荷蓄积在多个分散的区域，能实现高可靠性。以该高可靠性为背景，不仅通过可靠性高的、将硅基板直接作成热氧化膜获得的氧化膜、而且通过用CVD法淀积的氧化膜等，能使电子移动，信息写入时及信息删除时用同一极性的电位进行控制。
-
公开(公告)号：CN104956415B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380071591.5
申请日：2013-02-26
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G08B21/0438 , G08B21/0423
Abstract: 本发明提供一种监视对象者的健康状态的系统。该系统具有：测定部，其以时间序列测定对象者居住或者停留的设施中的所述对象者的位置；以及信息处理部，其通过判定对象者的位置的时间序列变化是否满足预先决定的判定条件，来判定对象者的健康状态。
-
公开(公告)号：CN104956415A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201380071591.5
申请日：2013-02-26
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G08B21/0438 , G08B21/0423
Abstract: 本发明提供一种监视对象者的健康状态的系统。该系统具有：测定部，其以时间序列测定对象者居住或者停留的设施中的所述对象者的位置；以及信息处理部，其通过判定对象者的位置的时间序列变化是否满足预先决定的判定条件，来判定对象者的健康状态。
-
公开(公告)号：CN1052344C
公开(公告)日：2000-05-10
申请号：CN94109104.X
申请日：1994-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/78 , H01L27/105
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据。栅极－沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。
-
公开(公告)号：CN1173043A
公开(公告)日：1998-02-11
申请号：CN97110214.7
申请日：1994-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
Abstract: 一种场效应半导体元件,它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据,还涉及利用其的存储器件。栅极—沟道电容被设定得如此地小,以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变,就能在室温下实现数据存储。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104582564B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201280075380.4
申请日：2012-09-03
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: A61B5/0245 , A61B5/00
CPC classification number: A61B5/0022 , A61B5/0004 , A61B5/0006 , A61B5/0024 , A61B5/02125 , A61B5/0245 , A61B5/04325 , A61B5/7285
Abstract: 本发明的目的在于，在包括多个终端的生物信号测量系统中，使各终端与其他终端的同步更加容易实现。多个终端(102)各自包括测量生物信号的第一生物信号传感器(201)、存储基于生物信号的第一数据的第一存储器(205)和与其他终端进行无线通信的第一无线通信器(206)，第一数据被按照与第一数据对应的方式赋予序号，该序号是表示取得第一数据的顺序的编号。多个终端中的第一终端(102b)使用第一无线通信器接收到的同步信号作为触发而使序号重置。
-
公开(公告)号：CN104582564A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201280075380.4
申请日：2012-09-03
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: A61B5/0245 , A61B5/00
CPC classification number: A61B5/0022 , A61B5/0004 , A61B5/0006 , A61B5/0024 , A61B5/02125 , A61B5/0245 , A61B5/04325 , A61B5/7285
Abstract: 本发明的目的在于，在包括多个终端的生物信号测量系统中，使各终端与其他终端的同步更加容易实现。多个终端(102)各自包括测量生物信号的第一生物信号传感器(201)、存储基于生物信号的第一数据的第一存储器(205)和与其他终端进行无线通信的第一无线通信器(206)，第一数据被按照与第一数据对应的方式赋予序号，该序号是表示取得第一数据的顺序的编号。多个终端中的第一终端(102b)使用第一无线通信器接收到的同步信号作为触发而使序号重置。
-
公开(公告)号：CN1495904A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03158004.1
申请日：1999-01-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C11/5642 , G11C11/5671 , G11C16/0416 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7883 , H01L29/7888 , H01L29/7889
Abstract: 表面面积小的存储器单元，分别选择每个存储器单元的局部数据线，连接于全局数据线，以时间复用方式执行读出和写入。存储器单元能够置于字线和数据线的所有交点处。借助于建立完全相同的模拟单元的标准阈值电压，获得了改善的噪声裕度。在写入过程中将写入数据暂时保存在存储器单元中的寄存器，被用作在写入验证过程中保存表示写入已经终止的标志的寄存器。由一个nMOS晶体管组成的电路被用作改变写入终止标志上的数值的装置。
-
公开(公告)号：CN1112732C
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN97110214.7
申请日：1994-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，还涉及利用其的存储器件。栅极—沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。
-
公开(公告)号：CN1398002A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02122083.2
申请日：1994-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105 , H01L29/772
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，及利用其的数据处理设备。栅极—沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.03 seconds)
