公开(公告)号：CN107710787B

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201680038034.7

申请日：2016-05-16

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 町田俊太郎 ,  峰利之 ,  藤崎耕司 ,  竹崎泰一 ,  龙崎大介

IPC: H04R19/00 ,  A61B8/00 ,  G01N29/06 ,  G01N29/24 ,  H04R1/40

Abstract: 在静电电容检测型的超声波换能器中，由于超声波换能器的单元阵列的各单元的膜状物的膜厚偏差，导致单元阵列内的单元的器件特性变得不均匀。超声波换能器具备CMUT芯片(301)，CMUT芯片(301)包括：形成有多个单元的单元阵列区域CAR；以及与单元阵列区域CAR相邻接的周边区域PER，在单元阵列区域CAR配置梁结构体(201)，并且在周边区域PER配置相当于梁结构体(201)的多个图案结构体(311)。由此，将单元阵列区域CAR的单位表面积和周边区域PER的单位表面积的差减小。其结果，能够提高覆盖梁结构体(201)和图案结构体(311)的绝缘膜的膜厚的均匀性。

公开(公告)号：CN109152568A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780027702.0

申请日：2017-07-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 竹崎泰一 ,  町田俊太郎 ,  龙崎大介 ,  吉村保广 ,  永田达也 ,  山下尚昭

IPC: A61B8/14

Abstract: 电容检测型超声波换能器(111A)具备硅基板(101)、形成于硅基板(101)上的绝缘膜(102)、下部电极(103)、绝缘膜(104、106)、由在绝缘膜(106)的一部分所形成的空隙构成的空洞部(105)、上部电极(107)、绝缘膜(108、114)以及保护膜(109)。另外，空洞部(105)的上部的绝缘膜(106)、上部电极(107)、绝缘膜(108)、以及绝缘膜(114)构成振动膜(110)，振动膜(110)的上部的保护膜(109)被分割成隔开固定间隔的间隙(115)而规则性地排列的多个独立图案。

公开(公告)号：CN103350064B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310065801.1

申请日：2008-01-23

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田贞一郎 ,  田中宏树 ,  町田俊太郎

IPC: B06B1/02 ,  A61B8/00

CPC classification number: B06B1/0292 ,  A61B8/00 ,  A61B8/4483 ,  A61B2562/028

Abstract: 本发明公开了一种静电容量式传感器以及超声波摄像装置。对cMUT元件阵列赋予均一并且稳定的特性，实现声学特性的提高。在元件（102）中追加设置用于切断元件的移位、振动以及信号收发的信号切断部，该元件（102）位于作为能够进行通常的收发的传感器而被设计并制造的、cMUT元件的二维阵列（101）的最外周部或端部的位置。

公开(公告)号：CN103350064A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310065801.1

申请日：2008-01-23

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社日立医药

Inventor： 池田贞一郎 ,  田中宏树 ,  町田俊太郎

IPC: B06B1/02 ,  A61B8/00

CPC classification number: B06B1/0292 ,  A61B8/00 ,  A61B8/4483 ,  A61B2562/028

Abstract: 本发明公开了一种静电容量式传感器以及超声波摄像装置。对cMUT元件阵列赋予均一并且稳定的特性，实现声学特性的提高。在元件（102）中追加设置用于切断元件的移位、振动以及信号收发的信号切断部，该元件（102）位于作为能够进行通常的收发的传感器而被设计并制造的、cMUT元件的二维阵列（101）的最外周部或端部的位置。