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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1386300A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN01802217.0
申请日：2001-08-15
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , G03F1/08 , H01L27/10 , H01L21/3205
CPC classification number: G03F7/70425 , G03F1/00 , G03F1/56 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2924/15311 , Y10S438/944 , Y10S438/946 , H01L2924/00
Abstract: 改善了半导体集成电路器件的产率。根据光掩模被使用多少次,恰当地使用具有由金属组成的不透明图形的光掩模以及具有由抗蚀剂膜组成的不透明图形的光掩模,从而执行曝光处理。
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公开(公告)号：CN1350321A
公开(公告)日：2002-05-22
申请号：CN01143332.9
申请日：2001-09-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , H01L21/82 , G03F7/00
CPC classification number: G03F1/56 , G03F7/70433 , G03F7/70616
Abstract: 提供一种半导体集成电路器件的制造方法,其中包括依据半导体集成电路器件的制造步骤,在曝光处理时,适当采用具有由金属制成的光阻挡图形的光掩模以及具有由抗蚀剂膜制成的光阻挡图形的另一光掩模。根据本发明,可以提高半导体集成电路器件的生产率。
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公开(公告)号：CN1211834C
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN01135769.X
申请日：2001-10-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/027 , H01L21/70 , G03F1/16 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F1/84 , G03F3/10
Abstract: 在同一洁净室内提供有每个遮光图形都由有机膜制成的光掩模制作区和半导体集成电路器件制造区。光掩模的制作和半导体集成电路器件的制造共用制造和检查设备。
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公开(公告)号：CN1364246A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN00810736.X
申请日：2000-06-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G03F1/08 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/56 , G03F1/44 , G03F1/62 , G03F7/70983
Abstract: 在半导体集成电路器件制备方法中,为了抑制防止外来物质的产生,使用的光掩膜构建方式为,阻挡膜被用作光屏蔽膜来进行检测或暴光处理,当光掩膜1PA1被安装于如检测设备或对准机预定装置上时,其状态为,预定装置的安装部分2与光掩膜1PA1的掩膜衬底1a的主表面区域接触,其中在掩膜衬底1a的主表面上不存在皆由阻挡膜形成的光屏蔽图形1b和掩膜图形1mr。
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公开(公告)号：CN1349246A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN01135769.X
申请日：2001-10-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/027 , H01L21/70 , G03F1/16 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F1/84 , G03F3/10
Abstract: 在同一洁净室内提供有每个遮光图形都由有机膜制成的光掩模制作区和半导体集成电路器件制造区。光掩模的制作和半导体集成电路器件的制造共用制造和检查设备。
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