显示器件的制作方法
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100504599C

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:CN200310123561.2

    申请日:2003-12-26

    Inventor: 岩渊友幸

    Abstract: 当利用分步反复曝光的方法,在基板上形成多个显示器件时,本发明提供一种制作显示器件的方法,该方法即可以防止基板上的显示器件的静电破坏,又可以执行电路检查。将显示器件的从信号输入终端引出到基板边缘的线路图案通过实施曝光形成为和显示器件图案按一对一被反复重复的规则重复图案的布局。借助线路图案和能够与该线路图案脱附的导电性器具的接触与不接触,使显示器件的信号输入终端之间的短路状态和导通状态能够轻易地被更换,其结果是同时实现了基板上的显示器件的静电破坏对策和电路检查。

    发光装置及电子设备
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1732495A

    公开(公告)日:2006-02-08

    申请号:CN200380107583.8

    申请日:2003-12-15

    CPC classification number: H01L27/3225 H01L27/3267 H01L27/3286 H01L2251/5315

    Abstract: 本发明将提供体积小且可模块化的发光装置作为课题。在像素部使用以EL元件等为代表的发光元件,并在一个发光装置内的两处不同的位置设置像素部。第1像素部为呈矩阵状配置了像素的像素部,外围具有给第1像素部传送信号的第1源极信号线驱动电路和第1栅极线驱动电路。第2像素部由无源型像素构成,第1像素部与构成第1源极线驱动电路或第1栅极线驱动电路的TFT组,在从衬底背面朝衬底表面的方向由层间薄膜隔开。

    半导体装置
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102324420A

    公开(公告)日:2012-01-18

    申请号:CN201110321129.9

    申请日:2007-01-31

    CPC classification number: H01L22/32 H01L27/12 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明的目的在于可以通过测量TEG的电特性管理由蒸发沉积工序导致的半导体装置内的元件的电特性的变化。本发明的技术要点如下:在有源矩阵型EL面板的衬底100中提供有使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101,并在所述蒸发沉积区域101中提供有像素区域102。TEG109设置在使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101内的像素区域102的外侧。用来测量TEG109的测量用端子部110设置在密封区域103外部。

    半导体装置
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101013695A

    公开(公告)日:2007-08-08

    申请号:CN200710006161.1

    申请日:2007-01-31

    CPC classification number: H01L22/32 H01L27/12 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明的目的在于可以通过测量TEG的电特性管理由蒸发沉积工序导致的半导体装置内的元件的电特性的变化。本发明的技术要点如下:在有源矩阵型EL面板的衬底100中提供有使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101,并在所述蒸发沉积区域101中提供有像素区域102。TEG109设置在使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101内的像素区域102的外侧。用来测量TEG109的测量用端子部110设置在密封区域103外部。

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