公开(公告)号：CN101399178A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810168157.X

申请日：2007-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 江口晋吾 ,  门马洋平 ,  谷敦弘 ,  广末美佐子 ,  桥本健一 ,  保坂泰靖

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/50 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/707 ,  H01L27/1266

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。

公开(公告)号：CN118974805A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380030737.5

申请日：2023-04-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  井口贵弘 ,  三泽千惠子 ,  佐藤亚美 ,  土桥正佳 ,  神长正美

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00 ,  H05B44/00 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H05B33/10 ,  H10K50/00

Abstract: 提供一种能够实现集成度高的半导体装置。该半导体装置包括彼此电连接的第一及第二晶体管以及第一绝缘层，其中第一晶体管包括第一半导体层、第二绝缘层以及第一至第三导电层，第二晶体管包括第二半导体层、第三绝缘层以及第四至第六导电层，第一绝缘层位于第一导电层上且包括到达第一导电层的开口，第二导电层位于第一绝缘层上，第一半导体层接触于第一导电层的顶面、开口的内壁以及第二导电层，第三导电层以在第二绝缘层上重叠于开口的内壁的方式设置，第三绝缘层位于第四导电层上，第五及第六导电层隔着第三绝缘层在第四导电层上设置，第二半导体层接触于第五及第六导电层的顶面、彼此相对的侧面以及夹在第五导电层与第六导电层之间的第三绝缘层的顶面。

公开(公告)号：CN118235191A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280075633.1

申请日：2022-11-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中田昌孝 ,  片山雅博 ,  佐藤来 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  土桥正佳 ,  楠纮慈 ,  中山智则

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种清晰度高的显示装置。本发明的一个方式是一种包括晶体管、发光器件、第一绝缘层、第二绝缘层及第一导电层的显示装置。晶体管包括半导体层以及与半导体层电连接的第二导电层。发光器件包括像素电极。第一绝缘层设置在晶体管上并包括到达第二导电层的第一开口。第一导电层覆盖第一开口。第二绝缘层设置在第一绝缘层上并在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。像素电极覆盖第二绝缘层的顶面及第二开口。像素电极通过第一导电层与第二导电层电连接。第一绝缘层的端部位于第二导电层上。第二绝缘层的端部位于第一导电层上。第二绝缘层的端部位于第一绝缘层的端部的外侧。

公开(公告)号：CN108987416B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201810760315.4

申请日：2013-07-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368

Abstract: 本公开涉及显示装置及具有该显示装置的电子设备。显示装置包括设置有位于像素区域的外侧并与所述像素区域相邻并包括将信号供应给在像素区域的各像素中的第一晶体管的至少一个第二晶体管的驱动电路区域的第一衬底、与第一衬底相对的第二衬底、夹在第一衬底与第二衬底之间的液晶层、在第一晶体管及第二晶体管上的包含无机绝缘材料的第一层间绝缘膜、第一层间绝缘膜上的包含有机绝缘材料的第二层间绝缘膜、以及第二层间绝缘膜上的包含无机绝缘材料的第三层间绝缘膜。第三层间绝缘膜被设置在所述像素区域的上部区域的一部分中，并具有驱动电路区域内侧上的边缘部分。

公开(公告)号：CN114664864A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111461741.6

申请日：2021-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  保坂泰靖 ,  增山光男 ,  冈崎健一

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

Abstract: 在显示装置中，在同一衬底上制造可以高速工作的电路和像素。显示装置的制造方法如下所述。在第一绝缘层上形成第一金属氧化物膜、第一金属膜及岛状的第一抗蚀剂掩模。接着，在形成岛状的第一金属层和岛状的第一氧化物半导体层的同时使第一绝缘层的顶面的一部分露出，去除第一抗蚀剂掩模。接着，在第一金属层及第一绝缘层上形成第二金属氧化物膜、第二金属膜及岛状的第二抗蚀剂掩模。接着，形成岛状的第二金属层和岛状的第二氧化物半导体层，去除第二抗蚀剂掩模。然后，去除第一金属层及第二金属层。

公开(公告)号：CN108475699B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201680076957.1

申请日：2016-12-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  岛行德

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极；第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括：第一漏电极；第一漏电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极；第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN113327948A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202110634377.2

申请日：2016-12-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  岛行德

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32

Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极；第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括：第一漏电极；第一漏电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极；第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN113105213A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110187768.4

申请日：2016-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  黑崎大辅 ,  羽持贵士 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  C03C17/245 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786

Abstract: 金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌，且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外，在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20％以上且60％以下。

公开(公告)号：CN112997335A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980072744.5

申请日：2019-10-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中田昌孝 ,  井口贵弘 ,  保坂泰靖 ,  重信匠

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一绝缘层、金属氧化物层、导电层以及绝缘区域。第一绝缘层覆盖半导体层的顶面及侧面，导电层位于第一绝缘层上。金属氧化物层位于第一绝缘层与导电层之间，金属氧化物层的端部位于导电层的端部的内侧。绝缘区域与金属氧化物层邻接，且位于第一绝缘层与导电层之间。半导体层包括第一区域、一对第二区域以及一对第三区域。第一区域与金属氧化物层及导电层重叠。第二区域夹着第一区域，且与绝缘区域及导电层重叠。第三区域夹着第一区域及一对第二区域，且不与导电层重叠。第三区域优选包括其电阻比第一区域低的部分。第二区域优选包括其电阻比第三区域高的部分。

公开(公告)号：CN108473334B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201680077344.X

申请日：2016-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  黑崎大辅 ,  羽持贵士 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌，且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外，在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20％以上且60％以下。