公开(公告)号：CN114203828A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110878861.X

申请日：2021-08-02

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 系数裕子 ,  末代知子 ,  岩鍜治阳子 ,  罇贵子 ,  河村圭子 ,  布施香织

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/40

Abstract: 实施方式的半导体装置具备第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第三半导体层、第一导电型的第二半导体层、多个电极以及第一绝缘膜。第二半导体层设置于第一半导体层上，包含比第一半导体层的第一导电型杂质低浓度的第一导电型杂质。第三半导体层设置于第二半导体层的上方，具有与第二半导体层相反侧的第一面。多个电极从第一面到第二半导体层中为止在多个沟槽的内部延伸。多个第一绝缘膜分别设置于多个电极与第二及第三半导体层之间。多个电极包括：第一电极组，在第一面上在第一方向上各隔开第一距离而排成一列；以及第二电极组，在第一方向上各隔开第一距离地排成一列，在第二方向上与第一电极组隔开第二距离。

公开(公告)号：CN117747646A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202211663929.3

申请日：2022-12-23

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 系数裕子 ,  岩鍜治阳子 ,  河村圭子 ,  末代知子 ,  布施香织 ,  罇贵子

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/41 ,  H01L29/06

Abstract: 实施方式关于半导体装置。有关实施方式的半导体装置具有半导体部、第1至第4电极和控制电极。上述第1电极设置在上述半导体部的背面上；上述第2电极设置在与上述背面相反侧的表面上。上述第3电极设置在上述第1电极与上述第2电极之间，位于上述半导体部中，从上述半导体部电绝缘。上述控制电极从上述半导体部的上述表面侧延伸到上述半导体部中，位于上述第2电极与上述第3电极之间，从上述半导体部电绝缘。上述第4电极从上述半导体部的上述表面侧延伸到上述半导体部中，位于上述第2电极与上述第3电极之间。此外，上述第4电极位于上述半导体部与上述控制电极之间，与上述第3电极电连接。

公开(公告)号：CN117525124A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202211023078.6

申请日：2022-08-25

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 布施香织 ,  河村圭子 ,  末代知子 ,  岩鍜治阳子 ,  罇贵子 ,  系数裕子

IPC: H01L29/739

Abstract: 半导体装置中，第一导电型的第一电极设于半导体部背面。第二导电型的第二电极设于半导体部。第二导电型的第三电极配置于第一沟槽的内部，第一绝缘膜覆盖其内表面且位于半导体部与第三电极间。第一导电型的第四电极配置于第二沟槽的内部，第二绝缘膜覆盖其内表面且位于半导体部与第四电极间。第一半导体层在第一、第二电极间延伸。第二半导体层设于第一半导体层与第二电极间且在第三、第四电极间延伸。第三半导体层在第二半导体层与第二电极间局部设于第二半导体层且第二导电型杂质的浓度比其高。在第三、第四电极间，第四半导体层位于第二半导体层，第二半导体层包含第三、第四半导体层间的部分。第二电极在上述表面与第二及第三半导体层连接。

公开(公告)号：CN115810662A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202111611306.7

申请日：2021-12-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 罇贵子 ,  末代知子 ,  岩鍜治阳子 ,  系数裕子 ,  布施香织 ,  河村圭子 ,  大麻浩平

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 实施方式的半导体装置具备半导体部、第一电极、第二电极以及控制电极。所述半导体部设置于所述第一电极与所述第二电极之间，包含第一导电型的第一层以及第三层、以及第二导电型的第二层、第四层以及第五层。所述第一层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸，所述第二层设置于所述第一半导体层与所述第二电极之间，所述第三半导体层设置于所述第二层与所述第二电极之间，所述第四层设置于所述第一层与所述第一电极之间。所述半导体部具有包含所述控制电极、所述第二层及所述第三层的有源区域和包围所述有源区域的终端区域。所述5层在所述终端区域中设置于所述第一半导体层中。

公开(公告)号：CN113497114A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202010607336.X

申请日：2020-06-29

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 末代知子 ,  系数裕子 ,  河村圭子 ,  岩鍜治阳子 ,  布施香织

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/868

Abstract: 实施方式提供一种能够有效地降低恢复损耗的半导体装置，其具备半导体部、设于半导体部的背面上的第一电极、以及设于半导体部的表面上第二电极。半导体部包括第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、以及第二导电型的第三半导体层。第一半导体层在第一电极与第二电极之间延伸，第二半导体层设于第一半导体层与第二电极之间。第三半导体层设于第二半导体层与第二电极之间，包含浓度比第二半导体层的第二导电型杂质的浓度高的第二导电型杂质。第二电极从半导体部的表面延伸到第二半导体层中，并包含与第二半导体层相接的埋入接触部、以及与第三半导体层相接的表面接触部。

公开(公告)号：CN102194841A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110048238.8

申请日：2011-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小松公 ,  辻均 ,  布施香织 ,  斋藤和行

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/13

Abstract: 本发明提供一种具有半导体基板的固体摄像装置。半导体基板具有相互对置的第1和第2主面，具有从第1主面延伸到第2主面的贯通孔。摄像元件部形成在从所述半导体基板的第1主面外延的表面区域。第1绝缘膜为形成在所述第1主面上的层间绝缘膜。布线电极形成在所述层间绝缘膜中，与所述摄像元件部连接。第2绝缘膜覆盖在所述贯通孔的表面上和所述第2主面上，且所述布线电极的至少一部分不被覆盖，含有遮蔽红外线的多个粒子，遮蔽红外线，透过可见光。导电体膜与所述布线电极接触，且形成在所述第2绝缘膜上，引出到所述第2主面侧。