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公开(公告)号：CN112786696B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010951158.2
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 提供能改善二极管特性的半导体装置，其具备半导体部的第1面上的第1电极、与第1面相反一侧的第2面上的第2电极以及位于第1面侧的沟槽中的第1控制电极、第2控制电极。半导体部包括第1导电类型第1层、第2导电类型第2层、第2导电类型第3层、第1导电类型第4层、第2导电类型第5层以及第1导电类型第6层。第2层选择性地设置于第1层与第1电极之间，与第1控制电极相向。第3层包含浓度比第1层的第2导电类型杂质高的第2导电类型杂质，与第2控制电极相向。第4层选择性地设置于第2层与第1电极之间。第5层以及第6层选择性地设置于第1层与第2电极之间。第1电极电连接于第2层以及第3层，第2电极电连接于第4层以及第5层。
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公开(公告)号：CN112786697A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202010951160.X
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 提供半导体装置的控制方法，能够降低导通损耗与开关损耗。半导体装置具备半导体部的第1面上的第1电极、第2面上的第2电极和设置于半导体部与第1电极之间的控制电极。半导体部包括第1层、第2层、第3层、第4层以及第5层。第2层位于第1层与第1电极之间，第3层选择性地设置于第2层与第1电极之间。第4以及第5层选择性地设置于第1层与第2电极之间。在半导体装置的控制方法中，在第1层与第2层之间的pn结正偏置而接下来逆偏置之前的第1期间，对控制电极施加第1电压，在第1期间后的第2期间，施加比第1电压高的第2电压，在第2期间后至pn结逆偏置的第3期间施加比第1电压高、比第2电压低的第3电压。
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公开(公告)号：CN118432415A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202311071410.0
申请日：2023-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H02M1/088 , H02M1/38 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供半导体模块。提供能够降低导通损耗和开关损耗并且防止误点弧的半导体模块。在从向驱动装置输入使第1半导体元件的第1栅极电极以及第2栅极电极断开的脉冲信号至第2半导体元件的第1栅极电极、第2栅极电极、以及第3栅极电极中的任意栅极电极达到导通电压的期间，第1半导体元件的第3栅极电极的电压从阈值电压以下的第1断开电压迁移到比所述第1断开电压低的第2断开电压，在从向驱动装置输入使第2半导体元件的第1栅极电极以及第2栅极电极断开的脉冲信号至第1半导体元件的第1栅极电极、第2栅极电极、以及第3栅极电极中的任意栅极电极达到导通电压的期间，第2半导体元件的第3栅极电极的电压从阈值电压以下的第3断开电压迁移到比第3断开电压低的第4断开电压。
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公开(公告)号：CN113345958B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202010951181.1
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供半导体装置的控制方法，能够降低接通时损耗。半导体装置具备第1电极与第2电极间的半导体部及设置于半导体部与第1电极间的第1～第3控制电极。半导体部包括第1导电类型的第1层、第2导电类型的第2层、第1导电类型的第3层及第2导电类型的第4层。第2层设置于第1层与第1电极间，第3层设置于第2层与第1电极间，第4层设置于第1层与第2电极间。对第1～第3控制电极在第1～第3时间点分别施加比阈值电压高的第1～第3电压。在第1～第3时间点后的第4时间点将第3电压降低到比阈值电压低的电平，在第4时间点后的第5时间点将第2电压降低到比阈值电压低的电平，在第5时间点后的第6时间点将第1电压降低到比阈值电压低的电平。
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公开(公告)号：CN112713187B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202010951394.4
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供半导体装置，其能够降低导通时的导通损耗及关断时的开关损耗。半导体装置具备：半导体部上的第1电极；与第1电极相反的一侧的第2电极；第1～第3控制电极，设置于半导体部与第1电极之间；及第1及第2控制端子，与第1及第2控制电极分别电连接。第1～第3控制电极分别位于在半导体部的第1面侧设置的沟槽中，第3控制电极位于第1及第2控制电极之间。半导体部包括第1导电类型的第1层、第2导电类型的第2层、第1导电类型的第3层及第2导电类型的第4层。第2层位于第1层与第1电极之间，第3层选择性地设置于第2层与第1电极之间。第4层设置于第1层与第2电极之间。第1电极与第2层及第3层电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111416607B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201911178018.X
申请日：2019-11-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H03K17/567
Abstract: 提供能够抑制损耗的控制电路、半导体装置以及电路装置。根据实施方式，控制电路与包括第1元件的元件部连接，该第1元件包括第1栅极、第1集电极以及第1发射极。所述控制电路实施第1动作以及第2动作。在所述第1动作的至少一部分中，所述控制电路使第1电流从所述第1集电极向所述第1发射极流动。在所述第2动作的至少一部分中，所述控制电路使第2电流从所述第1发射极向所述第1集电极流动。所述第1动作中的所述第1元件的开关的第1时间常数与所述第2动作中的所述第1元件的开关的第2时间常数不同。
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公开(公告)号：CN111416607A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201911178018.X
申请日：2019-11-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H03K17/567
Abstract: 提供能够抑制损耗的控制电路、半导体装置以及电路装置。根据实施方式，控制电路与包括第1元件的元件部连接，该第1元件包括第1栅极、第1集电极以及第1发射极。所述控制电路实施第1动作以及第2动作。在所述第1动作的至少一部分中，所述控制电路使第1电流从所述第1集电极向所述第1发射极流动。在所述第2动作的至少一部分中，所述控制电路使第2电流从所述第1发射极向所述第1集电极流动。所述第1动作中的所述第1元件的开关的第1时间常数与所述第2动作中的所述第1元件的开关的第2时间常数不同。
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公开(公告)号：CN118571914A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202311077772.0
申请日：2023-08-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/739
Abstract: 提供能够降低损失的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1、2电极、第1布线、半导体层、以及第1、2控制电极。第2电极的至少一部分配置于元件区域。第1布线配置于第1布线区域。半导体层设置于第1电极与2电极之间、以及第1电极与第1布线之间。半导体层包括第1～第7半导体区域。第5半导体区域配置于第1布线区域，是第1导电类型。第6半导体区域配置于第1布线区域，是第2导电类型。第1控制电极隔着第1绝缘部与第1、2半导体区域相向。第2控制电极隔着第2绝缘部与第1、2、7半导体区域相向。
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公开(公告)号：CN116504781A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210873028.0
申请日：2022-07-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L27/07
Abstract: 本发明提供一种能够抑制损耗的驱动装置以及半导体模块。根据实施方式，驱动装置包括能够驱动半导体装置的驱动电路。所述半导体装置包括第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、半导体部件以及绝缘部件。所述驱动电路能够将第一驱动信号供给至所述第三电极，并能够将第二驱动信号供给至所述第四电极。在第一动作中，所述第一驱动信号从第一电位变化为比所述第一电位高的第二电位。在所述第一动作中，所述第二驱动信号在从第三电位变化为比所述第三电位高的第四电位后，变化为所述第三电位与所述第四电位之间的第五电位。
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公开(公告)号：CN115566040A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210104114.5
申请日：2022-01-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L23/50 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种能够使特性稳定的半导体装置及半导体模块。根据实施方式，半导体装置包含第一～第三电极、第一布线部件、半导体部件及绝缘部件。半导体部件在第一方向上设置于第一电极与第二电极之间、以及第一电极与第一布线部件的第一延伸部之间。半导体部件包含第一～第六半导体区域。第六半导体区域与第二电极电连接，为第一导电型。第六半导体区域的至少一部分位于第二半导体区域的一部分与第一延伸部之间。绝缘部件包含第一绝缘区域。第一绝缘区域设置于第三电极与半导体部件之间。
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