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公开(公告)号:CN118174706A
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202311075020.0
申请日:2023-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H03K17/567 , H03K17/04
Abstract: 提供能够防止半导体元件的误触发的半导体驱动装置和半导体模块。在第一半导体元件和第二半导体元件的各半导体元件中,在将第三栅极电极的阈值电压设为Vth3、将第三关断栅极电阻的电阻值设为RCGsoff、将第三栅极电极与集电极电极之间的电容的电压依赖特性中的最小值设为min(CCGsgc)、将开通时的电压的时间位移设为dv/d时,满足#imgabs0#
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公开(公告)号:CN118432415A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202311071410.0
申请日:2023-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H02M1/088 , H02M1/38 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供半导体模块。提供能够降低导通损耗和开关损耗并且防止误点弧的半导体模块。在从向驱动装置输入使第1半导体元件的第1栅极电极以及第2栅极电极断开的脉冲信号至第2半导体元件的第1栅极电极、第2栅极电极、以及第3栅极电极中的任意栅极电极达到导通电压的期间,第1半导体元件的第3栅极电极的电压从阈值电压以下的第1断开电压迁移到比所述第1断开电压低的第2断开电压,在从向驱动装置输入使第2半导体元件的第1栅极电极以及第2栅极电极断开的脉冲信号至第1半导体元件的第1栅极电极、第2栅极电极、以及第3栅极电极中的任意栅极电极达到导通电压的期间,第2半导体元件的第3栅极电极的电压从阈值电压以下的第3断开电压迁移到比第3断开电压低的第4断开电压。
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