公开(公告)号：CN115117159A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202110900433.2

申请日：2021-08-06

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 高田贤治

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式提供能够抑制翘曲的半导体装置。有关实施方式的半导体装置包括第一半导体层、第一金属层、接合层、第二金属层以及第二半导体层。所述第一金属层被设于所述第一半导体层之上，并与所述第一半导体层接触。所述接合层被设于所述第一金属层之上，并与所述第一金属层接触，并且是导电性的。所述第二金属层被设于所述接合层之上，并与所述接合层接触。所述第二半导体层被设于所述第二金属层之上，并与所述第二金属层接触，被设有半导体元件的至少一部分。

公开(公告)号：CN110197815A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201810182302.3

申请日：2018-03-06

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 增子真吾 ,  藤村一夫 ,  高田贤治 ,  水岛一郎

IPC: H01L21/78

Abstract: 本发明的实施方式提供一种通过使侧面具有曲率而提高可靠性的半导体装置以及切割方法。实施方式的半导体装置具有至少一对侧面从上方朝向下方扩宽的弯曲形状，其具备硅基板、半导体层、以及下层。半导体层形成于上述硅基板的上表面。下层形成于上述硅基板的下表面，其侧面与上述硅基板的侧面连接。

公开(公告)号：CN105428409A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510555672.3

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高田贤治 ,  柴田武

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/283 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/452 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够以低成本制造的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体区域；第一电极，设置在所述半导体区域之上；第二电极，设置在所述半导体区域之上，与所述第一电极并排，且包含与所述第一电极的材料相同的材料；第三电极，设置在所述半导体区域之上，且设置在所述第一电极及所述第二电极之间；第一绝缘膜，设置在所述半导体区域与所述第三电极之间；及第四电极，连接于所述第三电极，且包含与所述第一电极及所述第二电极的材料相同的材料。